一种开关管的驱动电路制造技术

技术编号:21813134 阅读:49 留言:0更新日期:2019-08-07 17:14
本实用新型专利技术公开了一种开关管的驱动电路,包括钳位网络以及碳化硅开关管驱动电路,所述钳位网络由TVS管D1、驱动开关管Q1以及二极管D2组成,TVS管D1并联在开关管Q1基极与源极端,二极管D2串联在钳位网络中。本实用新型专利技术利用TVS管二极管的巧妙组合,来调节驱动开关管的基地电压,确保驱动开关管的基极电压保持在可靠工作的范围之内。

A Driving Circuit of Switch Tube

【技术实现步骤摘要】
一种开关管的驱动电路
本技术涉及电子产品领域,具体涉及一种开关管的驱动电路。
技术介绍
随着碳化硅开关管的逐渐批量使用,碳化硅开关管的驱动也逐渐受到关注。碳化硅开关管的开通电压高、开通电压范围窄,驱动的实现有一定的技术难度,尤其是低成本的、可靠的碳化硅开关管驱动方法具有很大的技术价值。目前,业内驱动开关管的基极电压范围是20V,而碳化硅驱动电压是20V-25V,这样就超出了驱动开关管基极电压的上限值。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种开关管的驱动电路,通过调节D1、D2的巧妙组合,来钳位Q1基极-源极的电压,用很少的器件解决了Q1基极电压过高的问题。本技术是通过以下技术方案来实现的:一种开关管的驱动电路,包括钳位网络以及碳化硅开关管驱动电路,所述钳位网络由TVS管D1、驱动开关管Q1以及二极管D2组成,TVS管D1并联在开关管Q1基极与源极端,二极管D2串联在钳位网络中。作为优选的技术方案,所述二极管D2串联在开关管Q1的漏极。作为优选的技术方案,所述二极管D2串联在开关管Q1的源极。作为优选的技术方案,所述碳化硅开关管驱动电路包括碳化硅开关管Q2、驱动电阻R1和R2。本技术的有益效果是:本技术利用TVS管二极管的巧妙组合,来调节驱动开关管的基地电压,确保驱动开关管的基极电压保持在可靠工作的范围之内。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为实施例1的电路图;图2为实施例2的电路图。具体实施方式本说明书中公开的所有特征,或公开的所有方法或过程中的步骤,除了互相排斥的特征和/或步骤以外,均可以以任何方式组合。本说明书(包括任何附加权利要求、摘要和附图)中公开的任一特征,除非特别叙述,均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换。即,除非特别叙述,每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。实施例1如图1所示,钳位网络由TVS管D1、驱动开关管Q1以及二极管D2组成,TVS管D1并联在开关管Q1基极与源极端,二极管D2串联在钳位网络中,二极管D2串联在开关管Q1的漏极,碳化硅开关管驱动电路包括碳化硅开关管Q2、驱动电阻R1和R2。通过调节D1、D2的巧妙组合,来钳位Q1基极-源极的电压。用很少的器件解决了Q1基极电压过高的问题。实施例2如图2所示,二极管D2串联在开关管Q1的源极,具有等同的效果。其它结构与实施例1相同。本技术的有益效果是:本技术利用TVS管二极管的巧妙组合,来调节驱动开关管的基地电压,确保驱动开关管的基极电压保持在可靠工作的范围之内。以上所述,仅为本技术的具体实施方式,但本技术的保护范围并不局限于此,任何不经过创造性劳动想到的变化或替换,都应涵盖在本技术的保护范围之内。因此,本技术的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种开关管的驱动电路,其特征在于:包括钳位网络以及碳化硅开关管驱动电路,所述钳位网络由TVS管D1、驱动开关管Q1以及二极管D2组成,TVS管D1并联在开关管Q1基极与源极端,二极管D2串联在钳位网络中。

【技术特征摘要】
1.一种开关管的驱动电路,其特征在于:包括钳位网络以及碳化硅开关管驱动电路,所述钳位网络由TVS管D1、驱动开关管Q1以及二极管D2组成,TVS管D1并联在开关管Q1基极与源极端,二极管D2串联在钳位网络中。2.如权利要求1所述的开关管的驱动电路,其特...

【专利技术属性】
技术研发人员:吕华军柳树渡
申请(专利权)人:深圳英飞源技术有限公司
类型:新型
国别省市:广东,44

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