本发明专利技术公开了一种发光二极管、背光模组及显示装置，包括：基座、侧壁以及发光芯片；基座与侧壁构成容置腔，发光芯片设置于容置腔内；通过将发光二极管的侧壁在靠近基座的一侧的厚度设置得大于远离基座一侧的厚度，且将侧壁的一些区域设置为透光区域，可以实现将发光芯片的出射光透过该透光区域后向基座一侧偏折，从而扩大发光二极管的出光范围，提升混光效果；另外，将透光区域的内表面和/或外表面设置微结构，可以通过调整微结构的形状和设置角度实现调整发光二极管的出光角度。
A Light Emitting Diode, Backlight Module and Display Device
【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管、背光模组及显示装置
本专利技术涉及显示
，尤指一种发光二极管、背光模组及显示装置。
技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode，简称LED)是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能，具有节能环保、寿命长、低功耗、高亮度、易调光等诸多优势，被广泛应用于照明、显示、背光等领域。现阶段的显示装置中通常采用背光模组结合透射型显示面板的形式，背光模组中的光源通常可选用发光二极管。为了提高显示亮度，会在背光模组中增加发光二极管的使用数量，使得发光二极管之间的间距减小，这就使得相邻的发光二极管的混光效果不佳，会直接最终的影响显示效果，降低用户体验。
技术实现思路
本专利技术提供一种发光二极管、背光模组及显示装置，用以提升发光二极管的混光效果。第一方面，本专利技术提供一种发光二极管，包括：基座、侧壁以及发光芯片；所述基座与所述侧壁构成容置腔，所述发光芯片设置于所述容置腔内；其中，所述侧壁靠近所述基座一侧的厚度大于所述侧壁远离所述基座一侧的厚度；所述侧壁包括透光区域；在所述发光芯片指向所述侧壁的方向上，所述透光区域对应的所述侧壁靠近所述发光芯片一侧的表面为内表面，所述透光区域对应的所述侧壁远离所述发光芯片一侧的表面为外表面，所述内表面和/或所述外表面设置有微结构。第二方面，本专利技术提供一种背光模组，包括上述任一发光二极管、壳体和光学膜片组；所述壳体包括：背板和侧框，所述背板和所述侧框形成一容置空间，多个所述发光二极管和所述光学膜片组位于所述容置空间内，所述背板和所述光学膜片组相对设置，所述光学膜片组包括至少一层光学膜片。第三方面，本专利技术提供一种显示装置，包括上述任一背光模组及位于所述背光模组出光侧的显示面板。本专利技术有益效果如下：本专利技术提供的发光二极管、背光模组及显示装置，包括：基座、侧壁以及发光芯片；基座与侧壁构成容置腔，发光芯片设置于容置腔内；其中，侧壁靠近基座一侧的厚度大于侧壁远离基座一侧的厚度；侧壁包括透光区域；在发光芯片指向侧壁的方向上，透光区域对应的侧壁靠近发光芯片一侧的表面为内表面，透光区域对应的侧壁远离发光芯片一侧的表面为外表面，内表面和/或外表面设置有微结构。通过将发光二极管的侧壁在靠近基座的一侧的厚度设置得大于远离基座一侧的厚度，且将侧壁的一些区域设置为透光区域，可以实现将发光芯片的出射光透过该透光区域后向基座一侧偏折，从而扩大发光二极管的出光范围，提升发光二极管的混光效果；另外，将透光区域的内表面和/或外表面设置微结构，可以通过调整微结构的形状和设置角度实现调整发光二极管的出光角度。附图说明图1为现有技术中的发光二极管的结构示意图；图2为现有技术中的发光二极管的混光效果图；图3为本专利技术实施例提供的发光二极管的侧视结构示意图之一；图4为本专利技术实施例提供的发光二极管的侧视结构示意图之二；图5为本专利技术实施例提供的发光二极管的侧视结构示意图之三；图6为本专利技术实施例提供的透光区域的调光原理示意图；图7为本专利技术实施例提供的微结构的调光原理示意图之一；图8为本专利技术实施例提供的微结构的调光原理示意图之二；图9为本专利技术实施例提供的凸起结构的结构示意图之一；图10为本专利技术实施例提供的凸起结构的结构示意图之二；图11为本专利技术实施例提供的凸起结构的结构示意图之三；图12为本专利技术实施例提供的微结构分布示意图之一；图13为本专利技术实施例提供的微结构分布示意图之二；图14为本专利技术实施例提供的发光二极管的侧视结构示意图之四；图15为本专利技术实施例提供的发光二极管出光范围示意图；图16为本专利技术实施例提供的发光二极管的混光效果图；图17为本专利技术实施例提供的发光二极管的侧视结构示意图之五；图18为本专利技术实施例提供的发光二极管的俯视结构示意图之一；图19为本专利技术实施例提供的发光二极管的俯视结构示意图之二；图20为本专利技术实施例提供的发光二极管的俯视结构示意图之三；图21为本专利技术实施例提供的背光模组的侧视结构示意图之一；图22为本专利技术实施例提供的背光模组的侧视结构示意图之二；图23为图22所示背光模组的俯视结构示意图；图24为本专利技术实施例提供的背光模组的侧视结构示意图之三；图25为本专利技术实施例提供的背光模组的侧视结构示意图之四；图26为图21所示的背光模组的一种俯视结构示意图；图27为本专利技术实施例提供的背光模组的侧视结构示意图之五；图28为本专利技术实施例提供的背光模组的侧视结构示意图之六；图29为本专利技术实施例提供的显示装置的侧视结构示意图；图30为本专利技术实施例提供的显示装置的俯视图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面将结合附图和实施例对本专利技术做进一步说明。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本专利技术更全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。本专利技术中所描述的表达位置与方向的词，均是以附图为例进行的说明，但根据需要也可以做出改变，所做改变均包含在本专利技术保护范围内。本专利技术的附图仅用于示意相对位置关系不代表真实比例。需要说明的是，在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广。因此本专利技术不受下面公开的具体实施方式的限制。说明书后续描述为实施本申请的较佳实施方式，然所述描述乃以说明本申请的一般原则为目的，并非用以限定本申请的范围。本申请的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。现阶段所使用的发光二极管结构如图1所示，发光二极管封装时构成的侧壁J通常为不透光的材料，使得发光二极管的出光范围在x的范围内。而当这样的发光二极管紧密排列时，如图2所示，相邻的发光二极管的出光范围内会在BB区域产生明显的暗区，将这样的发光二极管应用于背光模组中时，会造成发光不均的问题，严重影响显示效果。有鉴于此，本专利技术实施列提供一种发光二极管、背光模组及显示装置，用于解决发光二极管混光的问题，当这样的发光二极管应用于背光模组中时，可以使背光模组出光更加均匀，有利于提升最终的显示效果。下面结合附图，对本专利技术实施例提供的。其中，附图中各部件的厚度和形状不反映显示装置的真实比例，目的只是示意说明本
技术实现思路
。本专利技术实施例的第一方面，提供一种发光二极管，如图3所示，本专利技术实施例提供的发光二极管，包括：基座11、侧壁12以及发光芯片13；基座11与侧壁12构成容置腔，发光芯片13设置于容置腔内；其中，如图3所示，侧壁12在靠近基座11一侧的厚度(即图3中侧壁12的底部厚度)大于侧壁12在远离基座11一侧的厚度(即图3中侧壁12的顶部厚度)。在本专利技术实施例提供的上述发光二极管中，侧壁12包括透光区域121；在发光芯片13指向侧壁12的方向上，透光区域121对应的侧壁靠近发光芯片13一侧的表面为内表面I，透光区域121对应的侧壁远离发光芯片13一侧的表面为外表面O，内表面I和/或外表面O设置有微结构122。如图3所示，可以在发光二极管的透光区域121的外表面O上设置微结构122；或者，如图4所示，也可以在发光二极管的透光区域121的内表面I上设置微结构122；或者，如图5所示本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：基座、侧壁以及发光芯片；所述基座与所述侧壁构成容置腔，所述发光芯片设置于所述容置腔内；其中，所述侧壁靠近所述基座一侧的厚度大于所述侧壁远离所述基座一侧的厚度；所述侧壁包括透光区域；在所述发光芯片指向所述侧壁的方向上，所述透光区域对应的所述侧壁靠近所述发光芯片一侧的表面为内表面，所述透光区域对应的所述侧壁远离所述发光芯片一侧的表面为外表面，所述内表面和/或所述外表面设置有微结构。
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：基座、侧壁以及发光芯片；所述基座与所述侧壁构成容置腔，所述发光芯片设置于所述容置腔内；其中，所述侧壁靠近所述基座一侧的厚度大于所述侧壁远离所述基座一侧的厚度；所述侧壁包括透光区域；在所述发光芯片指向所述侧壁的方向上，所述透光区域对应的所述侧壁靠近所述发光芯片一侧的表面为内表面，所述透光区域对应的所述侧壁远离所述发光芯片一侧的表面为外表面，所述内表面和/或所述外表面设置有微结构。2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述微结构为凸起结构。3.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述凸起结构为圆锥形结构或棱锥形结构。4.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述内表面和/或所述外表面在不同区域包括的所述凸起结构的密度不同。5.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述内表面和/或所述外表面在靠近所述基座的区域包括的所述凸起结构的密度大于远离所述基座的区域包括的所述凸起结构的密度。6.如权利要求1-5任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述侧壁的透光区域中分散有散射粒子。7.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述侧壁在所述基座所在平面的正投影为环形。8.如权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述侧壁包括四个相互连接的侧板，其中，两两所述侧板对向设置，至少两个对向设置的所述侧板采用透光材料形成所述透光区域。9.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述侧壁的所有区域均采用透光材料，...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱志强，柯耀作，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35
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