【技术实现步骤摘要】
晶片的评价装置和晶片的评价方法
本专利技术涉及晶片的评价装置和晶片的评价方法,对晶片的磨削面的状态进行评价。
技术介绍
通常在正面上形成有半导体器件的由硅等构成的半导体晶片、形成有光器件的由蓝宝石、SiC(碳化硅)等构成的光器件晶片等各种晶片通过磨削磨具对背面侧进行磨削。作为对这种晶片进行加工的加工装置,已知有如下的加工装置:其具有:多个保持工作台,它们分别对晶片进行保持;转台,其配设有多个保持工作台;以及粗磨削用的磨削单元和精磨削用的磨削单元,它们通过转台进行旋转而依次定位于一个保持工作台的上方,按照粗磨削和精磨削的顺序连续地对一张晶片进行加工(例如,参照专利文献1)。在这种加工装置中,在进行了精磨削之后,有时为了评价晶片的品质而对晶片的磨削面的状态(粗糙度)进行确认。将晶片从加工装置中取出,使用专业的粗糙度测量器来进行晶片的磨削面的状态的确认。作为这种粗糙度测量器,提出了如下的粗糙度测量器:其具有按照上下方向移动自如的方式构成的平行连杆机构,在该平行连杆机构的可动侧的下侧安装触针,在可动侧的上侧安装反射镜,利用激光干涉计对该反射镜的位移量进行检测(例如,参照专 ...
【技术保护点】
1.一种晶片的评价装置,其特征在于,该晶片的评价装置具有:保持单元,其对晶片进行保持;磨削单元,其对该晶片进行磨削;测量针,其与通过该磨削单元进行了磨削的晶片的磨削面接触;移动单元,其以能够使该测量针移动的方式对该测量针进行保持;以及存储单元,其将按照该测量针与该磨削面接触的状态使该测量针与该磨削面相对地移动时所产生的声音作为磨削面的粗糙度信息进行存储。
【技术特征摘要】
2018.01.11 JP 2018-0028941.一种晶片的评价装置,其特征在于,该晶片的评价装置具有:保持单元,其对晶片进行保持;磨削单元,其对该晶片进行磨削;测量针,其与通过该磨削单元进行了磨削的晶片的磨削面接触;移动单元,其以能够使该测量针移动的方式对该测量针进行保持;以及存储单元,其将按照该测量针与该磨削面接触的状态使该测量针与该磨削面相对地移动时所产生的声音作为磨削面的粗糙度信息进行存储。2.一种晶片的评价方法,对晶片的...
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