晶片的评价装置和晶片的评价方法制造方法及图纸

提供晶片的评价装置和晶片的评价方法，能够以简单的结构对晶片的磨削面的状态进行评价。本实施方式的评价装置具有：旋转工作台(100)，其对晶片(200)进行保持；精磨削单元，其对晶片(200)进行磨削；测量针(113)，其与通过精磨削单元进行了磨削的晶片(200)的背面(201)接触；移动单元(120)，其以能够使测量针移动的方式对测量针(113)进行保持；以及存储部(93)，其将按照测量针(113)与背面(201)接触的状态使测量针(113)与背面(201)相对地移动时所产生的声音作为该背面(201)的粗糙度信息进行存储。

The Evaluating Device of Wafer and the Evaluating Method of Wafer

【技术实现步骤摘要】
晶片的评价装置和晶片的评价方法
本专利技术涉及晶片的评价装置和晶片的评价方法，对晶片的磨削面的状态进行评价。
技术介绍
通常在正面上形成有半导体器件的由硅等构成的半导体晶片、形成有光器件的由蓝宝石、SiC(碳化硅)等构成的光器件晶片等各种晶片通过磨削磨具对背面侧进行磨削。作为对这种晶片进行加工的加工装置，已知有如下的加工装置：其具有：多个保持工作台，它们分别对晶片进行保持；转台，其配设有多个保持工作台；以及粗磨削用的磨削单元和精磨削用的磨削单元，它们通过转台进行旋转而依次定位于一个保持工作台的上方，按照粗磨削和精磨削的顺序连续地对一张晶片进行加工(例如，参照专利文献1)。在这种加工装置中，在进行了精磨削之后，有时为了评价晶片的品质而对晶片的磨削面的状态(粗糙度)进行确认。将晶片从加工装置中取出，使用专业的粗糙度测量器来进行晶片的磨削面的状态的确认。作为这种粗糙度测量器，提出了如下的粗糙度测量器：其具有按照上下方向移动自如的方式构成的平行连杆机构，在该平行连杆机构的可动侧的下侧安装触针，在可动侧的上侧安装反射镜，利用激光干涉计对该反射镜的位移量进行检测(例如，参照专利文献2)。专利文献1：日本特开2009-158536号公报专利文献2：日本特开2000-018935号公报在上述的粗糙度检测器中，能够精密地测量晶片的磨削面的状态，另一方面，需要将磨削后的晶片移动至与加工装置分开配置的粗糙度测量器，因此作业工序变得繁杂。因此，希望不使用专业的粗糙度测量器而以简单的结构对晶片的磨削面的状态进行评价。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供晶片的评价装置和晶片的评价方法，能够以简单的结构对晶片的磨削面的状态进行评价。为了解决上述课题实现目的，本专利技术的晶片的评价装置具有：保持单元，其对晶片进行保持；磨削单元，其对该晶片进行磨削；测量针，其与通过该磨削单元进行了磨削的晶片的磨削面接触；移动单元，其以能够使该测量针移动的方式对该测量针进行保持；以及存储单元，其将按照该测量针与该磨削面接触的状态使该测量针与该磨削面相对地移动时所产生的声音作为磨削面的粗糙度信息进行存储。根据该结构，晶片的评价装置具有存储单元，其将按照测量针与磨削面接触的状态使测量针与磨削面相对地移动时所产生的声音作为磨削面的粗糙度信息进行存储，因此能够根据所存储的各磨削面的粗糙度信息的变化，以简单的结构对磨削面的状态进行评价。另外，本专利技术是对晶片的磨削面的状态进行评价的晶片的评价方法，其中，该晶片的评价方法具有如下的步骤：磨削步骤，对该晶片进行磨削；移动步骤，按照测量针与晶片的磨削面接触的状态使该测量针与该晶片相对移动；以及存储步骤，将该移动步骤的实施过程中所产生的声音作为磨削面的粗糙度信息进行存储。根据该结构，晶片的评价方法具有存储步骤，将测量针与磨削面相对地移动时所产生的声音作为磨削面的粗糙度信息进行存储，因此能够根据所存储的各磨削面的粗糙度信息的变化，以简单的结构对磨削面的状态进行评价。在该结构中，也可以是，将通过加工装置按照任意的加工条件连续地进行了磨削的多个晶片作为对象而实施该移动步骤和该存储步骤，晶片的评价方法还具有如下的监视步骤：根据多个该粗糙度信息的变化对晶片的磨削面的状态进行监视。根据该结构，能够分别对连续地进行了磨削的各晶片的磨削面的粗糙度信息进行存储，根据这些所存储的各磨削面的粗糙度信息的变化，容易对磨削面的状态的变化进行确认，因此能够监视加工装置的异常或晶片的异常。根据本专利技术，将测量针与磨削面相对地移动时所产生的声音作为磨削面的粗糙度信息进行存储，因此能够根据所存储的各磨削面的粗糙度信息的变化，以简单的结构对磨削面的状态进行评价。附图说明图1是晶片的立体图，该晶片作为本实施方式的晶片的评价装置的评价对象。图2是本实施方式的评价装置的结构例的立体图。图3是示出状态评价单元的内部结构的立体图。图4是状态评价单元的功能结构图。图5是示出本实施方式的晶片的评价方法的步骤的流程图。图6是示出移动步骤中的测量针的移动轨迹的一例的俯视图。图7是将通过图6的移动轨迹获得的多张晶片的粗糙度信息并列地进行了显示的曲线图。图8是示出移动步骤中的测量针的移动轨迹的其他例的俯视图。图9是将通过图8的移动轨迹获得的一张晶片的多个粗糙度信息并列地进行了显示的曲线图。图10是示出移动步骤中的测量针的移动轨迹的其他例的俯视图。标号说明1：评价装置；10：粗磨削单元；12：精磨削单元；18b、36b：磨削磨具；52：卡盘工作台；68：状态评价单元；80：壳体；80A：开闭门；90：控制装置；91：运算处理部；92：声音波形获取部；93：存储部(存储单元)；94：评价部；95：麦克风；100：旋转工作台(保持单元)；110：检测单元；111：主体；112：杆；112A：前端部；113：测量针；120：移动单元；121：保持支座；122：载台；200：晶片；201：背面(磨削面)；202：正面；205：保护带；210、211、212、213、216、217、218：轨迹(移动轨迹)；214：伤痕。具体实施方式参照附图，对用于实施本专利技术的方式(实施方式)进行详细说明。本专利技术并不被以下实施方式所记载的内容限定。另外，在以下所记载的构成要素中包含本领域技术人员能够容易想到的内容、实质上相同的内容。另外，以下所记载的构成可以适当组合。另外，可以在不脱离本专利技术的主旨的范围内进行构成的各种省略、置换或变更。根据附图对本实施方式进行说明。图1是作为本实施方式的晶片的评价装置的评价对象的晶片的立体图。图2是本实施方式的评价装置的结构例的立体图。本实施方式的晶片的评价装置是对图1所示的晶片200的背面201进行磨削并且对磨削后的背面(磨削面)201的磨削状态(粗糙度)进行评价的装置。晶片200例如是以硅作为母材的圆板状的半导体晶片或以蓝宝石、SiC(碳化硅)等作为母材的光器件晶片。如图1所示，晶片200在由正面202上所形成的格子状的分割预定线203划分的多个区域形成有器件204。如图2所示，晶片200按照在正面202上粘贴有保护带205的状态通过评价装置1对背面201实施磨削。保护带205形成为与晶片200相同的大小的圆板状，由具有挠性的合成树脂构成。评价装置(加工装置)1具有大致长方体形状的装置壳体2，在该装置壳体2的一端侧设置有垂直支承板4。在垂直支承板4的内侧面上设置有沿上下方向延伸的两对导轨6和导轨8。在一方的导轨6上以能够在上下方向上移动的方式安装有粗磨削单元10，在另一方的导轨8上以能够在上下方向上移动的方式安装有精磨削单元(磨削单元)12。粗磨削单元10包含：单元壳体14；磨削磨轮18，其安装于磨轮安装座16，该磨轮安装座16旋转自如地安装于该单元壳体14的下端；电动机20，其安装于单元壳体14的上端，使磨轮安装座16向逆时针方向旋转；以及移动基台22，其安装有单元壳体14。磨削磨轮18包含：环状的磨具基台18a；以及粗磨削用的磨削磨具18b，其安装于磨具基台18a的下表面上。在移动基台22上形成有一对被引导轨24，将这些被引导轨24以能够移动的方式与设置于垂直支承板4的导轨6嵌合，从而将粗磨削单元10支承为能够在上下方向上移动。在导轨6上设置本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片的评价装置，其特征在于，该晶片的评价装置具有：保持单元，其对晶片进行保持；磨削单元，其对该晶片进行磨削；测量针，其与通过该磨削单元进行了磨削的晶片的磨削面接触；移动单元，其以能够使该测量针移动的方式对该测量针进行保持；以及存储单元，其将按照该测量针与该磨削面接触的状态使该测量针与该磨削面相对地移动时所产生的声音作为磨削面的粗糙度信息进行存储。

【技术特征摘要】
2018.01.11 JP 2018-0028941.一种晶片的评价装置，其特征在于，该晶片的评价装置具有：保持单元，其对晶片进行保持；磨削单元，其对该晶片进行磨削；测量针，其与通过该磨削单元进行了磨削的晶片的磨削面接触；移动单元，其以能够使该测量针移动的方式对该测量针进行保持；以及存储单元，其将按照该测量针与该磨削面接触的状态使该测量针与该磨削面相对地移动时所产生的声音作为磨削面的粗糙度信息进行存储。2.一种晶片的评价方法，对晶片的...

【专利技术属性】
技术研发人员：广泽俊一郎，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP