【技术实现步骤摘要】
用于控制晶闸管或双向可控硅的电路和负载控制电路
本公开一般地涉及电子电路，并且更具体地涉及晶闸管或双向可控硅控制电路。
技术介绍
晶闸管或双向可控硅型功率开关的控制需要从其栅极提取或注入电流。该电流的产生可能需要使用特定电路来产生与上游电路电流隔离的电流，该上游电路在不同电压下操作或利用不同电位参考操作。当开关控制AC负载或连接到AC电压的端子时，在功率应用中尤其如此。目前的解决方案基于光隔离器或电流隔离变压器的使用。
技术实现思路
实施例克服了已知电流隔离控制电路的全部或部分劣势。实施例的目的在于提供了避免使用隔离变压器或光隔离器的解决方案。实施例针对避免使用隔离电源的解决方案。根据一个方面，实施例提供了一种用于控制晶闸管或双向可控硅的电路，包括：第一电容性元件，与第一二极管串联连接，在第一端子与第二端子之间，第二端子旨在耦合到晶闸管或双向可控硅的栅极；第二电容性元件，在第二端子与第三端子之间，旨在连接到晶闸管或双向可控硅的在栅极侧的导电端子；以及第二二极管，在第三端子与第一电容性元件和第一二极管的连接节点之间。根据实施例，第一二极管的阴极在第二端子侧。根据实施例，第二...
【技术保护点】
1.一种用于控制晶闸管或双向可控硅的电路，其特征在于，包括：第一电容性元件，在第一端子和第二端子之间与第一二极管串联连接，连接节点形成在所述第一电容性元件和所述第一二极管的互连处，所述第二端子被配置为耦合到所述晶闸管或双向可控硅的栅极；第二电容性元件，耦合在所述第二端子和第三端子之间，所述第三端子被配置为连接到所述晶闸管或双向可控硅的栅极侧的所述晶闸管或双向可控硅的第一传导端子；以及第二二极管，耦合在所述第一电容性元件和所述第一二极管的所述连接节点与所述第三端子之间。
【技术特征摘要】
2017.10.16 FR 17596831.一种用于控制晶闸管或双向可控硅的电路，其特征在于，包括：第一电容性元件，在第一端子和第二端子之间与第一二极管串联连接，连接节点形成在所述第一电容性元件和所述第一二极管的互连处，所述第二端子被配置为耦合到所述晶闸管或双向可控硅的栅极；第二电容性元件，耦合在所述第二端子和第三端子之间，所述第三端子被配置为连接到所述晶闸管或双向可控硅的栅极侧的所述晶闸管或双向可控硅的第一传导端子；以及第二二极管，耦合在所述第一电容性元件和所述第一二极管的所述连接节点与所述第三端子之间。2.根据权利要求1所述的用于控制晶闸管或双向可控硅的电路，其特征在于，其中所述第一二极管的阴极耦合到所述第二端子。3.根据权利要求1所述的用于控制晶闸管或双向可控硅的电路，其特征在于，其中所述第二二极管的阳极耦合到所述第三端子。4.根据权利要求1所述的用于控制晶闸管或双向可控硅的电路，其特征在于，进一步包括第三电容性元件，其具有连接到所述第三端子的第一电极。5.根据权利要求1所述的用于控制晶闸管或双向可控硅的电路，其特征在于，进一步包括插入在所述第二端子和节点之间的电阻性元件，所述节点被配置为耦合到所述晶闸管或双向可控硅的所述栅极。6.根据权利要求4所述的用于控制晶闸管或双向可控硅的电路，其特征在于，其中所述晶闸管或双向可控硅包括所述第一传导端子和第二传导端子，所述第二传导端子被配置为接收具有振幅和频率的AC电压，所述电路进一步包括放大器，所述放大器耦合到所述第一端子并且被配置为在所述第一端子上提供脉冲串，所述脉冲串具有小于所述AC电压的所述振幅的振幅并且具有大于所述AC电压的所述频率的频率。7.根据权利要求6所述的用于控制晶闸管或双向可控硅的电路，其特征在于，进一步包括耦合到所述放大器的振荡器和微控制器中的一个。8.根据权利要求6所述的用于控制晶闸管...
【专利技术属性】
技术研发人员：G·贝纳布德拉兹，C·雷蒙，
申请(专利权)人：意法半导体图尔公司，
类型：新型
国别省市：法国,FR
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