【技术实现步骤摘要】
直流灭弧电路及装置
本专利技术涉及一种直流灭弧电路及装置特别是一种适合于对机械开关等机械触点快速灭弧的直流灭弧电路及装置,也可以用于其它断点(如熔断体的熔断、插头与插座之间的断点、导线断点)的灭弧。
技术介绍
目前在新能源汽车、轨道交通、舰船等直流电控系统中,普遍使用接触器(继电器)等机械开关对负载进行接通和分断控制,由于直流电没有零点,其分断电弧大,存在机械开关成本高(高压接触器)、电寿命短的缺点,机械开关的分断电压越大,其电寿命将大幅度降低,如图1所示,为某品牌高压接触器的分断电压(即断弧电压)对应电寿命曲线图。
技术实现思路
本专利技术的目的在于解决现有直流电控系统中机械开关的电寿命短的问题,提供一种灭弧效果好、降低机械开关分断电压(断弧电压)、灭弧速度快的直流灭弧电路及装置。实现本专利技术的目的是通过以下技术方案来达到的:一种直流灭弧电路,所需灭弧的机械开关与负载串联,包括功率半导体器件、一电容,所述功率半导体器件与所述电容连接,所述机械开关分断过程中,所述功率半导体器件在所述机械开关的两端电位差大于5伏特导通;一电流通过所述功率半导体器件、所述负载,用于所述 ...
【技术保护点】
1.一种直流灭弧电路,所需灭弧的机械开关与负载串联,其特征是:包括功率半导体器件、一电容,所述功率半导体器件与所述电容连接,所述机械开关分断过程中,所述功率半导体器件在所述机械开关的两端电位差大于5伏特导通;一电流通过所述功率半导体器件、所述负载,用于所述机械开关分断灭弧,所述电流为所述电容的充电电流或放电电流。
【技术特征摘要】
2017.07.24 CN 2017106080431;2017.09.15 CN 201710831.一种直流灭弧电路,所需灭弧的机械开关与负载串联,其特征是:包括功率半导体器件、一电容,所述功率半导体器件与所述电容连接,所述机械开关分断过程中,所述功率半导体器件在所述机械开关的两端电位差大于5伏特导通;一电流通过所述功率半导体器件、所述负载,用于所述机械开关分断灭弧,所述电流为所述电容的充电电流或放电电流。2.根据权利要求1所述的直流灭弧电路,其特征是:所述机械开关分断过程中,所述功率半导体器件在所述机械开关的两端电位差大于5伏特且小于或等于20伏特区间导通;或大于20伏特小于所述机械开关的工作电压区间导通。3.根据权利要求1所述的直流灭弧电路,其特征是:所述功率半导体器件在所述机械开关燃弧后导通。4.根据权利要求1所述的直流灭弧电路,其特征是:所述机械开关分断过程中,所述功率半导体器件在所述机械开关的触点间开距的击穿电压大于所述机械开关的工作电压时导通。5.一种包括权利要求1至4任一项直流灭弧电路的直流灭弧装置,其特征是:所述功率半导体器件为半控型器件,所述半控型器件的触发极与所述半控型器件的阳极或第二阳极连接,形成一电压检测开关,所述功率半导体器件与所述电容组成第一串联电路,所述第一串联电路与所述机械开关并联。6.根据权利要求5所述的直流灭弧装置,其特征是:还包括第一半导体器件,所述第一半导体器件开启电压大于3伏特,所述半控型器件的触发极通过所述第一半导体器件与所述阳极或所述第二阳极连接。7.根据权利要求6所述的直流灭弧装置,其特征是:所述第一半导体器件为稳压二极管,或为瞬态二极管,或为触发二极管,或为压敏电阻。8.根据权利要求7所述的直流灭弧装置,其特征是:还包括第二二极管,所述第二二极管、所述第一半导体器件、所述半控型器件的触发极串联。9.根据权利要求5所述的直流灭弧装置,其特征是:所述电压检测开关的检测端、所述电压检测开关的输出端之间非绝缘隔离。10.根据权利要求5所述的直流灭弧装置,其特征是:所述电压检测开关为一延时半导体开关。11.根据权利要求5所述的直流灭弧装置,其特征是:所述电压检测开关为二端电路。12.根据权利要求5所述的直流灭弧装置,其特征是:还包括一用于对所述电容放电的放电单元,所述放电单元与所述半控型器件并联。13.根据权利要求12所述的直流灭弧装置,其特征是:所述放电单元由第一二极管组成,或由第一限流元件组成,或由第一二极管与第一限流元件串联组成。14.根据权利要求5所述的直流灭弧装置,其特征是:采用绝缘材料封装为一器件。15.根据权利要求5所述的直流灭弧装置,其特征是:与一用于对所述电容放电的放电单元采用绝缘材料封装为一器件。16.一种包括权利要求1至4任一项所述的直流灭弧电路的直流灭弧装置,其特征是:还包括一控制单元,所述控制单元与所述功率半导体器件连接。17.根据权利要求16所述的直流灭弧电路的直流灭弧装置,其特征是:所述控制单元、所述功率半导体器件组成一电压检测开关,所述机械开关与所述负载的连接端的电压信号传递至所述控制单元;所述电容与所述功率半导体器件组成第一串联电路,所述第一串联电路与所述机械开关并联。18.根据权利要求17所述的直流灭弧装置,其特征是:所述机械开关分断过程中,所述控制单元检测到所述机械开关的触点断开,延时控制所述功率半导体器件导通,所述延时大于100微秒。19.根据权利要求17所述的直流灭弧装置,其特征是:所述控制单元对所述电压信号进行A/D采集。20.根据权利要求19所述的直流灭弧装置,其特征是:还包括用于对所述电容放电的放电单元,所述放电单元与所述功率半导体器件并联,所述电容通过所述机械开关、所述放电单元放电,所述电压信号为所述负载的电压。21.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员:郭桥石,
申请(专利权)人:广州市金矢电子有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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