【技术实现步骤摘要】
图像传感器及其形成方法、工作方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种图像传感器及其形成方法、工作方法。
技术介绍
图像传感器是一种将光信号转化为电信号的半导体器件。图像传感器分为互补金属氧化物(CMOS)图像传感器和电荷耦合器件(CCD)图像传感器。CMOS图像传感器具有工艺简单、易于其它器件集成、体积小、重量轻、功耗小和成本低等优点。因此，随着图像传感技术的发展，CMOS图像传感器越来越多地取代CCD图像传感器应用于各类电子产品中。目前，CMOS图像传感器已经广泛应用于静态数码相机、数码摄像机、医疗用摄像装置和车用摄像装置等。CMOS图像传感器包括前照式(FSI)图像传感器和背照式(BSI)图像传感器。在背照式图像传感器中，光从图像传感器的背面入射到图像传感器中的光电二极管上，从而将光能转化为电能。一个像素单元里面的满阱容量一定程度上决定了整个图像传感器成像的效率。然而，现有技术形成的图像传感器的光电二极管的满阱容量有待提高。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种图像传感器及其形成方法、工作方法，以提高图像传感器的满阱容量。为解决上述技术问题，本...
【技术保护点】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括若干像素区和若干隔离区，所述隔离区与像素区相邻，且所述隔离区包围所述像素区；位于所述衬底像素区内的感光掺杂区，所述感光掺杂区内掺杂有第一离子；位于衬底像素区表面的第一掺杂层，所述第一掺杂层内掺杂有第二离子，所述第二离子的导电类型与所述第一离子相同；位于衬底隔离区表面的第一导电层；位于所述第一掺杂层和第一导电层之间的第一绝缘层。
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括若干像素区和若干隔离区，所述隔离区与像素区相邻，且所述隔离区包围所述像素区；位于所述衬底像素区内的感光掺杂区，所述感光掺杂区内掺杂有第一离子；位于衬底像素区表面的第一掺杂层，所述第一掺杂层内掺杂有第二离子，所述第二离子的导电类型与所述第一离子相同；位于衬底隔离区表面的第一导电层；位于所述第一掺杂层和第一导电层之间的第一绝缘层。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一离子为N型离子，且所述第二离子为N型离子；所述第一离子包括磷离子或砷离子；所述第二离子包括磷离子或砷离子。3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一离子为P型离子，且所述第二离子为P型离子；所述第一离子包括硼离子或铟离子；所述第二离子包括硼离子或铟离子。4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述感光掺杂区内的第一离子具有第一浓度，所述第一掺杂层的第二离子具有第二浓度，所述第二浓度小于第一浓度。5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一掺杂层的材料包括：单晶硅、多晶硅、非晶硅、锗、锗化硅或砷化镓。6.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一掺杂层的厚度范围为0.5um～3um。7.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一绝缘层的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅或碳氮氧化硅。8.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一导电层的材料包括为金属材料；所述金属材料包括：钨、镍、铬、钛、钽和铝中的一种或多种组合。9.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括：位于第一导电层、第一绝缘层和第一掺杂层表面的覆盖层；位于像素区的覆盖层表面的滤光层；位于滤光层表面的透镜层。10.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述衬底具有相对的第一面和第二面，所述衬底还包括：位于衬底隔离区内的浅沟槽隔离层和位于衬底隔离区内的深沟槽隔离层，所述衬底第...
【专利技术属性】
技术研发人员：孔翠翠，许爱春，祁荣斐，王淞山，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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