半导体长形条及其加工方法技术

本发明专利技术的半导体长形条的加工方法，包括以下步骤：提供半导体长形条；在所述半导体长形条上的预定表面上镀保护膜；在所述保护膜上覆盖感光胶片；采用具有沟槽形状的屏蔽罩覆盖在预定表面上进行曝光及离子刻蚀；以及移除所述感光胶片。本发明专利技术能减少长形条在切割过程中发生的弯曲及变形，从而最终提高半导体产品的性能。

Semiconductor Strip and Its Processing Method

【技术实现步骤摘要】
半导体长形条及其加工方法
本专利技术涉及半导体加工方法，尤其涉及一种半导体长形条及其加工方法。
技术介绍
半导体长形条在半导体加工行业中是位于晶圆和半导体之间的过度部分。首先晶圆会被切割成多个长形条，继而长形条被切割成多个独立的半导体单元。在实际加工工序中，半导体长形条常因为本身应力的影响会弯曲，而这种弯曲的状况通常会影响正常的半导体最终端产品的形成，从而影响半导体的性能。因此亟待提供一种改进的半导体长形条的加工方法以克服以上缺陷。
技术实现思路
本专利技术的一个目的在于提供一种半导体长形条的加工方法，其能减少长形条在切割过程中发生的弯曲及变形，从而最终提高半导体产品的性能。本专利技术的另一目的在于提供一种半导体长形条，其能减少长形条在切割过程中发生的弯曲及变形，从而最终提高半导体产品的性能。为实现上述目的，本专利技术的半导体长形条的加工方法，包括以下步骤：提供半导体长形条；在所述半导体长形条上的预定表面上镀保护膜；在所述保护膜上覆盖感光胶片；采用具有沟槽形状的屏蔽罩覆盖在预定表面上进行曝光及离子刻蚀；以及移除所述感光胶片。与现有技术相比，通过加工方法在半导体长形条的切割部位形成凹槽，在半导体长形条的后续切割步骤中，藉由刀片在凹槽位置上走刀，从而将其切割成多个独立的半导体单元。由于凹槽的形成，使得长形条在切割过程中的应力减少，避免自身发生弯曲或变形，而不会导致半导体产品的形状发生偏转或扭曲而最终影响其性能。较佳地，所述保护膜为DLC膜或硅膜。较佳地，所述DLC膜的厚度为25±6A，所述硅膜的厚度为12±4A。较佳地，所述保护的镀膜角度为45度。较佳地，所述曝光采用的能量束为50±10毫瓦/cm2，时间为20±5s。较佳地，所述离子刻蚀的刻蚀角度为45度，刻蚀深度为1.0000±7％μm。较佳地，在镀上所述保护膜之后、覆盖所述感光胶片之前，还包括将所述半导体长形条粘接在陶瓷片上。较佳地，在移除所述感光胶片之后，还包括将所述半导体长形条从所述陶瓷片上移下。相应地，本专利技术的半导体长形条，包括由多个半导体单元形成的长形条本体以及形成在所述长形条本体的预定表面上的至少一凹槽，所述凹槽位于两所述半导体单元之间的切割位置。较佳地，所述预定表面包括空气承载面以及与所述空气承载面相对的底面。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术的半导体长形条及其加工方法作进一步说明，但不因此限制本专利技术。本专利技术的半导体长形条包括但不限于例如磁盘驱动器领域的磁头长形条。在一个实施例中，半导体长形条由多个半导体单元组成，通过加工切割成独立的半导体单元。具体地，在长形条本体的预定表面上形成至少一凹槽，该凹槽位于两个相邻半导体单元之间的切割位置，即，该凹槽为切割工具的走刀位置。通过事先在长形条的切割表面上形成凹槽，可减少切割过程中对半导体长形条本身的应力，从而减少长形条的弯曲和变形。该预定表面可包括空气承载面及与空气承载面相对的底面。下面对该半导体长形条的加工方法进行描述。本专利技术的半导体长形条的加工方法的一个实施例包括以下步骤：提供半导体长形条；在所述半导体长形条上的预定表面上镀保护膜；在所述保护膜上覆盖感光胶片；采用具有沟槽形状的屏蔽罩覆盖在预定表面上进行曝光及离子刻蚀；以及移除所述感光胶片。具体地，提供一个具有多个半导体长形条的晶圆，通过机械加工将晶圆切割成多个独立的长形条。接着，在长形条的预定表面上镀膜，该膜可为DLC膜和/或硅膜。较佳地，硅膜的厚度为12±4A，DLC膜的厚度为25±6A。具体地，镀膜的角度为45度。将镀有保护膜的长形条粘接在陶瓷片上，以便于进行后续的加工。具体地，在保护膜上覆盖感光胶片，例如厚度为20μm的干菲林。继而，采用具有沟槽形状的屏蔽罩覆盖在预定表面上进行曝光，该屏蔽罩为金属屏蔽罩。曝光采用的能量束为50±10毫瓦/cm2，时间为20±5s。曝光后对长形条进行离子刻蚀操作，在长形条的预定表面上形成凹槽。较佳地，离子刻蚀的刻蚀角度为45度，刻蚀深度为1.0000±7％μm。离子刻蚀后，将感光胶片移除并将粘接到陶瓷片上的半导体长形条取下。此时，对凹槽深度进行测量，若深度不够，则重复曝光和离子刻蚀操作。至此，具有凹槽的半导体长形条形成。在半导体长形条的后续切割步骤中，藉由刀片在凹槽位置上走刀，从而将其切割成多个独立的半导体单元。由于凹槽的形成，使得长形条在切割过程中的应力减少，避免自身发生弯曲或变形，而不会导致半导体产品的形状发生偏转或扭曲而最终影响其性能。以上所揭露的仅为本专利技术的较佳实施例而已，当然不能以此来限定本专利技术之权利范围，因此依本专利技术申请专利范围所作的等同变化，仍属本专利技术所涵盖的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体长形条的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体长形条；在所述半导体长形条上的预定表面上镀保护膜；在所述保护膜上覆盖感光胶片；采用具有沟槽形状的屏蔽罩覆盖在预定表面上进行曝光及离子刻蚀；以及移除所述感光胶片。

【技术特征摘要】
1.一种半导体长形条的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体长形条；在所述半导体长形条上的预定表面上镀保护膜；在所述保护膜上覆盖感光胶片；采用具有沟槽形状的屏蔽罩覆盖在预定表面上进行曝光及离子刻蚀；以及移除所述感光胶片。2.如权利要求1所述的半导体长形条的加工方法，其特征在于：所述保护膜为DLC膜或硅膜。3.如权利要求2所述的半导体长形条的加工方法，其特征在于：所述DLC膜的厚度为25±6A，所述硅膜的厚度为12±4A。4.如权利要求1所述的半导体长形条的加工方法，其特征在于：所述保护的镀膜角度为45度。5.如权利要求1所述的半导体长形条的加工方法，其特征在于：所述曝光采用的能量束为50±10毫瓦/cm2，时间为20±5s。6.如权利要求1所述的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭振新，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44