本发明专利技术涉及多晶硅铸锭技术领域，且公开了一种多晶硅铸锭炉二次加料装置及多晶铸锭系统，包括加料仓，加料仓的下端固定连接有出料管，出料管的管壁固定连接有控制阀，出料管的下端固定连接有缓流箱，缓流箱的内部设有缓冲机构，缓流箱的下端固定连接有进料管，进料管的下端固定连接有缓流头，加料仓的内部设有疏通机构，缓冲机构包括转轴和多个缓冲页，转轴的两端均通过第一滚动轴承与缓流箱的左右两个侧壁转动连接，多个缓冲页呈环形设置。该多晶硅铸锭炉二次加料装置及多晶铸锭系统，能够有效降低硅原料的下料速度，避免硅原料速度过快将坩埚中的硅溶液溅出，避免对坩埚内表面的氮化硅涂层造成脱落，引起铸锭粘锅。
A Secondary Feeding Device for Polycrystalline Silicon Ingot Furnace and Polycrystalline Ingot System
【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅铸锭炉二次加料装置及多晶铸锭系统
本专利技术涉及多晶硅铸锭
，具体为一种多晶硅铸锭炉二次加料装置及多晶铸锭系统。
技术介绍
多晶硅，是单质硅的一种形态，熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅，利用价值；从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料。铸造多晶硅是使用最广泛的太阳能材料，多晶硅铸锭使用形状不规则的块状原生多晶硅料，硅块之间会存在缝隙，另外铸锭过程中硅原料中的杂质会挥发排除，因此即使铸锭前硅料装满坩埚，铸锭完成后多晶硅锭体积也只有坩埚内体积的三分之二，需要向坩埚中进行二次加料，现有的二次加料装置的出料管伸入炉体内的长度较短，硅料的下降过程中没有设计减速的缓冲装置，因此硅料会以较快的速度落在硅熔液表面，在硅熔液表面会产生较大的冲击力，容易将坩埚中的硅溶液溅出，且容易冲击到坩埚内表面的氮化硅涂层，使部分氮化硅涂层脱落引起铸锭粘埚，因此，提出一种多晶硅铸锭炉二次加料装置及多晶铸锭系统。
技术实现思路
(一)解决的技术问题针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种多晶硅铸锭炉二次加料装置及多晶铸锭系统，具备能够降低硅原料下料速度，对硅原料进行缓冲等优点，解决了现在市面上的二次加料装置容易将坩埚中的硅溶液溅出，且容易冲击到坩埚内表面的氮化硅涂层，使部分氮化硅涂层脱落引起铸锭粘埚的问题。(二)技术方案为实现上述可以能够降低硅原料下料速度，对硅原料进行缓冲的目的，本专利技术提供如下技术方案：一种多晶硅铸锭炉二次加料装置，包括加料仓，所述加料仓的下端固定连接有出料管，所述出料管的管壁固定连接有控制阀，所述出料管的下端固定连接有缓流箱，所述缓流箱的内部设有缓冲机构，所述缓流箱的下端固定连接有进料管，所述进料管的下端固定连接有缓流头，所述加料仓的内部设有疏通机构；所述缓冲机构包括转轴和多个缓冲页，所述转轴的两端均通过第一滚动轴承与缓流箱的左右两个侧壁转动连接，多个所述缓冲页呈环形设置，且多个缓冲页均与转轴的轴壁固定连接；所述缓流头包括壳体和缓流板，所述壳体的上端与进料管的下端固定连接，所述缓流板位于壳体的内部固定设置，且缓流板横向设置，所述缓流板的上端开设有多个均匀分布的第一缓流孔，所述壳体的下侧壁开设有多个均匀分布的第二缓流孔。优选的，多个所述缓冲页的表面均开设有弧形槽，多个所述弧形槽分别位于多个缓冲页的同侧设置。优选的，所述第一缓流孔与第二缓流孔的位置相错设置，所述壳体的上端固定连接有内螺纹筒并通过内螺纹筒与进料管螺纹连接。优选的，所述疏通机构包括第一旋转电机、转杆、横杆、环形杆和多个疏通杆，所述加料仓的上端固定连接有U形支撑板，所述第一旋转电机的位于U形支撑板的上端中心处固定设置，所述第一旋转电机的输出端通过第一连轴器转动与转杆的上端转动连接，所述转杆的下端贯穿U形支撑板并延伸至加料仓的内部下方设置，所述转杆的杆壁上端通过第二滚动轴承与U形支撑板转动连接，所述转杆的下端与横杆中部固定连接，所述横杆位于环形杆的内部设置，且横杆的两端分别与环形杆两侧杆壁固定连接，多个所述疏通杆的上端均与环形杆固定连接，且多个疏通杆的呈环形设置。优选的，所述环形杆的外圆杆壁固定套接有环形滑块，所述加料仓的内侧壁开设有与环形滑块相匹配的环形滑槽。一种多晶铸锭系统，包括多晶铸锭炉和二次加料装置，所述多晶铸锭炉包括底座、隔热笼、坩埚及坩埚盖，所述坩埚位于隔热笼的内部设置，所述坩埚盖位于坩埚的上端设置，所述隔热笼的内部下方设有转动机构并通过转动机构与坩埚连接，所述隔热笼位于底座的上端固定设置。优选的，所述转动机构包括第二旋转电机和转盘，所述底座的上端中部开设有电机槽，所述第二旋转电机位于电机槽的内部固定设置，所述第二旋转电机的输出端通过第二连轴器转动连接有连接轴，所述连接轴的上端贯穿隔热笼的下侧壁并延伸至隔热笼的内部设置，所述连接轴的轴壁通过第三滚动轴承与隔热笼转动连接，所述连接轴的上端与转盘固定连接，所述坩埚位于转盘上端设置，所述转盘的四周侧壁固定套接有环形板，所述环形板的下端开设有多个均匀分布的球形槽，所述球形槽的内部滚动连接有滚珠，所述滚珠的下侧壁与隔热笼的下内侧壁相抵设置。优选的，所述坩埚盖为锥形设置，且坩埚盖的表面开设有多个均匀分布的进料孔。(三)有益效果与现有技术相比，本专利技术提供了一种多晶硅铸锭炉二次加料装置及多晶铸锭系统，具备以下有益效果：1、该多晶硅铸锭炉二次加料装置及多晶铸锭系统，通过设有的加料仓能够盛放待添加的硅原料，硅原料通过出料管进入缓流箱中，通过设有的多个缓流页和转轴，当硅原料落在缓流页上时，缓流页绕转轴转动，将硅原料卸下，从而能够降低硅原料的下料速度，硅原料通过进料管进入缓流头中，并通过缓流头落入坩埚中，降低硅原料的下料速度，避免硅原料落入坩埚内部时将硅溶液溅出，且避免对坩埚内表面的氮化硅涂层造成脱落，引起铸锭粘锅。2、该多晶硅铸锭炉二次加料装置及多晶铸锭系统，通过设有的第一旋转电机能够带动转杆旋转，转杆能够带动横杆旋转，横杆能够带动环形杆旋转，环形杆能够带动多个疏通杆转动，从而能够对加料仓内部的硅原料进行疏通，避免硅原料下料堵塞。附图说明图1为本专利技术提出的一种多晶硅铸锭炉二次加料装置及多晶铸锭系统结构示意图；图2为图1中缓流箱的内部结构示意图；图3为图1中缓流头的内部结构示意图；图4为图1中A部分的结构放大图；图5为图1中环形杆和疏通杆的俯视图。图中：1加料仓、2出料管、3控制阀、4缓流箱、5进料管、6转轴、7缓冲页、8壳体、9缓流板、10内螺纹筒、11第一旋转电机、12转杆、13横杆、14环形杆、15疏通杆、16U形支撑板、17环形滑块、18底座、19隔热笼、20坩埚、21坩埚盖、22第二旋转电机、23转盘、24环形板、25滚珠。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1-5，一种多晶硅铸锭炉二次加料装置，包括加料仓1，加料仓1的下端固定连接有出料管2，出料管2的管壁固定连接有控制阀3，出料管2的下端固定连接有缓流箱4，缓流箱4的内部设有缓冲机构，缓流箱4的下端固定连接有进料管5，进料管5的下端固定连接有缓流头，加料仓1的内部设有疏通机构；缓冲机构包括转轴6和多个缓冲页7，转轴6的两端均通过第一滚动轴承与缓流箱4的左右两个侧壁转动连接，多个缓冲页7呈环形设置，且多个缓冲页7均与转轴6的轴壁固定连接；缓流头包括壳体8和缓流板9，壳体8的上端与进料管5的下端固定连接，缓流板9位于壳体8的内部固定设置，且缓流板9横向设置，缓流板9的上端开设有多个均匀分布的第一缓流孔，壳体8的下侧壁开设有多个均匀分布的第二缓流孔。多个缓冲页7的表面均开设有弧形槽，多个弧形槽分别位于多个缓冲页7的同侧设置，能够使硅原料缓慢下料。第一缓流孔与第二缓流孔的位置相错设置，能够降低硅原料的下料速度，壳体8的上端固定连接有内螺纹筒10并通过内螺纹筒10与进料本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种多晶硅铸锭炉二次加料装置，包括加料仓(1)，其特征在于：所述加料仓(1)的下端固定连接有出料管(2)，所述出料管(2)的管壁固定连接有控制阀(3)，所述出料管(2)的下端固定连接有缓流箱(4)，所述缓流箱(4)的内部设有缓冲机构，所述缓流箱(4)的下端固定连接有进料管(5)，所述进料管(5)的下端固定连接有缓流头，所述加料仓(1)的内部设有疏通机构；所述缓冲机构包括转轴(6)和多个缓冲页(7)，所述转轴(6)的两端均通过第一滚动轴承与缓流箱(4)的左右两个侧壁转动连接，多个所述缓冲页(7)呈环形设置，且多个缓冲页(7)均与转轴(6)的轴壁固定连接；所述缓流头包括壳体(8)和缓流板(9)，所述壳体(8)的上端与进料管(5)的下端固定连接，所述缓流板(9)位于壳体(8)的内部固定设置，且缓流板(9)横向设置，所述缓流板(9)的上端开设有多个均匀分布的第一缓流孔，所述壳体(8)的下侧壁开设有多个均匀分布的第二缓流孔。
【技术特征摘要】
1.一种多晶硅铸锭炉二次加料装置，包括加料仓(1)，其特征在于：所述加料仓(1)的下端固定连接有出料管(2)，所述出料管(2)的管壁固定连接有控制阀(3)，所述出料管(2)的下端固定连接有缓流箱(4)，所述缓流箱(4)的内部设有缓冲机构，所述缓流箱(4)的下端固定连接有进料管(5)，所述进料管(5)的下端固定连接有缓流头，所述加料仓(1)的内部设有疏通机构；所述缓冲机构包括转轴(6)和多个缓冲页(7)，所述转轴(6)的两端均通过第一滚动轴承与缓流箱(4)的左右两个侧壁转动连接，多个所述缓冲页(7)呈环形设置，且多个缓冲页(7)均与转轴(6)的轴壁固定连接；所述缓流头包括壳体(8)和缓流板(9)，所述壳体(8)的上端与进料管(5)的下端固定连接，所述缓流板(9)位于壳体(8)的内部固定设置，且缓流板(9)横向设置，所述缓流板(9)的上端开设有多个均匀分布的第一缓流孔，所述壳体(8)的下侧壁开设有多个均匀分布的第二缓流孔。2.根据权利要求1所述的一种多晶硅铸锭炉二次加料装置，其特征在于：多个所述缓冲页(7)的表面均开设有弧形槽，多个所述弧形槽分别位于多个缓冲页(7)的同侧设置。3.根据权利要求1所述的一种多晶硅铸锭炉二次加料装置，其特征在于：所述第一缓流孔与第二缓流孔的位置相错设置，所述壳体(8)的上端固定连接有内螺纹筒(10)并通过内螺纹筒(10)与进料管(5)螺纹连接。4.根据权利要求1所述的一种多晶硅铸锭炉二次加料装置，其特征在于：所述疏通机构包括第一旋转电机(11)、转杆(12)、横杆(13)、环形杆(14)和多个疏通杆(15)，所述加料仓(1)的上端固定连接有U形支撑板(16)，所述第一旋转电机(11)的位于U形支撑板(16)的上端中心处固定设置，所述第一旋转电机(11)的输出端通过第一连轴器转动与转杆(12)的上端转动连接，所述转杆(12)的下端贯穿U形支撑板(16)并延伸至加料仓(1)的内部下方设置，所述转杆(12)的...
【专利技术属性】
技术研发人员：张帅，朱常任，魏国，
申请(专利权)人：江苏拓正茂源新能源有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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