【技术实现步骤摘要】
堆叠式图像传感器及其形成方法
本申请涉及半导体制造领域，具体来说，涉及一种堆叠式图像传感器及其形成方法。
技术介绍
图像传感器是一种将光学图像转换成电信号的器件。随着计算机和通信产业的发展，对高性能图像传感器的需求不断增长，这些高性能图像传感器广泛用于诸如数字照相机、摄像录像机、个人通信系统(PCS)、游戏机、安防摄像机、医用微型照相机之类的各种领域。随着CMOS工艺的不断推进和发展，晶体管数量越来越多，导致互连尺寸越来越小，采用3D集成的芯片堆叠技术，将有助于大大减小布线长度、缩短信号延迟，降低功耗，同时又可以缩小芯片尺寸，从而提高器件的系统性能。目前，晶圆级铜-铜键合可实现晶圆之间的互连，但是仍需要在形成有图像传感器的晶圆表面留出焊盘的位置，与外部电路绑定，所述焊盘占用图像传感器的像素区域面积，阻碍图像传感器的分辨率的提高。硅通孔(ThroughSiliconVia，TSV)可以将不同层的多个二维芯片进行垂直导通互连。与传统的二维芯片封装绑定技术不同，TSV通过晶片的垂直堆叠能够使芯片的封装密度更大，外形尺寸更小，并且大大提高芯片工作频率和降低互连线功耗。虽然...
【技术保护点】
1.一种堆叠式图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆中形成有图像传感器；提供第二晶圆，所述第二晶圆的第一面与所述第一晶圆的第二面键合，且所述第二晶圆中形成有图像信号处理电路以及第二金属互连结构；在所述第二晶圆的第二面形成金属布线层，所述金属布线层通过所述第二晶圆内的通孔连接结构与所述第二金属互连结构电连接。
【技术特征摘要】
1.一种堆叠式图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆中形成有图像传感器；提供第二晶圆，所述第二晶圆的第一面与所述第一晶圆的第二面键合，且所述第二晶圆中形成有图像信号处理电路以及第二金属互连结构；在所述第二晶圆的第二面形成金属布线层，所述金属布线层通过所述第二晶圆内的通孔连接结构与所述第二金属互连结构电连接。2.如权利要求1所述的堆叠式图像传感器的形成方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述金属布线层上形成焊接凸点；焊接所述焊接凸点至集成电路板。3.如权利要求1所述的堆叠式图像传感器的形成方法，其特征在于，所述图像传感器形成于所述第一晶圆的第一面。4.如权利要求1所述的堆叠式图像传感器的形成方法，其特征在于，在所述第二晶圆内形成通孔连接结构的方法包括：减薄所述第二晶圆的第二面；在所述第二晶圆的第二面刻蚀所述第二晶圆至暴露所述第二金属互连结构的局部，在所述第二晶圆内形成通孔；在所述通孔内填充导电材料形成通孔连接结构。5.如权利要求1所述的堆叠式图像传感器的形成方法，其特征在于，在所述第二晶圆的第二面形成金属布线层的方法包括：在所述第二晶圆的第二面表面形成第四绝缘层；刻蚀所述第四绝缘层形成开口，所述开口暴露所述通孔连接结构的端部；在所述第四绝缘层表面以及所述开口内形成第三金属层；刻蚀所述第三金属层，形成与所述通孔连接结构电连接的所述金属布线层。6.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员：高俊九，李志伟，黄仁德，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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