一种有机半导体阵列晶体的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种有机半导体阵列晶体的制备方法，包括如下步骤：在基底上施加聚合物绝缘层；在施加有所述聚合物绝缘层的所述基底上进行光刻，从而获得带有阵列式排布的周期性图形的基底；将光刻后的所述基底进行反应离子刻蚀并去胶，从而获得强极性表面与弱极性表面周期性排布的模板；将预先配置的有机小分子半导体溶液施加在所述模板上；将施加有所述有机小分子半导体溶液的所述模板放置在刮涂工具下，并按照预设速度进行刮涂，从而获得有机半导体阵列晶体。本发明专利技术采用了一种极性表面限制结晶的方法在交联的聚合物绝缘层上成功制备了单一结晶取向的有机小分子单晶阵列。

【技术实现步骤摘要】
一种有机半导体阵列晶体的制备方法
本专利技术涉及半导体材料制备领域，尤其涉及一种有机半导体阵列晶体的制备方法。
技术介绍
近年来，有机小分子半导体材料由于其适用于低成本的器件加工技术，材料来源丰富，可以满足柔性、可穿戴等新器件性能，同时能够与现有的半导体工业相兼容，因此被广泛应用于有机发光二极管、有机太阳能电池、光电探测器和有机场效应晶体管等领域。有机单晶材料通常晶体尺寸较小，载流子传输具有各向异性，晶体内分子排布长程有序，因此具有高的结晶质量，无缺陷的有机单晶材料是进一步提高有机场效应晶体管器件性能的最佳选择。而阵列薄膜更加有利于器件的集成，为有机小分子半导体集成器件的大规模制备奠定了基础。制备有机单晶阵列薄膜的基底有硬质基底和软质基底。其中，在硬质基底上制备获得的器件性能已经保持在较高的水平，然而，在软质基底上制备获得的器件性能较低。虽然已有部分报道在聚合物绝缘层上生长有机晶体并应用于柔性器件中，然而由于缺少在聚合物绝缘层上控制晶体成核、结晶生长过程的方法，从而限制了高性能柔性场效应晶体管的发展。
技术实现思路
本专利技术的一个目的要解决现有技术中无法在聚合物绝缘层上控制晶体成核、结本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机半导体阵列晶体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在基底上施加聚合物绝缘层；在施加有所述聚合物绝缘层的所述基底上进行光刻，从而获得带有阵列式排布的周期性图形的基底；将光刻后的所述基底进行反应离子刻蚀并去胶，从而获得强极性表面与弱极性表面周期性排布的模板；将预先配置的有机小分子半导体溶液施加在所述模板上；将施加有所述有机小分子半导体溶液的所述模板放置在刮涂工具下，并按照预设速度进行刮涂，从而获得有机半导体阵列晶体。

【技术特征摘要】
1.一种有机半导体阵列晶体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在基底上施加聚合物绝缘层；在施加有所述聚合物绝缘层的所述基底上进行光刻，从而获得带有阵列式排布的周期性图形的基底；将光刻后的所述基底进行反应离子刻蚀并去胶，从而获得强极性表面与弱极性表面周期性排布的模板；将预先配置的有机小分子半导体溶液施加在所述模板上；将施加有所述有机小分子半导体溶液的所述模板放置在刮涂工具下，并按照预设速度进行刮涂，从而获得有机半导体阵列晶体。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述基底上施加聚合物绝缘层，包括如下步骤：将聚合物绝缘层的前驱体溶液以预设速度施加在所述基底上；将施加有所述前驱体溶液的基底在100-200℃下烘烤0.5-3h，从而在所述基底上交联所述聚合物绝缘层。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述聚合物绝缘层的材料为聚乙烯苯酚。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述聚合物绝缘层的前驱体溶液为聚乙烯苯酚、交联剂和溶剂的混合溶液；所述交联剂为甲基化聚(三聚氰胺-co-甲醛)或六甲氧基甲基三聚氰胺，所述溶剂...

【专利技术属性】
技术研发人员：揭建胜，张秀娟，赵万芹，邓巍，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32