彩膜基板和显示面板制造技术

本发明专利技术提供一种彩膜基板和显示面板，其彩膜基板包括：衬底基板；彩膜层，包括黑矩阵以及光阻；光电转换层，与所述黑矩阵对应设置，用于将吸收到的光能转化为电能；公共电极层；转换端子，电连接所述公共电极层以及所述光电转换层。通过在黑矩阵单元对应位置设置光电转换层，将外界进入的光能以及背光模组本身的光能吸收后转化为电能，从而对电子产品的电池进行自充电，缓解了现有便携式电子显示产品存在电池续航能力弱的问题。

Color film substrate and display panel

【技术实现步骤摘要】
彩膜基板和显示面板
本专利技术涉及显示领域，尤其涉及一种彩膜基板和显示面板。
技术介绍
便携式电子显示产品功能多方位全面性的发展，对电子显示产品动力驱动组件提出了更高的要求。现有的便携式电子显示产品，如智能手机、平板电脑等，其电池续航能力依然较差，需要高频率的人为充电，无法满足人们对于便携式电子显示产品电池长久续航的需求。因此，现有便携式电子显示产品存在电池续航能力弱的问题，需要改进。
技术实现思路
本专利技术提供一种彩膜基板和显示面板，以解决现有便携式电子显示产品存在电池续航能力弱的问题。为解决以上问题，本专利技术提供的技术方案如下：本专利技术提供一种彩膜基板，包括：衬底基板；彩膜层，包括黑矩阵以及光阻；光电转换层，与所述黑矩阵对应设置，用于将吸收到的光能转化为电能；公共电极层；转换端子，电连接所述公共电极层以及所述光电转换层。在本专利技术提供的彩膜基板中，所述光电转化层设置于所述衬底基板和所述彩膜层之间。在本专利技术提供的彩膜基板中，所述衬底基板上设置有凹槽，所述光电转换层设置在所述凹槽内。在本专利技术提供的彩膜基板中，所述光电转换层的厚度和所述凹槽的深度相同。在本专利技术提供的彩膜基板中，所述光电转换层的厚度和所述黑矩阵的厚度之和小于或等于所述光阻的厚度。在本专利技术提供的彩膜基板中，所述光电转换层设置在所述彩膜层远离所述衬底基板的一侧。在本专利技术提供的彩膜基板中，所述光电转换层包括设置在所述衬底基板和所述彩膜层之间的第一光电转换层，以及设置在所述彩膜层远离所述衬底基板一侧的第二光电转换层。在本专利技术提供的彩膜基板中，所述光电转换层的材料为单晶硅、多晶硅、非晶硅、碲化镉、铜铟硒化物、铜铟镓硒化物、砷化镓、聚乙烯基咔唑、聚乙炔、聚对苯撑乙烯、以及聚噻吩中的一种。在本专利技术提供的彩膜基板中，所述光电转换层的厚度为到本专利技术还提供一种显示面板，包括如上所述的彩膜基板、阵列基板、液晶、以及连接端子，所述彩膜基板的公共电极层通过所述连接端子与所述阵列基板上的供电电路电连接。本专利技术的有益效果为：本专利技术提供一种彩膜基板和显示面板，其彩膜基板包括：衬底基板；彩膜层，包括黑矩阵以及光阻；光电转换层，与所述黑矩阵对应设置，用于将吸收到的光能转化为电能；公共电极层；转换端子，电连接所述公共电极层以及所述光电转换层。通过在黑矩阵单元对应位置设置光电转换层，将外界进入的光能以及背光模组本身的光能吸收后转化为电能，从而对电子产品的电池进行自充电，缓解了现有便携式电子显示产品存在电池续航能力弱的问题。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的彩膜基板的第一种结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的彩膜基板的第二种结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的彩膜基板的第三种结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的显示面板的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术的具体实施方案，对本专利技术实施方案和/或实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显而易见的，下面所描述的实施方案和/或实施例仅仅是本专利技术一部分实施方案和/或实施例，而不是全部的实施方案和/或实施例。基于本专利技术中的实施方案和/或实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前下所获得的所有其他实施方案和/或实施例，都属于本专利技术保护范围。本专利技术所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[左]、[右]、[前]、[后]、[内]、[外]、[侧]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明和理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或是暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。针对现有便携式电子显示产品存在电池续航能力弱的问题，本专利技术提供一种彩膜基板可以缓解这个问题。在一种实施例中，如图1所示，本专利技术提供的彩膜基板包括：衬底基板100；彩膜层200，包括黑矩阵210以及光阻220，所述光阻220包括第一光阻221、第二光阻222和第三光阻223；光电转换层300，与所述黑矩阵210对应设置，用于将吸收到的光能转化为电能；公共电极层500；转换端子，电连接所述公共电极层500以及所述光电转换层300。本专利技术提供一种彩膜基板，包括：衬底基板；彩膜层，包括黑矩阵以及光阻；光电转换层，与所述黑矩阵对应设置，用于将吸收到的光能转化为电能；公共电极层；转换端子，电连接所述公共电极层以及所述光电转换层。通过在黑矩阵单元对应位置设置光电转换层，将外界进入的光能以及背光模组本身的光能吸收后转化为电能，从而对电子产品的电池进行自充电，缓解了现有便携式电子显示产品存在电池续航能力弱的问题。在本专利技术提供的实施例中，所述衬底基板100为采用玻璃、石英、透明塑料等制作而成的透明基板或半透明基板在本专利技术提供的实施例中，所述黑矩阵210一般为含有金属元素(如Cr或Ti)的BM光刻胶或者是采用炭黑丙烯树脂颜料的BM；所述黑矩阵210通过先在所述衬底基板100上涂布一层黑矩阵材料，然后经过曝光和显影工艺，在所述衬底基板100上形成设定的黑矩阵图案得到；所述黑矩阵210主要用于防止所述第一光阻221、所述第二光阻222和所述第三光阻223之间的混色，提高显示图像的色纯度，同时遮蔽因液晶紊乱造成的漏光。在本专利技术提供的实施例中，所述光阻220一般由R、G、B三基色组成，在所述制备好的有固定图案的黑矩阵210上涂布一层所述第一光阻221，然后经过曝光和显影技术，在所述衬底基板上形成所述第一光阻221的图案，接着再依次涂布所述第二光阻222、所述第三光阻223，经过同样的工艺，最终完成包括所述第一光阻221、所述第二光阻222和所述第三光阻223的所述光阻220的制备。为了避免由于所述彩膜层200内三基色角段差对显示效果带来影响，通常在所述彩膜层200上会制备一层平坦层，所述平坦层通过在所述彩膜层200上涂布一层所述平坦层材料，然后经过膜层固化实现平坦化的效果。因为所述色阻210一般含有金属离子成分，所以平坦层材料一般为电学上高阻的树脂，可以有效防止金属离子成分扩散进入到液晶里面引起残像等显示不良。在本专利技术提供的实施例中，所述公共电极层500通常为氧化铟锡(IndiumTinOxide，ITO)的透明导电薄膜，作为公共电极的ITO薄膜厚度一般为20nm到40nm，所述ITO薄膜采用溅射方法沉积所得。在一种实施例中，如图1所示，所述光电转换层300设置于所述衬底基板100和所述彩膜层200之间。所述光电转换层300的材料为单晶硅、多晶硅、非晶硅、碲化镉、铜铟硒化物、铜铟镓硒化物、砷化镓、聚乙烯基咔唑、聚乙炔、聚对苯撑乙烯、以及聚噻吩中的一种。所述光电转换层300的厚度为到所述光电转换层300可以很好的吸收外界进入的光线，并将外界光线的光能转化为电能，提供给电池。所述光电转换层300将光能转化为电能遵循太阳能电池原理，即半导体PN结的“光生伏特”效应。当太阳光照射PN结时，在半导体内的电子由于获得了光能而本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种彩膜基板，其特征在于，包括：衬底基板；彩膜层，包括黑矩阵以及光阻；光电转换层，与所述黑矩阵对应设置，用于将吸收到的光能转化为电能；公共电极层；转换端子，电连接所述公共电极层以及所述光电转换层。

【技术特征摘要】
1.一种彩膜基板，其特征在于，包括：衬底基板；彩膜层，包括黑矩阵以及光阻；光电转换层，与所述黑矩阵对应设置，用于将吸收到的光能转化为电能；公共电极层；转换端子，电连接所述公共电极层以及所述光电转换层。2.如权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述光电转化层设置于所述衬底基板和所述彩膜层之间。3.如权利要求2所述的彩膜基板，其特征在于，所述衬底基板上设置有凹槽，所述光电转换层设置在所述凹槽内。4.如权利要求3所述的彩膜基板，其特征在于，所述光电转换层的厚度和所述凹槽的深度相同。5.如权利要求2所述的彩膜基板，其特征在于，所述光电转换层的厚度和所述黑矩阵的厚度之和小于或等于所述光阻的厚度。6.如权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述光电转换...

【专利技术属性】
技术研发人员：李树，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42