提供一种表面发射激光器，其使得光和电流的限制效果可以在至少两个台面结构之间不同，并且其使得可以提高生产率。本发明专利技术提供一种表面发射激光器，其包括：第一多层膜反射器；第二多层膜反射器；有源层，设置在第一多层膜反射器与第二多层膜反射器之间；以及至少一个氧化约束层，设置在有源层与第一多层膜反射器的在有源层侧表面的相对侧的表面之间和/或有源层与第二多层膜反射器的在有源层侧表面的相对侧的表面之间，并且其包括各自具有台面结构的多个发光部，其中，多个发光部的台面结构包括具有不同高度尺寸并且氧化约束层的数量和/或有源层的数量不同的第一台面结构和第二台面结构。结构。结构。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】表面发射激光器、光源装置、电子装置以及用于制造表面发射激光器的方法
[0001]根据本公开的技术(在下文中，也被称为“本技术”)涉及表面发射激光器、光源装置、电子装置以及用于制造表面发射激光器的方法。
技术介绍
[0002]常规地，包括具有包括氧化约束层的台面结构的多个发光单元的表面发射激光器是已知的。一些这样的表面发射激光器在至少两个台面结构之间具有不同数量的氧化约束层(例如，参见专利文献1)。在该表面发射激光器中，可以使光和电流的限制效果在至少两个台面结构之间不同。
[0003]引用列表
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本专利申请公开第2019
‑
62188号。
技术实现思路
[0006]本专利技术要解决的问题
[0007]然而，常规的表面发射激光器具有提高生产率的空间。
[0008]因此，本技术的主要目的是提供能够使光和电流的限制效果在至少两个台面结构之间不同并且能够提高生产率的表面发射激光器。
[0009]问题的解决方案
[0010]本技术提供一种表面发射激光器，包括：
[0011]多个具有台面结构的发光单元，该发光单元各自包括：
[0012]第一多层膜反射器，
[0013]第二多层膜反射器，
[0014]有源层，设置在第一多层膜反射器与第二多层膜反射器之间，
[0015]至少一个氧化约束层，设置在第一多层膜反射器的与有源层的一侧的表面相对的一侧的表面与该有源层之间和/或第二多层膜反射器的与有源层的一侧的表面相对的一侧的表面与该有源层之间，其中，
[0016]多个发光单元的台面结构包括具有不同高度尺寸并且具有不同数量的氧化约束层和/或不同数量的有源层的第一台面结构和第二台面结构。这里，在本说明书中，氧化约束层的数量包括0。在本说明书中，有源层的数量也包括0。
[0017]第二台面结构可以具有比第一台面结构更大的高度尺寸和更大数量的氧化约束层。
[0018]具有第一台面结构的发光单元可以包括作为氧化约束层的材料的至少一个层。
[0019]第二台面结构可以具有有源层，并且第一台面结构可以不具有有源层。
[0020]第一台面结构和第二台面结构两者都可以具有有源层。
[0021]第一台面结构和第二台面结构两者都可以不具有有源层。
[0022]第二台面结构可以在第一多层膜反射器的与有源层的一侧的表面相对的一侧的表面与有源层之间或第二多层膜反射器的与有源层的一侧的表面相对的一侧的表面与有源层之间的一侧上包括多个氧化约束层，并且第一台面结构可以在一侧上包括至少一个氧化约束层。
[0023]第二台面结构可以在第一多层膜反射器的与有源层的一侧的表面相对的一侧的表面与有源层之间以及第二多层膜反射器的与有源层的一侧的表面相对的一侧的表面与有源层之间包括至少一个氧化约束层，并且第一台面结构可以在第一多层膜反射器的与有源层的一侧的表面相对的一侧的表面与有源层之间或第二多层膜反射器的与有源层的一侧的表面相对的一侧的表面与有源层之间的一侧上包括至少一个氧化约束层。
[0024]第一台面结构和第二台面结构可以具有相同数量的氧化约束层，并且第二台面结构可以具有比第一台面结构更大的高度尺寸和更大数量的有源层。
[0025]第一台面结构和第二台面结构中的每一个可以在第一多层膜反射器的与有源层的一侧的表面相对的一侧的表面与有源层之间或第二多层膜反射器的与有源层的一侧的表面相对的一侧的表面与有源层之间的一侧上包括至少一个氧化约束层。
[0026]可以在第一台面结构与第二台面结构之间设置虚拟区域。
[0027]第一台面结构与虚拟区域之间的间隔可以和第二台面结构与虚拟区域之间的间隔不同。
[0028]第二台面结构可以具有比第一台面结构更大的高度尺寸，并且第二台面结构与虚拟区域之间的间隔可以大于第一台面结构与虚拟区域之间的间隔。
[0029]第二台面结构可以具有比第一台面结构更大的高度尺寸，并且第二台面结构与虚拟区域之间的间隔可以等于或小于第一台面结构与虚拟区域之间的间隔。
[0030]本技术还提供一种光源装置，在第二台面结构具有比第一台面结构更大的高度尺寸和更大数量的氧化约束层的情况下，该光源装置包括：表面发射激光器；准直透镜，设置在表面发射激光器的第二台面结构的顶侧；以及扩散板，设置在表面发射激光器的第一台面结构的顶侧。
[0031]本技术还提供一种光源装置，在第一台面结构和第二台面结构具有相同数量的氧化约束层、第二台面结构具有比第一台面结构更大的高度尺寸、第二台面结构具有有源层并且第一台面结构不具有有源层的情况下，该光源装置包括：表面发射激光器；准直透镜，设置在表面发射激光器的第二台面结构的顶侧；以及扩散板，设置在表面发射激光器的第一台面结构的顶侧。
[0032]本技术还提供一种包括表面发射激光器的电子装置。
[0033]该电子装置可以是距离测量装置。
[0034]本专利技术还提供一种用于制造表面发射激光器的方法，该方法包括：
[0035]将第一多层膜反射器、至少一个有源层、多个选择的氧化层以及第二多层膜反射器层叠在基板上以形成层叠体(multilayer body)；
[0036]蚀刻该层叠体以形成多个台面，该多个台面包括具有不同高度尺寸以及不同数量的选择的氧化层的第一台面和第二台面；以及
[0037]从侧表面选择性地氧化该多个台面的选择的氧化层。
[0038]本专利技术还提供一种用于制造表面发射激光器的方法，该方法包括：
[0039]将第一多层膜反射器、至少一个有源层、至少一个选择的氧化层以及第二多层膜反射器层叠在基板上以形成层叠体；
[0040]蚀刻该层叠体以形成多个台面，该多个台面包括具有不同高度尺寸以及不同数量的有源层的第一台面和第二台面；以及
[0041]从侧表面选择性地氧化该多个台面的选择的氧化层。
附图说明
[0042]图1是根据本技术的第一实施例的表面发射激光器的一部分的截面图。
[0043]图2是根据本技术的第一实施例的表面发射激光器的平面图。
[0044]图3是用于描述根据本技术的第一实施例的用于制造表面发射激光器的方法的流程图。
[0045]图4是示出根据本技术的第一实施例的用于制造表面发射激光器的方法的第一步骤的截面图。
[0046]图5是示出根据本技术的第一实施例的用于制造表面发射激光器的方法的第二步骤的截面图。
[0047]图6是示出根据本技术的第一实施例的用于制造表面发射激光器的方法的第三步骤的截面图。
[0048]图7是示出根据本技术的第一实施例的用于制造表面发射激光器的方法的第四步骤的截面图。
[0049]图8是示出根据本技术的第一实施例的用于制造表面发射激光器的方法的第五步骤的截面图。
[0050]图9是示出根据本技术的第一实施例本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种表面发射激光器，包括：多个具有台面结构的发光单元，所述发光单元各自包括：第一多层膜反射器，第二多层膜反射器，有源层，设置在所述第一多层膜反射器与所述第二多层膜反射器之间，至少一个氧化约束层，设置在所述第一多层膜反射器的与所述有源层的一侧的表面相对的一侧的表面与所述有源层之间和/或所述第二多层膜反射器的与所述有源层的一侧的表面相对的一侧的表面与所述有源层之间，其中，多个所述发光单元的所述台面结构包括具有不同高度尺寸并且具有不同数量的所述氧化约束层和/或不同数量的所述有源层的第一台面结构和第二台面结构。2.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，所述第二台面结构具有比所述第一台面结构更大的高度尺寸和更大数量的所述氧化约束层。3.根据权利要求2所述的表面发射激光器，其中，具有所述第一台面结构的所述发光单元包括作为所述氧化约束层的材料的至少一个层。4.根据权利要求2所述的表面发射激光器，其中，所述第二台面结构具有所述有源层，并且所述第一台面结构不具有所述有源层。5.根据权利要求2所述的表面发射激光器，其中，所述第一台面结构和所述第二台面结构两者都具有所述有源层。6.根据权利要求2所述的表面发射激光器，其中，所述第一台面结构和所述第二台面结构两者都不具有所述有源层。7.根据权利要求2所述的表面发射激光器，其中，所述第二台面结构在所述第一多层膜反射器的与所述有源层的一侧的表面相对的一侧的表面与所述有源层之间或所述第二多层膜反射器的与所述有源层的一侧的表面相对的一侧的表面与所述有源层之间的一侧上包括多个所述氧化约束层，并且所述第一台面结构在所述一侧上包括至少一个所述氧化约束层。8.根据权利要求2所述的表面发射激光器，其中，所述第二台面结构在所述第一多层膜反射器的与所述有源层的一侧的表面相对的一侧的表面与所述有源层之间以及所述第二多层膜反射器的与所述有源层的一侧的表面相对的一侧的表面与所述有源层之间包括至少一个所述氧化约束层，并且所述第一台面结构在所述第一多层膜反射器的与所述有源层的一侧的表面相对的一侧的表面与所述有源层之间或所述第二多层膜反射器的与所述有源层的一侧的表面相对的一侧的表面与所述有源层之间的一侧上包括至少一个所述氧化约束层。9.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，所述第一台面结构和所述第二台面结构具有相同数量的所述氧化约束层，并且所述第二台面结构具有比所述第一台面结构更大的高度尺寸和更大数量的所述有源层。10.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：我妻新一，小川雅人，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：
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