被加工物的加工方法、蚀刻装置和激光加工装置制造方法及图纸

提供被加工物的加工方法、蚀刻装置和激光加工装置，能够将产生于被加工物的加工痕去除。该被加工物具有硅基板和形成于该硅基板上的功能层，在由设定于正面上的交叉的多条间隔道划分的各区域内形成有包含该功能层的器件，其中，该被加工物的加工方法具有如下的步骤：激光加工步骤，从被加工物的正面侧沿着该间隔道照射对于功能层具有吸收性的波长的激光束而将该功能层去除，使该硅基板沿着该间隔道露出；收纳步骤，在该激光加工步骤之后，将该被加工物收纳于蚀刻腔室；以及蚀刻步骤，在该收纳步骤之后，对该被加工物的正面提供二氟化氙气体，对沿着该间隔道而露出的硅基板的正面进行蚀刻而去除。

Processing method, etching device and laser processing device of processed products

【技术实现步骤摘要】
被加工物的加工方法、蚀刻装置和激光加工装置
本专利技术涉及被加工物的加工方法、蚀刻装置和激光加工装置。
技术介绍
在搭载有半导体器件的IC芯片等器件芯片中，近年来作为用于器件的布线层间的层间绝缘膜等，使用介电常数低的所谓Low-k材料。当在层间绝缘膜中使用Low-k膜时，能够降低形成于布线层间的寄生电容，能够提高器件芯片的处理能力等。作为Low-k膜，已知有SiOF、SiOB(硼硅酸盐玻璃)等无机物系的膜，或作为聚酰亚胺系、对二甲苯系等的聚合物膜的有机物系的膜。关于器件芯片，例如在圆板状的硅基板的正面上层叠布线层或层间绝缘膜等功能层而形成器件，沿着按照划分各器件的方式设定的多条被称为间隔道的分割预定线对该硅基板进行分割，从而形成器件芯片。硅基板的分割例如通过利用圆环状的切削刀具沿着该间隔道对硅基板进行切削来实施。但是，Low-k膜是非常脆的膜，因此当通过切削刀具对形成有Low-k膜的硅基板进行切削时，Low-k膜会从硅基板剥离，剥离到达器件而使该器件产生损伤。因此，提出了如下的被加工物的分割方法：通过激光束的照射的烧蚀加工将功能层部分地去除，沿着该间隔道形成比功能层的厚度深的加工槽，然后通过切削刀具沿着该间隔道进行切削(参照专利文献1)。专利文献1：日本特开2005-64230号公报但是，当通过烧蚀加工形成加工槽时，该加工槽的底部到达硅基板，在露出于的硅基板的正面上会产生微小的加工痕。因此，存在如下的问题：在对硅基板进行分割而形成的器件芯片上残留加工痕，由于该加工痕而使器件芯片的抗弯强度降低。
技术实现思路
本专利技术是鉴于该问题而完成的，其目的在于提供被加工物的加工方法、蚀刻装置以及激光加工装置，能够将产生于被加工物的加工痕去除。根据本专利技术的一个方式，提供被加工物的加工方法，该被加工物具有硅基板和形成于该硅基板上的功能层，在由设定于正面上的交叉的多条间隔道划分的各区域内形成有包含该功能层的器件，该被加工物的加工方法的特征在于，具有如下的步骤：激光加工步骤，从被加工物的正面侧沿着该间隔道照射对于功能层具有吸收性的波长的激光束而将该功能层去除，使该硅基板沿着该间隔道露出；收纳步骤，在该激光加工步骤之后，将该被加工物收纳于蚀刻腔室；以及蚀刻步骤，在该收纳步骤之后，对该被加工物的正面提供二氟化氙气体，对沿着该间隔道而露出的硅基板的正面进行蚀刻而去除。优选在该功能层中包含有铜，在该激光加工步骤中，因激光束的照射而从该功能层产生包含有铜的加工屑，在该蚀刻步骤中，通过该二氟化氙气体将该加工屑中所包含的该铜的正面氟化。另外，根据本专利技术的其他方式，提供蚀刻装置，其对被加工物进行蚀刻，该被加工物具有硅基板和形成于该硅基板上的功能层，在由设定于正面的交叉的多条间隔道划分的各区域内形成有包含该功能层的器件，该被加工物被照射对于该功能层具有吸收性的波长的激光束，该功能层被沿着该间隔道而去除从而该硅基板露出，该蚀刻装置的特征在于，其具有：蚀刻腔室，其对该被加工物进行收纳；排气单元，其对该蚀刻腔室内的氛围气进行排气；以及气体提供单元，其向该蚀刻腔室内提供二氟化氙气体。根据本专利技术的另一方式，提供激光加工装置，其对被加工物进行激光加工，该被加工物具有硅基板和形成于该硅基板上的功能层，在由设定于正面的交叉的多条间隔道划分的各区域内形成有包含该功能层的器件，该激光加工装置的特征在于，其具有：卡盘工作台，其对该被加工物进行保持；激光束照射单元，其从该卡盘工作台所保持的被加工物的正面侧沿着该间隔道照射对于该功能层具有吸收性的波长的激光束从而将该功能层去除，使硅基板沿着该间隔道露出；以及蚀刻单元，其对被加工物提供二氟化氙气体，对沿着该间隔道而露出的硅基板的正面进行蚀刻。根据本专利技术的一个方式，沿着间隔道对形成有功能层的硅基板的正面照射激光束而将该功能层去除。并且，将硅基板沿着该间隔道而露出的被加工物收纳于蚀刻腔室，并对被加工物提供二氟化氙气体。于是，对露出的硅基板的包含加工痕的正面进行蚀刻而去除。因此，在沿着间隔道对被加工物进行分割而形成的器件芯片上不会残留加工痕，器件芯片的强度增大。关于用于被加工物的蚀刻的二氟化氙气体，在被加工物的蚀刻时不需要使该气体等离子化。因此，在实施蚀刻的蚀刻装置中无需搭载用于等离子化的结构，能够容易地将该蚀刻装置搭载于激光加工装置。当使用搭载有蚀刻装置的激光加工装置时，在实施激光加工步骤之后，能够快速地实施蚀刻步骤。因此，根据本专利技术，提供被加工物的加工方法、蚀刻装置以及激光加工装置，能够将产生于被加工物的加工痕去除。附图说明图1是示意性示出被加工物的立体图。图2是示意性示出激光加工装置的侧视图。图3的(A)是示意性示出对被加工物涂布水溶性的液态树脂的情况的剖视图，图3的(B)是示意性示出激光加工步骤的剖视图。图4的(A)是将激光束所照射的被加工物放大而示意性示出的剖视图，图4的(B)是将激光加工步骤后的被加工物放大而示意性示出的剖视图。图5的(A)是示意性示出收纳步骤的剖视图，图5的(B)是示意性示出蚀刻腔室的排气的情况的剖视图。图6的(A)是示意性示出蚀刻步骤的剖视图，图6的(B)是示意性示出蚀刻腔室的排气的情况的剖视图。图7的(A)是将实施蚀刻步骤时的被加工物放大而示意性示出的剖视图，图7的(B)是将蚀刻步骤后的被加工物放大而示意性示出的剖视图。图8的(A)是示意性示出将被加工物从蚀刻腔室取出的情况的剖视图，图8的(B)是示意性示出蚀刻装置的一例的剖视图。图9的(A)是示意性示出被加工物的清洗的剖视图，图9的(B)是将清洗后的被加工物放大而示意性示出的剖视图。标号说明1：被加工物；1a：正面；1b：背面；1c：硅基板；3：功能层；3a：加工槽；5：间隔道；7：器件；7a：TEG；7b：加工屑；9：带；11：框架；13：框架单元；15：水溶性树脂；2：激光加工装置；4：基台；6：盒；6a：盒载置台；8：搬送装置；8a：搬送轨；10：卡盘工作台；10a：保持面；10b、38c：夹具；12、22：移动机构；14、24：导轨；16、26：移动板；18、28：滚珠丝杠；20：脉冲电动机；30：支承部；32：激光加工单元；34：加工头；34a：激光束；36：拍摄单元；38：保护膜涂布兼清洗装置；38a：工作台；38b：喷嘴；40：蚀刻装置；42：蚀刻腔室；42a：腔室盖；42b：保持工作台；42c：密封部件；42d：气体分散部件；44：排气单元；44b：排气路；46：气体提供单元；46a、46c：气体提供源；46b：供气路；46d：气体；48：带触摸面板的显示器。具体实施方式首先，对本实施方式的被加工物的加工方法的被加工物进行说明。图1是示意性示出被加工物1的立体图。被加工物1包含：硅基板1c；以及形成于该硅基板1c上的功能层3。在被加工物1的正面1a设定有交叉的多条被称为间隔道5的分割预定线，在由该间隔道5划分的各区域内形成有IC(IntegratedCircuit：集成电路)等器件7。最终，沿着间隔道5对被加工物1进行分割而形成各个器件芯片。在被加工物1的背面上粘贴有被金属制的框架11张紧的带9。被加工物1在与带9和框架11成为一体的框架单元13的状态下被搬送、加工。当对被加工物1进行分割而形成各个器件芯片时，该器件芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种被加工物的加工方法，该被加工物具有硅基板和形成于该硅基板上的功能层，在由设定于正面上的交叉的多条间隔道划分的各区域内形成有包含该功能层的器件，该被加工物的加工方法的特征在于，具有如下的步骤：激光加工步骤，从被加工物的正面侧沿着该间隔道照射对于功能层具有吸收性的波长的激光束而将该功能层去除，使该硅基板沿着该间隔道露出；收纳步骤，在该激光加工步骤之后，将该被加工物收纳于蚀刻腔室；以及蚀刻步骤，在该收纳步骤之后，对该被加工物的正面提供二氟化氙气体，对沿着该间隔道而露出的硅基板的正面进行蚀刻而去除。

【技术特征摘要】
2018.01.23 JP 2018-0090021.一种被加工物的加工方法，该被加工物具有硅基板和形成于该硅基板上的功能层，在由设定于正面上的交叉的多条间隔道划分的各区域内形成有包含该功能层的器件，该被加工物的加工方法的特征在于，具有如下的步骤：激光加工步骤，从被加工物的正面侧沿着该间隔道照射对于功能层具有吸收性的波长的激光束而将该功能层去除，使该硅基板沿着该间隔道露出；收纳步骤，在该激光加工步骤之后，将该被加工物收纳于蚀刻腔室；以及蚀刻步骤，在该收纳步骤之后，对该被加工物的正面提供二氟化氙气体，对沿着该间隔道而露出的硅基板的正面进行蚀刻而去除。2.根据权利要求1所述的被加工物的加工方法，其特征在于，在该功能层中包含有铜，在该激光加工步骤中，因激光束的照射而从该功能层产生包含有铜的加工屑，在该蚀刻步骤中，通过该二氟化氙气体将该加工屑中所包含的该铜的正面氟化。3.一种蚀刻装置，其对被加工物进行蚀刻，...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥宏行，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP