【技术实现步骤摘要】
一种仅需要正电压偏置的SOICMOS射频开关电路结构
本专利技术涉及射频开关
，特别地是一种仅需要正电压偏置的SOICMOS射频开关电路结构。
技术介绍
随着移动通信的不断发展，现代智能手机和平板电脑通常都集成了使用不同频带(从FM无线电到LTE)的多项无线服务。同时，为了提高敏感性和避免串音，多天线设计越来越流行。这两种趋势使微型射频固态开关在智能移动设备的射频前端设计中扮演越来越重要的角色。SOICMOS工艺由于具有高速、可靠、可高度集成和低电压工作等重要特点，近年来已经成为用于实现射频开关最主流的工艺技术。基于SOICMOS工艺实现的射频开关为了提高耐压能力通常采用层叠晶体管技术，现有的单刀X掷SOICMOS射频开关常用电路结构如图1所示。根据应用场合的不同，X可以取不同的值，例如单刀双掷、单刀八掷和单刀十四掷开关等。每个开关支路由串联的层叠晶体管通路和并联的层叠晶体管通路组成。N代表层叠的晶体管个数，根据需要承载的输入功率的要求，N可以取不同的整数值，例如N＝2,6,12等。如图2所示，每个层叠晶体管链由N个开关晶体管(M1，M2,…,MN)组成。每...
【技术保护点】
1.一种仅需要正电压偏置的SOICMOS射频开关电路结构，其特征在于：包括单刀X掷开关和多个开关支路；其X可以取不同的正整数值；所述开关支路主要由N个串联的层叠晶体管链和N个并联的层叠晶体管链组成；每个层叠晶体管链主要由N个开关晶体管(M1，M2,…,MN)和两个辅助晶体管(M11和M22)组成，其N可以取不同的正整数值；每个开关晶体管的漏端和源端分别并联连接一个电阻(RDS1，RDS2,…,RDSN)；每个辅助晶体管的漏端和源端分别并联连接一个电容(CDS11，CDS22)；每个开关晶体管的栅极分别串联连接电阻(RG1，RG2,…,RGN)和每个辅助晶体管的栅极分别串联连...
【技术特征摘要】
1.一种仅需要正电压偏置的SOICMOS射频开关电路结构，其特征在于：包括单刀X掷开关和多个开关支路；其X可以取不同的正整数值；所述开关支路主要由N个串联的层叠晶体管链和N个并联的层叠晶体管链组成；每个层叠晶体管链主要由N个开关晶体管(M1，M2,…,MN)和两个辅助晶体管(M11和M22)组成，其N可以取不同的正整数值；每个开关晶体管的漏端和源端分别并联连接一个电阻(RDS1，RDS2,…,RDSN)；每个辅助晶体管的漏端和源端分别并联连接一个电容(CDS11，CDS22)；每个开关晶体管的栅极分别串联连接电阻(RG1，RG2,…,RGN)和每个辅助晶体管的栅极分别串联连接电阻(RG11，RG22)后再连接到公共的控制信号VG处；末端的开关晶体管(MN)的源端连接电阻RS后再连接到公共的控制信号VS处。2.根据权利要求1所述的一种仅需要正电压偏置的SOICMOS射频开关电路结构，其特征在于：所述控制信号VG和VS在同一时刻保持其中一个为正电压高电平，另外一个为0V。3.根据权利要求2所述的一种仅需要正电...
【专利技术属性】
技术研发人员：张志浩，章国豪，钟立平，蓝焕青，黄国宏，唐浩，
申请(专利权)人：河源广工大协同创新研究院，
类型：发明
国别省市：广东,44
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