发光装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种发光装置及其制造方法，该发光装置包括第一发光元件、第二发光元件、反射围栏及显色层。第一发光元件发出一波峰不大于500nm的第一光线。第二发光元件发出一波峰不大于500nm的第二光线。反射围栏位于第一发光元件与第二发光元件之间，并环绕第一发光元件与第二发光元件。显色层包括第一区域及第二区域。第一区域覆盖第一发光元件并允许第一光线直接通过，且第二区域覆盖第二发光元件并将第二光线转换成一波峰大于500nm的第三光线。

Luminescent Device and Its Manufacturing Method

【技术实现步骤摘要】
发光装置及其制造方法
本专利技术涉及一种发光装置及其制造方法，且特别是涉及一种具有多个发光元件的发光装置及其制造方法。
技术介绍
传统的发光装置包括一金属支架、一发光二极管管芯、封胶及一反射杯。发光二极管管芯及反射杯配置在金属支架上，其中发光二极管管芯位于反射杯内，再以封胶覆盖发光二极管。然而，此种发光装置通常只发出单一种波长或单一颜色的光，此限制了发光装置的应用。
技术实现思路
因此，本专利技术提出一种发光装置及其制造方法，可改善前述现有问题。根据本专利技术的一实施例，提出一种发光装置。发光装置包括一第一发光元件、一第二发光元件、一反射围栏及一显色层。第一发光元件，用以发出一波峰不大于500纳米(nm)的第一光线。第二发光元件用以发出一波峰不大于500nm的第二光线。反射围栏位于第一发光元件与第二发光元件之间，并环绕第一发光元件与第二发光元件。显色层包括一第一区域及一第二区域。第一区域覆盖第一发光元件，并允许第一光线直接通过，且第二区域覆盖第二发光元件，并将第二光线转换成一波峰大于500nm的第三光线。根据本专利技术的另一实施例，提出一种发光装置的制造方法。制造方法包括以下步骤。设置一第一发光元件及一第二发光元件在一第一暂时载板上，其中第一发光元件用以发出一波峰不大于500nm的第一光线，一第二发光元件用以发出一波峰不大于500nm的第二光线；形成一反射围栏于第一发光元件与第二发光元件之间，其中反射围栏环绕第一发光元件与第二发光元件；以及，粘贴一显色层于第一发光元件及第二发光元件上，其中显色层包括一第一区域及一第二区域，第一区域覆盖第一发光元件并允许第一光线直接通过，且第二区域覆盖第二发光元件，并将第二光线转换成一波峰大于500nm的第三光线。为了对本专利技术的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合所附的附图详细说明如下：附图说明图1A为本专利技术一实施例的发光装置的俯视图；图1B为图1A的发光装置沿方向1B-1B’的剖视图；图2A为本专利技术另一实施例的发光装置的俯视图；图2B为图2A的发光装置沿方向2B-2B’的剖视图；图3A1～图3G2为图1B的发光装置的制造过程图；图4A及图4B为图2B的发光装置的制作工艺过程图；图5A为本专利技术另一实施例所揭露的发光装置的俯视图；图5B为图5A的发光装置沿方向A-A1的剖视图；图5C为图5A的发光装置沿方向B-B1的剖视图；图5D为图5A的发光装置的后视图；图6A～图6I为图5A的发光装置的制造过程图；图7A为本专利技术一实施例所揭露的发光模块的俯视图；图7B为图7A的发光模块沿方向A-A1的剖视图。符号说明10：第一暂时载板10u、541a、541b：上表面20：第二暂时载板100、200、500：发光装置100a：发光区110、520a：第一发光元件111：承载基板111a、112a：外表面112：发光叠层140b：下表面112、526a：第一电极113、526b：第二电极110u、120u、130u：顶面120、520b：第二发光元件130、520c：第三发光元件140、560：反射围栏150、250：显色层150R1：第一区域150R2：第二区域150R3：第三区域151：透明材料152、544a：第一波长转换材料153、544b：第二波长转换材料160：粘合层251：光吸收区251a：网格520d：第四发光元件526c：第三电极526d：第四电极540a：第一波长转换层540b：第二波长转换层542a、542b：接着剂561：顶表面562：上部分563：底表面564：下部分565：侧表面612：暂时性基板614：粘胶层640a’、640a”：第一波长转换层材料640b’、640b”：第二波长转换层材料642a’：部分的第一波长转换层材料660’：反射覆盖物660a：反射围栏下部660b：反射围栏上部662：反射围栏的移除部分700：发光模块720：光学元件740：承载板742：绝缘层744：电路层C1：切割道L1：第一光线L21：第二光线L22：第三光线L31：第四光线L32：第五光线T1～T6：厚度W1、W2：宽度具体实施方式请参照图1A及图1B，图1A绘示依照本专利技术一实施例的发光装置100的俯视图，而图1B绘示图1A的发光装置100沿方向1B-1B’的剖视图。发光装置100包括第一发光元件110、第二发光元件120、第三发光元件130、反射围栏140、显色层150及粘合层160。在一实施例中，第一发光元件110、第二发光元件120与第三发光元件130为可发出相同波长或颜色的光线。例如，第一发光元件110、第二发光元件120与第三发光元件130可发出波峰不大于500纳米(nm)的光线，例如：蓝光。蓝光的主波长(dominantwavelength)或峰值波长(peakwavelength)大致介于430纳米(nm)～490nm之间。在另一实施例中，第一发光元件110、第二发光元件120与第三发光元件130发出的光线不限于蓝光，也可为具有其它波长范围的色光，例如：紫光或紫外光。紫光的主波长(dominantwavelength)或峰值波长(peakwavelength)大致介于400nm至430nm之间。紫外光的峰值波长(peakwavelength)大致介于315nm至400nm之间。在另一实施例中，第一发光元件110、第二发光元件120与第三发光元件130可以是分别发出相异波长或颜色的光线。在一实施例中，第一发光元件110发出蓝光的光线，第二发光元件120及第三发光元件130发出紫外光的光线。此外，在一实施例中，第一发光元件110、第二发光元件120及第三发光元件130例如是发光二极管管芯。如图1B所示，第一发光元件110包括承载基板111、发光叠层112、第一电极113及第二电极114。承载基板111具有一外表面111a(也称第一外表面)，且发光叠层112具有一外表面112a(也称第二外表面)。在一实施例中，承载基板111为成长基板(growthsubstrate)，例如可以是蓝宝石(sapphire)基板，作为发光叠层112外延成长时的基板。在另一实施例中，承载基板111并非成长基板，在制造第一发光元件110的制作工艺中成长基板被移除或置换为其他基板(例如，不同材料、不同结构、或不同形状的基板)。虽然图未绘示，然而发光叠层112包括数层半导体外延层。例如，发光叠层112依序包含第一型半导体层、发光层及第二型半导体层，其中发光层设于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一型半导体层例如是N型半导体层，而第二型半导体层则为P型半导体层；或是，第一型半导体层是P型半导体层，而第二型半导体层则为N型半导体层。在一实施例中，第一电极113及第二电极114位于第一发光元件110的同一侧，作为第一发光元件110与外界电连接的介面。第一电极113及第二电极114形成于发光叠层112下方，使第一发光元件110成为倒装(flip-chip)。第二发光元件120及第三发光元件130具有或同于第一发光元件110的结构，于此不再赘述。如图1B所示，反射围栏140直接接触第一发光元件110、第二发光元件120与第三发光元件130的侧面，因此反射围栏140与此些发光元件的侧面之间本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光装置，其特征在于，包括：第一发光元件，用以发出一波峰不大于500纳米(nm)的第一光线；第二发光元件，用以发出一波峰不大于500nm的第二光线；反射围栏，位于该第一发光元件与该第二发光元件之间，并环绕该第一发光元件与该第二发光元件；以及显色层，包括第一区域及第二区域；其中，该第一区域覆盖该第一发光元件，并允许该第一光线直接通过，且该第二区域覆盖该第二发光元件，并将该第二光线转换成一波峰大于500nm的第三光线。

【技术特征摘要】
2018.02.01 TW 107103645;2018.11.06 TW 1071393771.一种发光装置，其特征在于，包括：第一发光元件，用以发出一波峰不大于500纳米(nm)的第一光线；第二发光元件，用以发出一波峰不大于500nm的第二光线；反射围栏，位于该第一发光元件与该第二发光元件之间，并环绕该第一发光元件与该第二发光元件；以及显色层，包括第一区域及第二区域；其中，该第一区域覆盖该第一发光元件，并允许该第一光线直接通过，且该第二区域覆盖该第二发光元件，并将该第二光线转换成一波峰大于500nm的第三光线。2.如权利要求1所述的发光装置，其中该第一区域包含透明材料，但不包含波长转换材料。3.如权利要求1所述的发光装置，其中该第二区域包含透明材料及波长转换材料，该第二光线完全被该波长转换材料转换。4.如权利要求1所述的发光装置，其中该显色层还包括第三区域，该发光装置还包括：第三发光元件，用以发出一波峰不大于500nm的第四光线；其中，该第三区域覆盖该第三发光元件，并将该第四光线转换成一波峰大于500nm的第五光线，该第五光线的波长与该第三光线的波长相异。5.如权利要求1所述的发光装置，其中该显色层还包括：光吸收区，位于该第一区域与该第二区域之间。6.如权利要求1所述的发光装置，还包括：黏合层，位于该显色层与该第一发光元件及该第二发光元件之间，以将该显色层黏合在该第一发光元件及该第二发光元件上...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑景太，陈效义，任益华，胡玮珊，蓝培轩，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71