用于单晶锭生长的提拉控制装置及其应用的提拉控制方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种用于生长单晶锭的提拉控制装置，能够通过实时改变晶种转数来控制单晶锭的偏心度，以及涉及应用于该装置的提拉控制方法。根据本发明专利技术，通过提供实时变化的目标晶种输出转数(T_f输出)以便通过输入目标输入晶种输入转数(T_f输入)来匹配对于每个长度的晶锭的旋转形式并且通过控制晶种绳的转数(f)，用于生长单晶锭的提拉控制装置和应用于提拉控制装置的提拉控制方法能够最大限度地避免将晶种转数(f)设定为引起熔体的共振现象的特定转数(fo)，并且能够防止熔体的波动和锭块的偏心现象。

Lifting control device for single crystal ingot growth and its application

【技术实现步骤摘要】
用于单晶锭生长的提拉控制装置及其应用的提拉控制方法相关申请的交叉引用本申请要求2018年1月18日提交的韩国专利申请No.10-2018-0006539的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用整体并入本文。
本专利技术涉及一种用于生长单晶锭的提拉控制装置，该提拉控制装置能够通过实时改变晶种转数来控制单晶锭的偏心度，并且还涉及应用于该装置的提拉控制方法。
技术介绍
通常，用作生产电子元件(诸如半导体)的材料的单晶锭通过丘克拉斯基(Czochralski，以下称为CZ)方法来制备。在通过使用CZ法制备单晶锭的方法中，将诸如多结晶硅(多晶硅)的固体原材料填充在石英坩埚中并通过加热器加热以熔化形成硅熔体，并且通过稳定化过程除去硅熔体中的气泡，然后将晶种浸没到硅熔体中，并将晶种缓慢提拉到熔体上方的同时形成缩颈，以便于依次进行缩颈过程、放肩过程、主体生长过程、收尾处理。然而，当从坩埚中的硅熔体生长单晶锭时，硅熔体波动的原因被发现是共振引起的。此外，熔体的共振现象随着单晶熔体的减少而变强，并且当接近晶种转数的整数倍时，易于产生明显的液体表面波。然而，随着单晶锭生长的进行，熔体的量进一步减少本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于生长单晶锭的提拉控制装置，所述装置包括：提拉驱动单元，所述提拉驱动单元配置为旋转和提升晶种绳，所述晶种绳连接到浸没在硅熔体中的晶种；和提拉控制单元，所述提拉控制单元配置为输出实时变化的目标晶种输出转数(T_f输出)，以便通过输入预设目标晶种输入转数(T_f输入)来匹配用于每个长度的晶锭的旋转形式，并根据所述目标晶种输出转数(T_f输出)来控制所述提拉驱动单元的转数(f)。

【技术特征摘要】
2018.01.18 KR 10-2018-00065391.一种用于生长单晶锭的提拉控制装置，所述装置包括：提拉驱动单元，所述提拉驱动单元配置为旋转和提升晶种绳，所述晶种绳连接到浸没在硅熔体中的晶种；和提拉控制单元，所述提拉控制单元配置为输出实时变化的目标晶种输出转数(T_f输出)，以便通过输入预设目标晶种输入转数(T_f输入)来匹配用于每个长度的晶锭的旋转形式，并根据所述目标晶种输出转数(T_f输出)来控制所述提拉驱动单元的转数(f)。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述提拉控制单元包括：确认部，所述确认部配置为根据输入的预设目标晶种输入转数(T_f输入)来确认旋转形式对于每个长度的晶锭是否恒定；计算部，所述计算部配置为根据所述确认部的确认结果以函数形式计算所述目标晶种输出转数(T_f输出)；和输出部，所述输出部配置为根据所述计算部的计算结果将所述目标晶种输出转数(T_f输出)输出至所述提拉驱动单元。3.根据权利要求2所述的装置，其中，当所述确认部的确认结果中所述旋转形式对于每个长度的晶锭是恒定时，所述计算部将所述目标晶种输出转数(T_f输出)计算成sin函数。4.根据权利要求3所述的装置其中，所述计算部计算所述目标晶种输出转数(T_f输出)以使得所述sin函数的平均值与所述目标晶种输入转数(T_f输入)一致。5.根据权利要求2所述的装置，其中，当所述确认部的确认结果中所述旋转形式对于每个长度的晶锭是变化的时，所述计算部将所述目标晶种输出转数(T_f输出)计算成线性函数。6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述计算部计算所述目标晶种输出转数(T_f输出)以使得所述线性函数具有所述目标晶种输入转数(T_f输入)从最大...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴玹雨，
申请(专利权)人：爱思开矽得荣株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR