一种多晶硅生产中还原尾气的回收工艺制造技术

本发明专利技术为一种多晶硅生产中还原尾气的回收工艺。一种多晶硅生产中还原尾气的回收工艺，包括以下步骤：将富含氯化氢的氯硅烷送氯化氢解析塔，解析塔的塔顶温度为40～70℃，压力为0.4～0.8MPaG，塔釜液送至精馏；塔顶采出气相送至氯硅烷提纯塔，氯硅烷提纯塔的温度为‑40～20℃，压力为0.4～0.8MPaG，塔顶采出气相去冷氢化工序，塔釜采出液与四氯化硅进行反歧化反应。本发明专利技术所述的一种多晶硅生产中还原尾气的回收工艺，通过优化尾气回收工艺流程，降低尾气回收能量消耗；在尾气回收部分分离DCS去反歧化，平衡还原料中DCS含量；不仅仅实现了氢气和氯硅烷的分离，还实现了氯化氢、DCS、TCS的分离和提纯。

A Recovery Process of Reduction Tail Gas in Polycrystalline Silicon Production

【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅生产中还原尾气的回收工艺
本专利技术属于多晶硅
，具体涉及一种多晶硅生产中还原尾气的回收工艺。
技术介绍
多晶硅生产一般采用改良西门子法，改良西门子法还原尾气回收利用氯硅烷、氢气、HCl冷凝点的差异经换热器与塔吸附后氢气换热，再经过换热器循环水换热、物料自身换热、乙二醇及制冷剂R22换热后将绝大多数氯硅烷冷凝成液体，用泵输送至吸收塔进口，与混合泵输送来的部分氯硅烷、氢气、深冷贮液罐送来的低温氯硅烷淋洗经过循环水换热后，含硅粉的氯硅烷、氢气、HCl混合气冷凝后，成为含有硅粉的氯硅烷液体，经硅粉过滤器，过滤后输送至精馏进行后续处理。未被冷凝的气态物料经压缩机，加压后送至吸收塔，利用氢气、HCl在高压、低温高纯TCS(三氯氢硅)液体中的溶解度特性不同，将氢气及HCl进行初步分离；富含HCl的TCS液体在精馏塔中将HCl及不凝气(主要含氢气)解析后送至冷氢化回收利用，解析损耗氯硅烷通过精馏车间输送来的高纯TCS进行补充。随着对多晶硅质量的要求越来越高，还原炉对原料氯硅烷中DCS(二氯二氢硅)的含量控制的越来越严格、还原尾气回收也在向深冷发展，在满足生产需要的同时也在尽可能的降本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多晶硅生产中还原尾气的回收工艺，其特征在于，包括以下步骤：将富含氯化氢的氯硅烷送至氯化氢解析塔，解析塔的塔顶温度为40～70℃，压力为0.4～0.8MPaG，塔釜液送至精馏；塔顶采出气相送至氯硅烷提纯塔，氯硅烷提纯塔的温度为‑40～20℃，压力为0.4～0.8MPaG，塔顶采出气相去冷氢化工序，塔釜采出液与四氯化硅进行反歧化反应。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅生产中还原尾气的回收工艺，其特征在于，包括以下步骤：将富含氯化氢的氯硅烷送至氯化氢解析塔，解析塔的塔顶温度为40～70℃，压力为0.4～0.8MPaG，塔釜液送至精馏；塔顶采出气相送至氯硅烷提纯塔，氯硅烷提纯塔的温度为-40～20℃，压力为0.4～0.8MPaG，塔顶采出气相去冷氢化工序，塔釜采出液与四氯化硅进行反歧化反应。2.根据权利要求1所述的回收工艺，其特征在于，所述的氯化氢解析塔塔顶采出的气相经冷却后...

【专利技术属性】
技术研发人员：田先瑞，
申请(专利权)人：新疆大全新能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：新疆,65