一种同组份砷化镓多晶大合成量工艺装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及半导体材料制备技术领域，尤其为一种同组份砷化镓多晶大合成量工艺装置，包括加热炉、加热室和合成仓以及控制箱体，所述加热炉的内部设有加热室，所述加热炉的基面固定安装有控制箱体，所述加热室的内部设有合成仓，所述合成仓的内壁底部固定安装有固定卡座，所述固定卡座的顶部左侧从前至后依次设有温度传感器和压力传感器，整体装置由充入保护气体和压力传感器便于压力平衡，避免多晶合成时仓内压力的失衡，抽真空时合成仓与密封塞的密封，起到很高的密封作用，实现同组份的高纯砷和高纯镓的合成反应，实现大合成量，大幅提高生产效率，结构简单方便使用，且稳定性和实用性较高，具有一定的推广价值。

A Process Device for Large Quantity Synthesis of Gallium Arsenide Polycrystals with Same Component

【技术实现步骤摘要】
一种同组份砷化镓多晶大合成量工艺装置
本技术涉及半导体材料制备
，具体为一种同组份砷化镓多晶大合成量工艺装置。
技术介绍
砷化镓是继Ge、Si之后的第二代半导体材料。目前工业上应用最为广泛的是水平梯度凝固法合成的GaAs多晶，水平梯度凝固法所需要的设备简单，合成过程中，密封在石英管内的砷和镓不受外界环境的影响；现有的砷化镓多晶合成装置为保持管内压力平衡需要加入过量的As，石英管需要一边抽真空一边密封焊接，使管内的As和Ga原料处在真空状态，过量的As加热后如果与管内压力不平衡就会造成炸管，操作复杂，易造成人员伤害和环境污染，同时不可以同组份大合成量的生成砷化镓多晶，因此需要一种同组份砷化镓多晶大合成量工艺装置对上述问题做出改善。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种同组份砷化镓多晶大合成量工艺装置，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种同组份砷化镓多晶大合成量工艺装置，包括加热炉、加热室和合成仓以及控制箱体，所述加热炉的内部设有加热室，所述加热炉的基面固定安装有控制箱体，所述加热室的内部设有合成仓，所述合成仓的内壁底部固定安装有固定卡座，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种同组份砷化镓多晶大合成量工艺装置，包括加热炉（1）、加热室（2）和合成仓（3）以及控制箱体（4），其特征在于：所述加热炉（1）的内部设有加热室（2），所述加热炉（1）的基面固定安装有控制箱体（4），所述加热室（2）的内部设有合成仓（3），所述合成仓（3）的内壁底部固定安装有固定卡座（12），所述固定卡座（12）的顶部左侧从前至后依次设有温度传感器（13）和压力传感器（14），所述固定卡座（12）的内部放置有石英舟（15），所述石英舟（15）的内部从前至后交叠放置有高纯砷（16）和高纯镓（17），所述合成仓（3）的一侧贯通控制箱体（4）的内部，所述控制箱体（4）的基面左侧开设有通风孔（1...

【技术特征摘要】
1.一种同组份砷化镓多晶大合成量工艺装置，包括加热炉（1）、加热室（2）和合成仓（3）以及控制箱体（4），其特征在于：所述加热炉（1）的内部设有加热室（2），所述加热炉（1）的基面固定安装有控制箱体（4），所述加热室（2）的内部设有合成仓（3），所述合成仓（3）的内壁底部固定安装有固定卡座（12），所述固定卡座（12）的顶部左侧从前至后依次设有温度传感器（13）和压力传感器（14），所述固定卡座（12）的内部放置有石英舟（15），所述石英舟（15）的内部从前至后交叠放置有高纯砷（16）和高纯镓（17），所述合成仓（3）的一侧贯通控制箱体（4）的内部，所述控制箱体（4）的基面左侧开设有通风孔（18），所述控制箱体（4）的内部贴近通风孔（18）的一侧固定安装有真空泵（10），所述真空泵（10）与合成仓（3）的内侧之间固定安装有连接管（11），所述的控制箱体（4）的基面右侧嵌入安装控制面板（5），所述控制箱体（4）的基面位于控制面板（5）的下侧安装有氮气进气管（8），所述氮气进气管（8）的另一端贯通控制箱体（4）的内部连接于合成仓（3），所述氮气进气管（8）上设置有连接阀（9），所述控制箱体...

【专利技术属性】
技术研发人员：于会永，冯佳峰，王文昌，赵春峰，袁韶阳，荆爱明，穆成锋，张军军，
申请(专利权)人：大庆溢泰半导体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：黑龙江,23