【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管和阵列基板
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种薄膜晶体管、阵列基板及显示面板。
技术介绍
随着高分辨率显示技术的发展，近年来，提出了以氧化铟镓锌(InGaZnOx，IGZO)代替硅半导体膜形成薄膜晶体管的沟道层的方案，被称为IGZO-TFT技术。由于IGZO具有比非晶硅高的迁移率，且能够通过更简便的工艺形成，因此，得到了越来越多的应用。请参见图1，图1是一种现有的IGZO-TFT技术的阵列基板的结构示意图。如图1所示，所述阵列基板100包括：一衬底基板110，设置于所述衬底基板110上的栅极120，覆盖所述栅极120的栅极绝缘层130，设置于所述栅极绝缘层130上的IGZO膜层140，设置于所述IGZO膜层140上的源极电极151和漏极电极152，覆盖所述源极电极151及所述漏极电极152的第一钝化层160，设置于所述第一钝化层160上的色阻层170，设置于所述色阻层170上的第二钝化层180，以及，设置在所述第二钝化层180上的像素电极190。在图1所示的阵列基板100中，由于需要排除氢离子-H的影响，所述栅极绝缘层130一般由氧化硅制成。然而，...
【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，包括至少一层使一栅极与一半导体有源层绝缘的栅极绝缘层，其特征在于，所述栅极绝缘层包括：一第一栅极绝缘层，以及设置于所述第一栅极绝缘层上的一第二栅极绝缘层；其中，所述第一栅极绝缘层由折射率在1.45～1.75范围内的有机聚合物制成，所述栅极绝缘层的厚度小于等于700nm，并且，所述第一栅极绝缘层的厚度为80～200nm。
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括至少一层使一栅极与一半导体有源层绝缘的栅极绝缘层，其特征在于，所述栅极绝缘层包括：一第一栅极绝缘层，以及设置于所述第一栅极绝缘层上的一第二栅极绝缘层；其中，所述第一栅极绝缘层由折射率在1.45～1.75范围内的有机聚合物制成，所述栅极绝缘层的厚度小于等于700nm，并且，所述第一栅极绝缘层的厚度为80～200nm。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括设置于所述半导体有源层上的源极电极和漏极电极。3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层还包括一第三栅极绝缘层，其中，所述第三栅极绝缘层设置于所述第一栅极绝缘层与所述第二栅极绝缘层之间；或者，所述第三栅极绝缘层设置于所述第一栅极绝缘层背离所述第二栅极绝缘层的表面上。4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第三绝缘层的材料为氮氧化硅。5.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈黎暄，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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