复合开关晶闸管电路制造技术

本发明专利技术复合开关晶闸管电路属于电学领域，是一种适合于复合开关中应用的复合开关晶闸管电路，其包括与机械开关并联的一晶闸管、第一电阻、一单向导通器件、第一电容、第一半导体开关、第一稳压器件，所述第一电阻、所述单向导通器件、所述第一电容串联而成第一串联电路，所述第一串联电路的一端与所述晶闸管的第一端连接，所述第一串联电路的另一端与所述晶闸管的第三端连接，所述第一电容通过所述第一半导体开关、所述晶闸管的第二端、所述第一端形成放电回路，所述第一电容与所述第一稳压器件并联或所述第一电容与所述单向导通器件串联而成的串联电路与所述第一稳压器件并联，本发明专利技术具有性价比高、接通涌流小、可靠性高的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术复合开关晶闸管电路属于电学领域，特别是一种适合于复合开关中应用的复合开关晶闸管电路。
技术介绍
目前在电力系统中，使用复合开关替代传统电容接触器对电力电容进行投切的场合越来越多，根据无涌流接通的触发工作原理可以分为以下两种晶闸管电路：1.变压器触发的晶闸管电路：其包括晶闸管、脉冲信号发生电路、变压器驱动电路、变压器、整流电路，脉冲信号发生电路产生的脉冲信号，提供给变压器驱动电路驱动变压器，再由变压器输出到整流电路，整流后提供给晶闸管触发信号。其存在占用空间大、高频污染、脉冲占空比造成的过零触发盲区涌流较大、性价比低的缺点。2.高压电子开关触发的晶闸管电路：其包括晶闸管、高压电子开关、电阻，晶闸管与机械开关并联，晶闸管导通触发信号由晶闸管的主回路通过电阻、高压电子开关(如MOC3083等高压光电耦合器)到晶闸管的触发极，高压电子开关承受较高电压，并且大部分工况需要多个串联使用，存在可靠性差、性价比低的缺点，同时由于高压电子开关回路的电压降大，过零触发盲区大，一般晶闸管主回路两端电压差较高才能可靠触发，存在接通涌流较大的缺点。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对现有复合开关晶闸管电路的不足之处而提供一种无需变压器、无需高压电子开关、性价比高、接通涌流小、可靠性高且方便在复合开关中使用的晶闸管电路。实现本专利技术的目的是通过以下技术方案来达到的：一种复合开关晶闸管电路，其包括与机械开关并联的一晶闸管、第一电阻、一单向导通器件、第一电容、第一半导体开关、第一稳压器件，所述第一电阻、所述单向导通器件、所述第一电容串联而成第一串联电路，所述第一串联电路的一端与所述晶闸管的第一端连接，所述第一串联电路的另一端与所述晶闸管的第三端连接，所述第一电容通过所述第一半导体开关、所述晶闸管的第二端、所述第一端形成放电回路，所述第一电容与所述第一稳压器件并联或所述第一电容与所述单向导通器件串联而成的串联电路与所述第一稳压器件并联。一种复合开关晶闸管电路，所述第一电容通过所述第一半导体开关与所述第二端、所述第一端并联。一种复合开关晶闸管电路，通过所述第一电阻的电流小于触发所述晶闸管导通所需的最小触发电流。一种复合开关晶闸管电路，所述第一稳压器件为一稳压二极管，所述单向导通器件为一二极管。一种复合开关晶闸管电路，所述第一半导体开关为一三极管、一光电耦合器或一光电耦合器驱动晶体管电路。一种复合开关晶闸管电路，还包括第二电阻，所述第二电阻串联在所述放电回路中。一种复合开关晶闸管电路，所述晶闸管为双向晶闸管，所述第一端为所述双向晶闸管的第一阳极，所述第二端为所述双向晶闸管的触发极，所述第三端为所述双向晶闸管的第二阳极。一种复合开关晶闸管电路，所述第一电阻与所述单向导通器件连接，所述第二阳极的电源通过所述第一电阻、所述单向导通器件对所述第一电容负向充电，所述第一电容的负向充电端通过所述第一半导体开关与所述触发极连接，所述第一电容的另一端与所述第一阳极连接。一种复合开关晶闸管电路，所述第一电容的负向充电端与所述单向导通器件的阳极连接，所述第一电容的另一端通过所述第一电阻与所述第二阳极连接，所述单向导通器件的阴极与所述双向晶闸管的第一阳极连接，所述第一电容的负向充电端与所述触发极连接，所述第一电容与所述单向导通器件串联而成的串联电路与所述第一半导体开关并联。一种复合开关晶闸管电路，所述晶闸管为单向晶闸管，所述第一端为所述单向晶闸管的阴极，所述第二端为所述单向晶闸管的触发极，所述第三端为所述单向晶闸管的阳极。一种复合开关晶闸管电路，所述单向晶闸管的阳极的电源通过所述第一电阻、所述单向导通器件对所述第一电容正向充电，所述第一电容的正向充电端通过所述第一半导体开关与所述触发极连接，所述第一电容的另一端与所述单向晶闸管的阴极连接。一种复合开关晶闸管电路，所述第一电容的正向充电端与所述单向导通器件的阴极连接，所述第一电容的另一端与所述第一电阻的一端连接，所述第一电阻的另一端与所述单向晶闸管的阳极连接，所述单向导通器件的阳极与所述单向晶闸管的阴极连接，所述第一电容的正向充电端与所述触发极连接，所述第一电容与所述单向导通器件串联而成的串联电路与所述第一半导体开关并联。一种复合开关晶闸管电路，还包括第三电阻、第二电容、第二稳压器件，所述第三电阻、所述第二电容、所述第二稳压器件串联而成第二串联电路，所述第二串联电路的两端分别与所述第一端、所述第三端连接，所述第二电容、所述第三电阻、所述第二端、所述第一端与至少一半导体开关串联而成一串联电路，所述第一端与所述第二稳压器件的一端连接，所述第二电容、所述第三电阻串联而成的串联电路与所述半导体开关连接的共同端与所述第二稳压器件另一端连接。一种复合开关晶闸管电路，所述半导体开关耐压值小于所述晶闸管主回路的额定工作电压。一种复合开关晶闸管电路，所述半导体开关为一三极管、一光电耦合器或一光电耦合器驱动晶体管电路或为所述第一半导体开关。本专利技术设计合理，在机械开关分断状态下，利用晶闸管的主回路两端的电压通过电阻、单向导通器件对电容充电，然后在需要机械开关接通时，电容的放电电荷通过第一半导体开关触发晶闸管导通，达到对负载电容无涌流接通的目的，由于晶闸管导通与复合开关机械开关闭合的时间差一般在几十毫秒内，所需电容的容量可以很小，具有无需变压器触发、无需高压电子开关、性价比高、接通涌流小、可靠性高的优点。附图说明图1是本专利技术复合开关晶闸管电路的实施例一电路原理图。图2是本专利技术复合开关晶闸管电路的实施例二电路原理图。图3是本专利技术复合开关晶闸管电路的实施例三电路原理图。图4是本专利技术复合开关晶闸管电路的实施例四电路原理图。图5是一光电耦合器驱动晶体管电路图。具体实施方式本专利技术复合开关晶闸管电路的实施例一，如图1所示：一种复合开关晶闸管电路，其包括与机械开关K1并联的双向晶闸管TR1(晶闸管)、第一电阻R1、单向导通器件D1(一二极管)、第一电容C1、第一半导体开关Q1(一三极管)、第一稳压器件Z1(一稳压二极管)、第二电阻R2，第一电阻R1、单向导通器件D1、第一电容C1串联而成第一串联电路，第一串联电路的两端分别与双向晶闸管TR1的第一阳极(晶闸管的第一端)、双向晶闸管TR1的第二阳极(晶闸管的第三端)连接，第一电容C1通过第二电阻R2、第一半导体开关Q1、双向晶闸管TR1的触发极、双向晶闸管TR1的第一阳极形成放电回路，第一电容C1与第一稳本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种复合开关晶闸管电路，其特征是：其包括与机械开关并联的一晶闸管、第一电阻、一单向导通器件、第一电容、第一半导体开关、第一稳压器件，所述第一电阻、所述单向导通器件、所述第一电容串联而成第一串联电路，所述第一串联电路的一端与所述晶闸管的第一端连接，所述第一串联电路的另一端与所述晶闸管的第三端连接，所述第一电容通过所述第一半导体开关、所述晶闸管的第二端、所述第一端形成放电回路，所述第一电容与所述第一稳压器件并联或所述第一电容与所述单向导通器件串联而成的串联电路与所述第一稳压器件并联。

【技术特征摘要】
2015.02.27 CN 2015100954048;2015.10.21 CN 201510711.一种复合开关晶闸管电路，其特征是：其包括与机械开关并联的一晶闸管、第一电阻、一
单向导通器件、第一电容、第一半导体开关、第一稳压器件，所述第一电阻、所述单向导通
器件、所述第一电容串联而成第一串联电路，所述第一串联电路的一端与所述晶闸管的第一
端连接，所述第一串联电路的另一端与所述晶闸管的第三端连接，所述第一电容通过所述第
一半导体开关、所述晶闸管的第二端、所述第一端形成放电回路，所述第一电容与所述第一
稳压器件并联或所述第一电容与所述单向导通器件串联而成的串联电路与所述第一稳压器件
并联。
2.根据权利要求1所述的复合开关晶闸管电路，其特征是：所述第一电容通过所述第一半导
体开关与所述第二端、所述第一端并联。
3.根据权利要求1所述的复合开关晶闸管电路，其特征是：通过所述第一电阻的电流小于触
发所述晶闸管导通所需的最小触发电流。
4.根据权利要求1所述的复合开关晶闸管电路，其特征是：所述第一稳压器件为一稳压二极
管，所述单向导通器件为一二极管。
5.根据权利要求1所述的复合开关晶闸管电路，其特征是：所述第一半导体开关为一三极管、
一光电耦合器或一光电耦合器驱动晶体管电路。
6.根据权利要求5所述的复合开关晶闸管电路，其特征是：还包括第二电阻，所述第二电阻
串联在所述放电回路中。
7.根据权利要求1所述的复合开关晶闸管电路，其特征是：所述晶闸管为双向晶闸管，所述
第一端为所述双向晶闸管的第一阳极，所述第二端为所述双向晶闸管的触发极，所述第三端
为所述双向晶闸管的第二阳极。
8.根据权利要求7所述的复合开关晶闸管电路，其特征是：所述第一电阻与所述单向导通器
件连接，所述第二阳极的电源通过所述第一电阻、所述单向导通器件对所述第一电容负向充
电，所述第一电容的负向充电端通过所述第一半导体开关与所述触发极连接，所述第一电容
的另一端与所述第一阳极连接。
9.根据权利要求7所述的复合开关晶闸管电路，其特征是：所述第一电容的负向充电端与所
...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭桥石，
申请(专利权)人：广州市金矢电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44