一种垂直腔面发射激光器制造技术

本发明专利技术公开了一种垂直腔面发射激光器，包括圆形的出光窗口，所述出光窗口被分为与出光窗口同心但半径略小的圆形中心区域以及包围所述圆形中心区域的外围环形区域，在所述外围环形区域上表面设置有光取出层，光取出层由处于外圈的厚度为λ/4奇数倍的圆环部与处于内圈的斜面部组成，λ为该垂直腔面发射激光器的发射激光波长，斜面部的厚度从0开始随与出光窗口中心轴的水平距离线性变化至圆环部厚度，斜面部的斜面表面与出光窗口中心轴之间的夹角为35

【技术实现步骤摘要】
一种垂直腔面发射激光器


[0001]本专利技术涉及半导体激光器
，尤其涉及一种垂直腔面发射激光器
(
Vertical
‑
Cavity Surface
‑
Emitting Laser，简称
VCSEL)
。

技术介绍

[0002]垂直腔面发射激光器具有较高的光功率，同时可以很好地控制横向模态，因此在光通讯、姿态感知传感器、印刷以及磁存储等领域拥有极大的应用前景。但因其器件结构存在有源区薄，腔长短，单层增益较小等缺陷，为提高其有效光子限制能力，目前多采用氧化限制型DBR(Distributed Bragg Reflector，分布式布拉格反射镜)结构。氧化限制型结构形成的氧化孔对注入到有源区的电流具有非常好的横向控制能力，使得横向几乎无电流。同时这一氧化孔结构还可以将激光器有源区发出的光进行一定的横向束缚，减少激光器的模态，模态减少可以很好地稳定激光器。
[0003]垂直腔面发射激光器在工作过程中经电极注入至有源区的电流分布是不均匀的，电极边缘处电流最大，注入的电流本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种垂直腔面发射激光器，包括圆形的出光窗口，其特征在于，所述出光窗口被分为与出光窗口同心但半径略小的圆形中心区域以及包围所述圆形中心区域的外围环形区域，在所述外围环形区域上表面设置有光取出层，所述光取出层由处于外圈的厚度为λ/4奇数倍的圆环部与处于内圈的斜面部组成，λ为该垂直腔面发射激光器的发射激光波长，所述斜面部的厚度从0开始随与出光窗口中心轴的水平距离线性变化至圆环部厚度，所述斜面部的斜面表面与出光窗口中心轴之间的夹角为35
°
～65
°
，所述光取出层的材料折射率小于出光窗口的材料折射率，所述斜面部的斜面表面设置有...

【专利技术属性】
技术研发人员：李加伟，向宇，
申请(专利权)人：苏州长瑞光电有限公司，
类型：发明
国别省市：