光刻胶涂布装置制造方法及图纸

一种光刻胶涂布装置，包括腔底座、腔身、腔顶盖，所述腔底座、所述腔身以及所述腔顶盖构成涂布腔室；涂布溅射区，位于所述腔顶盖内壁，且所述涂布溅射区的材料为亲水性润湿材料。亲水性材质可以减小液体与所述亲水性材质表面的接触角，从而使液体不易沾粘在所述涂布溅射区，增大了液体流动性；当进行涂布工艺时，由于离心力而飞出混合液体到达所述涂布溅射区更容易流动排出，避免产生堆积，减少反溅，从而提高所述涂布装置的工作效率。

Photoresist coating device

【技术实现步骤摘要】
光刻胶涂布装置
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种光刻胶涂布装置。
技术介绍
目前，半导体集成电路(IC)产业已经经历了指数式增长。IC材料和设计的技术进步已经产生了数代IC，其中，每代IC都比前一代IC具有更小和更复杂的电路。在IC的发展过程中，功能密度普遍增加，而几何尺寸(即使用制造工艺可以产生的最小部件)却已减小。除了IC部件变得更小更复杂之外，在其上制造IC的晶圆变的越来越大，这就对晶圆的质量要求越来越高。在晶圆的制造过程中，需要经过多步工艺，例如表面清洗、初次氧化、化学气相沉积镀膜、化学机械研磨、光刻、退火、离子注入等。其中，光刻技术是指在光照作用下，借助光致抗蚀剂(又名光刻胶)将掩膜版上的图形转移到基片上的技术。光刻工艺中光刻胶的涂布是在光刻胶涂布装置中完成的。在现有的光刻胶涂布装置中进行光刻胶旋涂时，所述晶圆被马达产生的动力带动并高速旋转，旋转产生的离心力将光刻胶涂覆在晶圆表面形成均匀的介质薄膜。然而，目前在涂布时，喷发的稀释剂(OK73)与光刻胶溶剂因离心力作用被从晶圆上甩出后撞击到所述光刻胶涂布装置的内壁上，其中，一部分稀释剂(OK73)与光刻胶溶剂的混本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻胶涂布装置，其特征在于，包括：腔底座、腔身、腔顶盖，所述腔底座、所述腔身以及所述腔顶盖构成涂布腔室；所述腔顶盖内壁包括涂布溅射区，且所述涂布溅射区的材料为亲水性润湿材料。

【技术特征摘要】
1.一种光刻胶涂布装置，其特征在于，包括：腔底座、腔身、腔顶盖，所述腔底座、所述腔身以及所述腔顶盖构成涂布腔室；所述腔顶盖内壁包括涂布溅射区，且所述涂布溅射区的材料为亲水性润湿材料。2.如权利要求1所述光刻胶涂布装置，其特征在于，位于所述涂布溅射区的所述腔顶盖内壁包括顶边与底边，所述顶边围成圆形，所述底边围成圆形，所述顶边直径小于所述底边直径，且所述顶边与所述底边的高度差为2mm-3mm。3.如权利要求2所述光刻胶涂布装置，其特征在于，由所述顶边至所述底边，沿高度方向上，所述腔顶盖内壁的直径逐渐增大，且所述腔顶盖内壁向外凸出。4.如权利要求1所述光刻胶涂布装置，其特征在于，所述亲水性润湿材料包括金属材料或高分子材料，所述金属材料或高分子材料的表面张力大小为40mN/m至75mN/m。5.如权利要求1所述光刻胶涂布装置，其特征在于，所述腔顶盖...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘庆超，徐丽芝，颜廷彪，黄志凯，叶日铨，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32