平坦化方法技术

提供平坦化方法，能够避免SiC锭的剥离面的过量磨削从而缩短磨削时间。平坦化方法包含如下的工序：磨削工序，将SiC锭(2)的与剥离面(58)相反的一侧保持于可旋转的卡盘工作台(62)，使具有呈环状配设的多个磨削磨具(74)的磨轮(72)进行旋转而对保持于卡盘工作台(62)的SiC锭(2)的剥离面(58)进行磨削；以及平坦度检测工序，向从磨轮(72)露出的SiC锭(2)的剥离面(58)照射光并对反射光进行检测，从而检测平坦的程度。在通过平坦度检测工序检测为SiC锭(2)的剥离面(58)平坦时，结束磨削工序。

Flattening method

【技术实现步骤摘要】
平坦化方法
本专利技术涉及使剥离了待生成的晶片后的SiC锭的剥离面平坦化的平坦化方法。
技术介绍
IC、LSI、LED等器件是在以Si(硅)、Al2O3(蓝宝石)等为原材料的晶片的正面上层叠功能层并被交叉的多条分割预定线划分而形成的。另外，功率器件、LED等是在以SiC(碳化硅)为原材料的晶片的正面上层叠功能层并被交叉的多条分割预定线划分而形成的。形成有器件的晶片被切削装置、激光加工装置沿着分割预定线实施加工而分割成各个器件芯片，分割而成的各器件芯片被应用于移动电话、个人计算机等电子设备中。形成有多个器件的晶片通常是通过利用线切割机将圆柱形状的锭较薄地切断而生成的。切断而得的晶片的正面和背面通过研磨而被精加工成镜面(例如，参照专利文献1)。但是，如果利用线切割机将锭切断并对切断而得的晶片的正面和背面进行研磨，则锭的大部分(70％～80％)会被丢弃，从而存在不经济的问题。特别是在SiC锭的情况下，由于硬度较高而很难利用线切割机切断，需要相当长的时间，因此生产性较差，并且由于锭的单价较高，所以在高效地生成晶片的方面存在课题。因此，本申请人提出了如下的技术：将对于SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于SiC锭的内部，向SiC锭照射激光光线而在切断预定面上形成剥离层，沿着形成有剥离层的切断预定面将晶片从SiC锭剥离(例如参照专利文献2)。专利文献1：日本特开2000-94221号公报专利文献2：日本特开2016-111143号公报另外，在将晶片从剥离层剥离之后，由于锭的剥离面粗糙，所以利用具有呈环状配设的多个磨削磨具的磨轮进行磨削而使锭的剥离面变得平坦，但由于难以进行对平坦的检测而导致剥离面被过量地磨削，因此存在生产效率较差的问题。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于，提供能够避免SiC锭的剥离面的过量磨削从而缩短磨削时间的平坦化方法。根据本专利技术，提供平坦化方法，将对于SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于从SiC锭的端面起的与待生成的晶片对应的深度并向SiC锭照射激光光线，形成使SiC分离成Si和C并且在c面各向同性地产生了裂纹的剥离层，在利用该剥离层将晶片从SiC锭剥离之后，对SiC锭的剥离面进行平坦化，其中，该平坦化方法包含如下的工序：磨削工序，将SiC锭的与该剥离面相反的一侧保持于可旋转的卡盘工作台，使具有呈环状配设的多个磨削磨具的磨轮进行旋转而对保持于该卡盘工作台的SiC锭的该剥离面进行磨削；以及平坦度检测工序，向从该磨轮露出的SiC锭的该剥离面照射光并对反射光进行检测，从而检测平坦的程度，在通过该平坦度检测工序检测为SiC锭的该剥离面平坦时，结束该磨削工序。优选为，在该平坦度检测工序中，相对于剥离面以入射角θ照射光，以反射角θ接收反射光，在受光量超过阈值时，检测为剥离面平坦。优选为，在该平坦度检测工序中，在从c面与端面之间形成有偏离角α的SiC锭的剥离层剥离了待生成的晶片的情况下，与剥离面垂直地从发光元件照射光，在与该发光元件所成的角度为2α的位置处接收反射光，在受光量低于阈值时，检测为剥离面平坦。根据本专利技术，在通过平坦度检测工序检测为SiC锭的剥离面平坦时，结束磨削工序，因此能够避免SiC锭的剥离面的过量磨削从而缩短磨削时间。附图说明图1的(a)是SiC锭的主视图，(b)是SiC锭的俯视图。图2的(a)是SiC锭和衬底的立体图，(b)是示出在SiC锭安装有衬底的状态的立体图。图3是示出将SiC锭载置于激光加工装置的卡盘工作台的状态的立体图。图4的(a)是示出实施剥离层形成工序的状态的立体图，(b)是示出实施剥离层形成工序的状态的主视图。图5的(a)是形成有剥离层的SiC锭的俯视图，(b)是(a)的B-B线剖视图。图6是剥离装置的剖视图。图7是示出利用剥离装置从锭剥离了晶片的状态的立体图。图8的(a)是示出与磨削工序一同实施平坦度检测工序的状态的立体图，(b)是示出SiC锭的剥离面被平坦化后的状态的立体图。图9的(a)是示出相对于剥离面以入射角θ照射光，以反射角θ接收反射光的状态的示意图，(b)是示出(a)的情况下的受光量的随着时间变化的曲线。图10的(a)是示出与剥离面垂直地照射光并在从照射位置起的角度为2α的位置接收反射光的状态的示意图，(b)是示出(a)的情况下的受光量的随着时间变化的曲线。标号说明2：SiC锭；4：第一端面；6：第二端面；26：裂纹；28：剥离层；56：晶片；58：SiC锭的剥离面；62：磨削装置的卡盘工作台；72：磨轮；74：磨削磨具；LB：脉冲激光光线；FP：聚光点。具体实施方式以下，一边参照附图，一边对本专利技术的平坦化方法的实施方式进行说明。在图1中示出了可实施本专利技术的平坦化方法的SiC锭2。SiC锭2整体上由六方晶单晶SiC形成为圆柱形状，其具有圆形状的第一端面4、与第一端面4相反的一侧的圆形状的第二端面6、位于第一端面4与第二端面6之间的周面8、从第一端面4到第二端面6的c轴(＜0001＞方向)以及与c轴垂直的c面({0001}面)。在SiC锭2中，c轴相对于第一端面4的垂线10倾斜，在c面与第一端面4之间形成有偏离角α(例如α＝1、3、6度)。在图1中由箭头A示出形成有偏离角α的方向。另外，在SiC锭2的周面8形成有示出晶体方位的矩形状的第一定向平面12和第二定向平面14。第一定向平面12与形成有偏离角α的方向A平行，第二定向平面14与形成有偏离角α的方向A垂直。如图1的(b)所示，从上方观察时，第二定向平面14的长度L2比第一定向平面12的长度L1短(L2＜L1)。另外，可实施本专利技术的平坦化方法的SiC锭不限定于上述SiC锭2，也可以是c轴不与第一端面的垂线倾斜而使c面与第一端面的偏离角α为0度的(即，第一端面的垂线与c轴一致)SiC锭。因为本专利技术的平坦化方法是如下的平坦化方法：在从SiC锭的端面起的与待生成的晶片对应的深度形成使SiC分离成Si(硅)和C(碳)并且在c面各向同性地产生了裂纹的剥离层，然后对剥离了待生成的晶片后的SiC锭的剥离面进行平坦化，因此在对本专利技术的平坦化方法进行说明之前，对在SiC锭2中形成剥离层并将待生成的晶片剥离的情况进行说明。在本实施方式中，首先，如图2所示，将圆板状的衬底16借助适当的粘接剂安装于SiC锭2的第二端面6。将衬底16安装于SiC锭2是为了通过后述的各装置的圆形的吸附卡盘以规定的吸引力对形成有第一定向平面12和第二定向平面14的SiC锭2进行吸引保持。因为衬底16的直径稍大于后述的各装置的吸附卡盘的直径，所以在使衬底16朝下而将SiC锭2载置于吸附卡盘时，吸附卡盘会被衬底16覆盖，因此能够通过吸附卡盘以规定的吸引力对形成有第一定向平面12和第二定向平面14的SiC锭2进行吸引保持。另外，在SiC锭2的直径大于吸附卡盘而使得在SiC锭2载置于吸附卡盘时吸附卡盘的上表面全部被SiC锭2覆盖的情况下，由于在吸附卡盘进行吸引时不会从吸附卡盘的露出部分吸入空气，能够通过吸附卡盘以规定的吸引力吸附SiC锭2，因此也可以不将衬底16安装于SiC锭2。在将衬底16安装于SiC锭2之后，将对于SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于从SiC锭2的端面起的与待生成的晶片对应的深度并向SiC锭2照射激光光线，形本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种平坦化方法，将对于SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于从SiC锭的端面起的与待生成的晶片对应的深度并向SiC锭照射激光光线，形成使SiC分离成Si和C并且在c面各向同性地产生了裂纹的剥离层，在利用该剥离层将晶片从SiC锭剥离之后，对SiC锭的剥离面进行平坦化，其中，该平坦化方法包含如下的工序：磨削工序，将SiC锭的与该剥离面相反的一侧保持于可旋转的卡盘工作台，使具有呈环状配设的多个磨削磨具的磨轮进行旋转而对保持于该卡盘工作台的SiC锭的该剥离面进行磨削；以及平坦度检测工序，向从该磨轮露出的SiC锭的该剥离面照射光并对反射光进行检测，从而检测平坦的程度，在通过该平坦度检测工序检测为SiC锭的该剥离面平坦时，结束该磨削工序。

【技术特征摘要】
2018.01.16 JP 2018-0050461.一种平坦化方法，将对于SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于从SiC锭的端面起的与待生成的晶片对应的深度并向SiC锭照射激光光线，形成使SiC分离成Si和C并且在c面各向同性地产生了裂纹的剥离层，在利用该剥离层将晶片从SiC锭剥离之后，对SiC锭的剥离面进行平坦化，其中，该平坦化方法包含如下的工序：磨削工序，将SiC锭的与该剥离面相反的一侧保持于可旋转的卡盘工作台，使具有呈环状配设的多个磨削磨具的磨轮进行旋转而对保持于该卡盘工作台的SiC锭的该剥离面进行磨削；以及平坦度...

【专利技术属性】
技术研发人员：平田和也，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP