一种功率器件及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种功率器件及其制作方法，包括：提供第一导电类型的衬底；在所述衬底上表面生长第一导电类型的第一外延层；形成从所述第一外延层上表面延伸至所述第一外延层中的第一沟槽；在所述第一沟槽的侧壁形成第一介质层；在所述第一沟槽底部形成第二介质层，在所述第二介质层上表面形成第三介质层；在所述第三介质层上表面中部形成外延本征层；在所述外延本征层两侧分别形成贯穿所述第三介质层并延伸至所述第二介质层的第二沟槽；在所述第一沟槽内和所述第二沟槽内填充多晶硅层；在所述第一外延层和所述多晶硅层上表面形成源极结构；在所述衬底的下表面形成与所述衬底连接的漏极，从而提高了器件性能和可靠性。

A Power Device and Its Fabrication Method

【技术实现步骤摘要】
一种功率器件及其制作方法
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种功率器件及其制作方法。
技术介绍
VDMOS(verticaldouble-diffusedMOSFET，即沟槽型垂直双扩散场效应晶体管)的漏源两极分别在器件的两侧，使电流在器件内部垂直流通，增加了电流密度，改善了额定电流，单位面积的导通电阻也较小，是一种用途非常广泛的功率器件。目前，VDMOS的发展方向是：降低开关速度和开关损耗、减小芯片面积、降低导通电阻、提高器件耐压。其中，VDMOS需要在沟槽内通过热氧化形成二氧化硅绝缘层，然后填充导电多晶硅层形成栅极。沟槽底部的氧化层需要承受很高的电压，为了保证器件正常工作，沟槽底部的氧化层耐压能力非常关键。
技术实现思路
本专利技术正是基于上述问题，提出了一种功率器件及其制作方法，从而提高了器件性能和可靠性。有鉴于此，本专利技术实施例一方面提出了一种功率器件的制作方法，该方法包括：提供第一导电类型的衬底；在所述衬底上表面生长第一导电类型的第一外延层；形成从所述第一外延层上表面延伸至所述第一外延层中的第一沟槽；在所述第一沟槽的侧壁形成第一介质层；在所述第一沟槽底部形成第二介质层，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率器件的制作方法，其包括：提供第一导电类型的衬底；在所述衬底上表面生长第一导电类型的第一外延层；形成从所述第一外延层上表面延伸至所述第一外延层中的第一沟槽；在所述第一沟槽的侧壁形成第一介质层；在所述第一沟槽底部形成第二介质层，在所述第二介质层上表面形成第三介质层；在所述第三介质层上表面中部形成外延本征层；在所述外延本征层两侧分别形成贯穿所述第三介质层并延伸至所述第二介质层的第二沟槽；在所述第一沟槽内和所述第二沟槽内填充多晶硅层；在所述第一外延层和所述多晶硅层上表面形成源极结构；在所述衬底的下表面形成与所述衬底连接的漏极。

【技术特征摘要】
1.一种功率器件的制作方法，其包括：提供第一导电类型的衬底；在所述衬底上表面生长第一导电类型的第一外延层；形成从所述第一外延层上表面延伸至所述第一外延层中的第一沟槽；在所述第一沟槽的侧壁形成第一介质层；在所述第一沟槽底部形成第二介质层，在所述第二介质层上表面形成第三介质层；在所述第三介质层上表面中部形成外延本征层；在所述外延本征层两侧分别形成贯穿所述第三介质层并延伸至所述第二介质层的第二沟槽；在所述第一沟槽内和所述第二沟槽内填充多晶硅层；在所述第一外延层和所述多晶硅层上表面形成源极结构；在所述衬底的下表面形成与所述衬底连接的漏极。2.根据权利要求1所述的一种功率器件的制作方法，其特征在于，所述第二介质层底部与所述第一外延层连接。3.根据权利要求1所述的一种功率器件的制作方法，其特征在于，所述外延本征层的厚度大于所述第二介质层的厚度。4.根据权利要求1所述的一种功率器件的制作方法，其特征在于，所述第二介质层的厚度大于所述第三介质层的厚度。5.根据权利要求1所述的一种功率器件的制作方法，其特征在于，所述第三介质层的厚度大于所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：福州麦辽自动化设备有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35