【技术实现步骤摘要】
晶圆的切割方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种晶圆的切割方法。
技术介绍
随着微电子技术的发展，对于半导体元器件的要求也越来越高，不但体积要有所缩小，在精度上也要不断提高。因此，对于半导体精加工工艺也要不断完善，特别是在切割的工序中，例如，要减少切割时对于半导体边缘崩裂的风险，使得废料减少。这就要求切割刀片要越来越薄，对刀片的刚性和硬度的要求也越来越高。目前，为了能使单位晶圆上能获得更多的半导体元器件，高密度的晶圆不断的被开发出来。因此作业条件越来越严格，由于晶圆底部的材料硬度很高，用一般的刀片很难切割，必须要考虑用金刚石刀片。而采用金刚石刀片切割时刀片会摇摆、震荡，从而产生内应力巨大，而造成了变形，刀片的使用寿命不高。而且，现有的切割工序中，往往采用一次性穿透切割，容易造成半导体晶圆的边缘发生崩裂，产品的良品率降低。因此，亟待提供一种优化的晶圆切割方法以克服以上缺陷。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种优化的晶圆切割方法，以减少晶圆在切割时产生的变形、提高半导体良品率并提高切割刀片的使用寿命。为实现上述目的，本专利技术的晶圆的切割方法，包括：提供具有相对第一表面和第二表面的晶圆；所述晶圆的所述第二表面上贴附保护胶；在所述第一表面的预定位置上向所述第二表面的方向进行第一次切割形成第一槽体，切割深度小于所述晶圆的整体深度；以及所述第一表面的预定位置上向所述第二表面的方向进行第一次切割形成第一槽体，切割深度小于所述晶圆的整体深度。与传统的一次穿透性切割相比，本专利技术通过从晶圆的不同表面进行二次切割，可以避免半导体晶圆的切割边缘发生崩裂，提高良...
【技术保护点】
1.一种晶圆的切割方法，其特征在于包括：提供具有相对第一表面和第二表面的晶圆；所述晶圆的所述第二表面上贴附保护胶；在所述第一表面的预定位置上向所述第二表面的方向进行第一次切割形成第一槽体，切割深度小于所述晶圆的整体深度；所述第一表面的预定位置上向所述第二表面的方向进行第一次切割形成第一槽体，切割深度小于所述晶圆的整体深度。
【技术特征摘要】
1.一种晶圆的切割方法，其特征在于包括：提供具有相对第一表面和第二表面的晶圆；所述晶圆的所述第二表面上贴附保护胶；在所述第一表面的预定位置上向所述第二表面的方向进行第一次切割形成第一槽体，切割深度小于所述晶圆的整体深度；所述第一表面的预定位置上向所述第二表面的方向进行第一次切割形成第一槽体，...
【专利技术属性】
技术研发人员：金志民，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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