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本实用新型涉及半导体材料制备技术领域，尤其为一种同组份砷化镓多晶大合成量工艺装置，包括加热炉、加热室和合成仓以及控制箱体，所述加热炉的内部设有加热室，所述加热炉的基面固定安装有控制箱体，所述加热室的内部设有合成仓，所述合成仓的内壁底部固定安...
该专利属于大庆溢泰半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过大庆溢泰半导体材料有限公司授权不得商用。

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