【技术实现步骤摘要】
一种高分子聚合物薄膜晶体管及其制备方法
本专利技术属于电子材料及器件与微细加工
，特别涉及一种高分子聚合物薄膜晶体管及其制备方法。
技术介绍
高分子聚合物薄膜晶体管由于其性能优秀、柔性、制备成本低、可喷墨打印和大面积生产等特点，在有源矩阵显示阵列以及大面积的消费类电子市场展现了广泛的应用前景。然而与传统的硅基晶体管相比，其电极与半导体接触处的非欧姆接触一直是严重阻碍高分子聚合物薄膜晶体管性能的主要问题，这大大限制了高分子聚合物薄膜晶体管的大规模商业化应用。为实现高分子聚合物半导体与金属电极的欧姆接触，需尽量减小高分子聚合物半导体的电子最高已占轨道的能级(HOMO)与金属电极材料的功函数差。然而对于常见的P型聚合物半导体而言，其HOMO能级通常要远大于5.1电子伏特，与最常用的高功函数材料金(5.1电子伏特)相比仍然相差甚远。因此，即使人们使用昂贵的金材料去制备晶体管源漏电极，也无法获得理想的晶体管电学性能。因此，迫切需要提出一种高效调节高分子聚合物薄膜晶体管源漏电极与半导体接触的方法。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供了一种高分子聚合物薄膜晶体管及其制备方法...
【技术保护点】
1.一种高分子聚合物薄膜晶体管的制备方法，该高分子聚合物薄晶体管为顶栅底接触结构，晶体管由上至下依次是栅极、介电层、半导体有源层，源漏电极及衬底，其特征在于，在高分子聚合物薄膜晶体管源漏电极制作完成后，通过掩膜版对准，在源漏电极上表面形成一层铜过渡层，然后对铜过渡层进行紫外臭氧清洗，使铜过渡层充分被氧化成氧化铜中间层(CuOx)，通过氧化铜中间层提高源漏电极的表面功函数，使半导体有源层与源漏电极间肖特基势垒降低，接触电阻减小，提高高分子聚合物薄膜晶体管的迁移率，降低高分子聚合物薄膜晶体管的接触电阻，亚阈值摆幅以及阈值电压的绝对值。
【技术特征摘要】
1.一种高分子聚合物薄膜晶体管的制备方法，该高分子聚合物薄晶体管为顶栅底接触结构，晶体管由上至下依次是栅极、介电层、半导体有源层，源漏电极及衬底，其特征在于，在高分子聚合物薄膜晶体管源漏电极制作完成后，通过掩膜版对准，在源漏电极上表面形成一层铜过渡层，然后对铜过渡层进行紫外臭氧清洗，使铜过渡层充分被氧化成氧化铜中间层(CuOx)，通过氧化铜中间层提高源漏电极的表面功函数，使半导体有源层与源漏电极间肖特基势垒降低，接触电阻减小，提高高分子聚合物薄膜晶体管的迁移率，降低高分子聚合物薄膜晶体管的接触电阻，亚阈值摆幅以及阈值电压的绝对值。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述由上至下依次是栅极、介电层、半导体有源层，源漏电极及衬底，具体包括：a）采用真空热蒸镀法或磁控溅射法在衬底上形成源漏电极；所述衬底为绝缘材料；...
【专利技术属性】
技术研发人员：李文武，黄凡铭，李梦姣，胡志高，褚君浩，
申请(专利权)人：华东师范大学，
类型：发明
国别省市：上海,31
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