天线的封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种天线的封装结构，封装结构包括重新布线层、图形化的种子层、金属馈线柱、封装层、天线金属层、天线电路芯片及金属凸块。金属馈线柱采用电镀或化学镀的方法形成于所述图形化的种子层上，其径向宽度介于100微米～1000微米之间，天线电路芯片通过重新布线层以及金属馈线柱与天线金属层电性连接。本实用新型专利技术采用电镀或化学镀的方式形成天线金属馈线柱，可以获得大直径的金属馈线柱，提高结构强度，降低工艺偏差，同时可减小馈线损耗，提高天线的效率及性能。本实用新型专利技术可以获得多层结构的天线结构层，多层天线结构会有一定的损耗，而本实用新型专利技术采用直径较大、损耗较低的金属馈线柱，可大大降低多层天线结构的损耗。

Encapsulation structure of antenna

【技术实现步骤摘要】
天线的封装结构
本技术属于半导体封装领域，特别是涉及一种天线的封装结构。
技术介绍
由于科技的进步，发展出各种高科技的电子产品以便利人们的生活，其中包括各种电子装置，如：笔记型计算机、手机、平板电脑(PAD)等。随着这些高科技电子产品的普及以及人们需求的增加，除了这些高科技产品内所配置的各项功能与应用大幅度增加外，特别是为了配合人们移动的需求而增加了无线通讯的功能。于是，人们可以通过这些具有无线通讯功能的高科技电子装置于任何地点或是任何时刻使用这些高科技电子产品。从而大幅度的增加了这些高科技电子产品使用的灵活性与便利性，因此，人们再也不必被局限在一个固定的区域内，打破了使用范围的疆界，使得这些电子产品的应用真正地便利人们的生活。一般来说，现有的天线结构通常包括偶极天线(DipoleAntenna)、单极天线(MonopoleAntenna)、平板天线(PatchAntenna)、倒F形天线(PlanarInverted-FAntenna)、曲折形天线(MeanderLineAntenna)、倒置L形天线(Inverted-LAntenna)、循环天线(LoopAntenna)、螺旋天线(SpiralAntenna)以及弹簧天线(SpringAntenna)等。已知的作法是将天线直接制作于电路板的表面，这种作法会让天线占据额外的电路板面积，整合性较差。如何减少天线所占电路板的面积，提高天线封装结构的整合性能以及天线效率，是这些电子装置所需克服的问题。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种天线的封装结构及封装方法，用于解决现有技术中天线的效率及性能较低的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种天线的封装结构，所述封装结构包括：重新布线层，所述重新布线层包括第一面以及相对的第二面；图形化的种子层，形成于所述重新布线层的第二面上；金属馈线柱，采用电镀或化学镀的方法形成于所述图形化的种子层上，所述金属馈线柱的径向宽度介于100微米～1000微米之间；封装层，包覆所述金属馈线柱，且其顶面显露所述金属馈线柱；天线金属层，形成于所述封装层上，所述天线金属层与所述金属馈线柱连接；天线电路芯片，结合于所述重新布线层的第一面，并通过所述重新布线层以及所述金属馈线柱与所述天线金属层电性连接；以及金属凸块，形成于所述重新布线层的第一面，以实现所述重新布线层的电性引出。可选地，所述种子层的材质包括Ti、TiN、Ta、TaN中的一种，所述金属馈线柱的材料包括Au、Ag、Cu、Al中的一种。可选地，还包括第二天线结构，所述第二天线结构包括：图形化的第二种子层，形成于所述天线金属层上；第二金属馈线柱，采用电镀或化学镀的方法形成于所述第二种子层上形成；第二封装层，包覆所述第二金属馈线柱，且其顶面显露所述第二金属馈线柱；第二天线金属层，形成于所述第二封装层上，所述第二天线金属层与所述第二金属馈线柱连接。可选地，所述第二天线结构不小于两个，以形成多层堆叠的第二天线结构。可选地，所述封装层的材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种。可选地，所述天线电路芯片包括主动组件及被动组件中的一种或两种，其中所述主动组件包括电源管理电路、发射电路及接收电路中的一种，所述被动组件包括电阻、电容及电感中的一种。可选地，所述金属凸块包括锡焊料、银焊料及金锡合金焊料中的一种。本技术还提供一种天线的封装方法，所述封装方法包括步骤：1)提供一支撑基底，于所述支撑基底上形成分离层；2)于所述分离层上形成重新布线层，所述重新布线层包括与所述分离层连接的第一面以及相对的第二面；3)于所述重新布线层的第二面上形成图形化的种子层，采用电镀或化学镀的方法于所述种子层上形成金属馈线柱；4)采用封装层封装所述金属馈线柱，减薄所述封装层，使得所述金属馈线柱的顶面露出于所述封装层；5)于所述封装层上形成天线金属层，所述天线金属层与所述金属馈线柱连接；6)基于所述分离层剥离所述重新布线层及所述支撑基底，露出所述重新布线层的第一面；7)提供一天线电路芯片，将所述天线电路芯片接合于所述重新布线层的第一面，使得所述天线电路芯片通过所述重新布线层以及所述金属馈线柱与所述天线金属层电性连接；以及8)于所述重新布线层的第一面形成金属凸块，以实现所述重新布线层的电性引出。可选地，所述支撑基底包括玻璃衬底、金属衬底、半导体衬底、聚合物衬底及陶瓷衬底中的一种。可选地，所述分离层包括光热转换层，步骤6)采用激光照射所述光热转换层，以使所述光热转换层与所述封装层及所述支撑基底分离，进而剥离所述重新布线层及所述支撑基底。可选地，步骤2)制作所述重新布线层包括步骤：2-1)于所述分离层表面形成第一介质层；2-2)采用溅射工艺于所述第一介质层表面形成第一金属层，并对所述金属层进行刻蚀形成图形化的第一金属布线层；2-3)于所述图形化的第一金属布线层表面形成第二介质层，并对所述第二介质层进行刻蚀形成具有图形化通孔的第二介质层；2-4)于所述图形化通孔内填充导电栓塞，然后采用溅射工艺于所述第二介质层表面形成第二金属层，并对所述金属层进行刻蚀形成图形化的第二金属布线层。可选地，还包括步骤：重复进行步骤2-3)～步骤2-4)，以形成具有多层堆叠结构的重新布线层。可选地，所述介质层的材料包括环氧树脂、硅胶、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃，含氟玻璃中的一种或两种以上组合，所述金属布线层的材料包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种或两种以上组合。可选地，所述种子层的材质包括Ti、TiN、Ta、TaN中的一种，所述金属馈线柱的材料包括Au、Ag、Cu、Al中的一种。可选地，步骤4)采用封装层封装所述金属馈线柱的方法包括压缩成型、传递模塑成型、液封成型、真空层压及旋涂中的一种，所述封装层的材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种。可选地，所述金属凸块包括锡焊料、银焊料及金锡合金焊料中的一种。可选地，所述天线电路芯片包括主动组件及被动组件中的一种或两种，其中所述主动组件包括电源管理电路、发射电路及接收电路中的一种，所述被动组件包括电阻、电容及电感中的一种。可选地，步骤5)及步骤6)之间还包括形成第二天线结构的步骤，包括：a)于所述天线金属层上形成图形化的第二种子层，采用电镀或化学镀的方法于所述第二种子层上形成第二金属馈线柱；b)采用第二封装层封装所述第二金属馈线柱，减薄所述第二封装层，使得所述第二金属馈线柱的顶面露出于所述第二封装层；c)于所述第二封装层上形成第二天线金属层，所述第二天线金属层与所述第二金属馈线柱连接。可选地，还包括步骤：重复进行步骤a)～步骤c)不小于两次，以形成多层堆叠的第二天线结构。可选地，所述金属馈线柱的径向宽度介于100微米～1000微米之间。如上所述，本技术的天线的封装结构及封装方法，具有以下有益效果：本技术的天线封装结构采用电镀或化学镀的方式形成天线金属馈线柱，可以获得大直径的金属馈线柱，提高金属馈线柱的结构强度，降低工艺偏差，同时可以减小馈线损耗，提高天线的效率及性能。本技术可以获得多层结构的天线结构层，多层天线结构会有一定的损耗，而本技术采用直径较大、损耗较低的金属馈线柱，可大大降低多层天线结构的损耗。本实用新本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种天线的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：重新布线层，所述重新布线层包括第一面以及相对的第二面；图形化的种子层，形成于所述重新布线层的第二面上；金属馈线柱，采用电镀或化学镀的方法形成于所述图形化的种子层上，所述金属馈线柱的径向宽度介于100微米～1000微米之间；封装层，包覆所述金属馈线柱，且其顶面显露所述金属馈线柱；天线金属层，形成于所述封装层上，所述天线金属层与所述金属馈线柱连接；天线电路芯片，结合于所述重新布线层的第一面，并通过所述重新布线层以及所述金属馈线柱与所述天线金属层电性连接；以及金属凸块，形成于所述重新布线层的第一面，以实现所述重新布线层的电性引出。

【技术特征摘要】
1.一种天线的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：重新布线层，所述重新布线层包括第一面以及相对的第二面；图形化的种子层，形成于所述重新布线层的第二面上；金属馈线柱，采用电镀或化学镀的方法形成于所述图形化的种子层上，所述金属馈线柱的径向宽度介于100微米～1000微米之间；封装层，包覆所述金属馈线柱，且其顶面显露所述金属馈线柱；天线金属层，形成于所述封装层上，所述天线金属层与所述金属馈线柱连接；天线电路芯片，结合于所述重新布线层的第一面，并通过所述重新布线层以及所述金属馈线柱与所述天线金属层电性连接；以及金属凸块，形成于所述重新布线层的第一面，以实现所述重新布线层的电性引出。2.根据权利要求1所述的天线的封装结构，其特征在于：所述种子层的材质包括Ti、TiN、Ta、TaN中的一种，所述金属馈线柱的材料包括Au、Ag、Cu、Al中的一种。3.根据权利要求1所述的天线的封装结构，其特征在于，还包括第二天线结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈彦亨，林正忠，吴政达，林章申，
申请(专利权)人：中芯长电半导体江阴有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32