用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元制造技术

本发明专利技术涉及一种用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元。

Buffer Chamber Unit for Wafer Machining Equipment

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元
本专利技术涉及一种用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元。
技术介绍
晶圆加工设备用于对供制造半导体等的晶圆进行沉积、曝光、蚀刻、清洗等加工，这样的晶圆加工设备能够以下面提及的专利文献作为示例。在晶圆加工设备中，与缓冲腔室单元(bufferchamberunit)一起使用负载锁定腔室单元(loadlockchamberunit)、传送腔室单元(transferchamberunit)、处理腔室单元(processchamberunit)、设备前端单元(EFEMunit,Equipmentfrontendunit)等。所述设备前端单元安装有装载口(loadport)，通过装载口将晶圆投入至晶圆加工设备内，或者在完成工艺后回收晶圆并运至外部；所述负载锁定腔室单元使晶圆在所述设备前端单元与所述传送腔室单元之间通过；所述传送腔室单元则内置有机械臂等，用于将通过所述负载锁定腔室单元投入的晶圆投入所述处理腔室单元，或者，将完成工艺的晶圆重新通过所述负载锁定腔室单元返还给所述设备前端单元；所述处理腔室单元则对通过所述传送腔室单元投入的晶圆进行蚀刻工艺。所述缓冲腔室单元连接到所述设备前端单元，使得在所述负载锁定腔室单元与连接到所述设备前端单元的装载口之间往返的晶圆暂时停留，从而对该晶圆进行清除毒素等处理，并且在所述负载锁定腔室单元与所述设备前端单元之间起到例如缓冲的作用。然而，根据现有的用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元，因为需要对缓冲腔室单元进行例如清洗的修补、更换等作业，当将缓冲腔室单元从设备前端单元分离时，由于设备前端单元对外开放，因此需要停止晶圆加工设备本身，导致大幅降低工艺效率的问题。并且，对于现有的用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元，在对缓冲腔室单元完成例如清洗的修补及更换等作业后，当再次将缓冲腔室单元连接到设备前端单元时，为重新启动晶圆加工设备，需要进行例如对传送腔室单元内的机械臂等进行示教等的补正及验证作业，这也会降低工艺效率。而且，根据现有的用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元，在对晶圆加工设备的缓冲腔室单元进行补正、更换等作业后，将缓冲腔室单元重新连接到设备前端单元时，无法将缓冲腔室单元准确地重新结合至设备前端单元，并且，上述结合需要花费很长时间。并且，根据现有的用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元，当需要对投入缓冲腔室单元的晶圆进行加热时，存在无法对晶圆进行均匀加热的问题。而且，根据现有的用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元，用于排放包括从投入至缓冲腔室单元的晶圆去除的烟气(fume)，以及工艺中使用的脱气(outgas)等毒素在内的空气的排放口形成于缓冲腔室单元的背面，使得从传送腔室单元、设备前端单元等流入的空气中的湿气、毒素等异物将在经过投入至缓冲腔室单元的晶圆后通过排放口排放至外部，由此，上述异物附着至晶圆导致不良等问题。在先技术文献专利文献(专利文献1)授权技术第20-0125881号，授权日期：1998年6月30日，技术名称：半导体晶圆蚀刻装置。(专利文献2)公开技术第20-1997-0059843号，公开日期：1997年11月10日，技术名称：晶圆的蚀刻装置。
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本专利技术的目的在于提供一种用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元，无需中断晶圆加工设备的运行就能实现用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元的分离和再结合。本专利技术的另一目的在于提供一种用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元，当对用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元进行分离及再次结合时，无需对晶圆加工设备的构成要素进行例如示教等的为再次启动晶圆加工设备的补正及验证作业。本专利技术的又一目的在于提供一种用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元，能够迅速且正确地实现用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元的再次结合，并且，能够在加工设备的运行期间感应到随着时间的变化或变形。本专利技术的又一目的在于提供一种用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元，在需要对投入用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元的晶圆进行加热时，能对该晶圆进行均匀加热。本专利技术的又一目的在于提供一种用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元，使得用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元所排放的包含异物的空气不会经过投入至用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元的晶圆。解决问题的技术方案根据本专利技术的一侧面的用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元，其连接到晶圆加工设备而成为连接在设备前端单元的装载口与负载锁定腔室单元之间的缓冲，包括：单元壳体，其一面对所述晶圆加工设备的其它构成要素开放，从而供晶圆进出；晶圆容纳孔，其形成在所述单元壳体内，与所述单元壳体的开放的面连通，从而供所述晶圆进出，并容纳所述晶圆；门部件，开放或关闭所述单元壳体的开放的面，从而实现所述晶圆容纳孔对外部的开放或关闭；以及可拆卸腔室部件，可拆卸地安装在所述单元壳体，其内部形成有所述晶圆容纳孔；当在所述单元壳体连接到所述晶圆加工设备的状态下，所述门部件对所述晶圆加工设备与所述单元壳体之间进行关闭时，所述可拆卸腔室部件能够从所述单元壳体分离。专利技术的效果根据本专利技术的一侧面的用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元，通过采用门部件，当需要将用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元从所述设备前端单元进行分离时，所述门部件对所述设备前端单元与所述用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元之间进行隔离，不必中断晶圆加工设备的运行就能够实现用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元的分离及再结合，不必为了重新运行晶圆加工设备而进行例如针对晶圆加工设备的构成要素的示教作业等补正及验证作业也能实现用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元的分离及再结合。附图说明图1是概略显示应用本专利技术第一实施例的用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元的晶圆加工设备的附图。图2是显示本专利技术的第一实施例的用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元关闭时的立体图。图3是显示本专利技术的第一实施例的用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元打开时的立体图。图4是显示本专利技术的第一实施例的用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元分离时的截面图。图5是显示图4所示的用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元分离后为打开状态时的截面图。图6是显示根据本专利技术的第一实施例的用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元的分解立体图。图7是本专利技术的第一实施例的用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元的供放置可拆卸的腔室部件的单元壳体的部分的放大图。图8是本专利技术的第一实施例的用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元的可拆卸腔室部件的置于单元壳体的部分的放大图。图9是本专利技术的第一实施例的用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元的可拆卸腔室部件的分解立体图。图10是图9所示的A部分的放大图。图11是图10所示的内部供应管的截面图。图12是应用于本专利技术的第二实施例的用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元的可拆卸腔室部件的内部供应管的截面图。附图标记列表100：用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元110：单元壳体112：晶圆容纳孔120：门部件130：感应传感器部件具体实施方式下面结合附图对根据本专利技术的实施例的用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元进行说明。图1是概略显示应用本专利技术第一实施例的用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元的晶圆加工设备的附图，图2是显示本专利技术的第一实施例的用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元关闭时的立体图，图3是显示本专利技术的第一实施例的用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元打开时的立体图，图4是显示本专利技术的第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元，其连接到晶圆加工设备而成为连接在设备前端单元的装载口与负载锁定腔室单元之间的缓冲，其特征在于，包括：单元壳体，其一面对所述晶圆加工设备的其它构成要素开放，从而供晶圆进出；晶圆容纳孔，形成在所述单元壳体内，与所述单元壳体的开放的面连通，从而供所述晶圆进出，并容纳所述晶圆；门部件，开放或关闭所述单元壳体的开放的面，从而实现所述晶圆容纳孔对外部的开放或关闭；以及可拆卸腔室部件，可拆卸地安装在所述单元壳体上，并且，其内部形成有所述晶圆容纳孔；当在所述单元壳体连接到所述晶圆加工设备的状态下，所述门部件对所述晶圆加工设备与所述单元壳体之间进行关闭时，所述可拆卸腔室部件能够从所述单元壳体分离。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.12.30 KR 10-2016-01832991.一种用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元，其连接到晶圆加工设备而成为连接在设备前端单元的装载口与负载锁定腔室单元之间的缓冲，其特征在于，包括：单元壳体，其一面对所述晶圆加工设备的其它构成要素开放，从而供晶圆进出；晶圆容纳孔，形成在所述单元壳体内，与所述单元壳体的开放的面连通，从而供所述晶圆进出，并容纳所述晶圆；门部件，开放或关闭所述单元壳体的开放的面，从而实现所述晶圆容纳孔对外部的开放或关闭；以及可拆卸腔室部件，可拆卸地安装在所述单元壳体上，并且，其内部形成有所述晶圆容纳孔；当在所述单元壳体连接到所述晶圆加工设备的状态下，所述门部件对所述晶圆加工设备与所述单元壳体之间进行关闭时，所述可拆卸腔室部件能够从所述单元壳体分离。2.一种用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元，其连接到晶圆加工设备而成为连接在设备前端单元的装载口与负载锁定腔室单元之间的缓冲，其特征在于，包括：单元壳体，其一面对所述晶圆加工设备的其它构成要素开放，从而供晶圆进出；晶圆容纳孔，形成在所述单元壳体内，与所述单元壳体的开放的面连通，从而供所述晶圆进出，并容纳所述晶圆；门部件，开放或关闭所述单元壳体的开放的面，从而实现所述晶圆容纳孔对外部的开放或关闭；以及感应传感器部件，感应所述晶圆加工设备的所述其它构成要素与所述单元壳体是否按照所...

【专利技术属性】
技术研发人员：金台勋，
申请(专利权)人：SNW有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR