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本发明公开了一种等离子体刻蚀方法，用于消除砷化镓基体表面钝化层，所述钝化层包含氧化铝层，使用碳基氟化物气体作为刻蚀气体。针对GaAs基体表面钝化层中氧化铝膜的刻蚀难题，本发明人通过大量研究实验发现以碳基氟化物气体作为刻蚀气体来进行砷化镓基体...
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