一种应用于单晶锻造炉的同轴水冷电缆制造技术

本发明专利技术提供了一种应用于单晶锻造炉的同轴水冷电缆，包含内电缆层和外电缆层，其中，所述内电缆层套设于第一水冷管道的外周，所述内电缆层和外电缆层之间设有第二水冷管道，且所述内电缆层和第二水冷管道之间设有隔离层。本发明专利技术提供的应用于单晶锻造炉的同轴水冷电缆，由于其内电缆层和外电缆层分别配置了水冷管道，且两个水冷管道的流向相反，有利于提升该同轴水冷电缆的散热能力；同时，该同轴水冷电缆降低了磁场感应发热窗口易被烧损的风险，提高了感应器区域的热效应。

A Coaxial Water-cooled Cable for Single Crystal Forging Furnace

【技术实现步骤摘要】
一种应用于单晶锻造炉的同轴水冷电缆
本专利技术涉及电缆
，尤其涉及一种应用于单晶锻造炉的同轴水冷电缆。
技术介绍
在科技飞速发展的今天，真空感应定向单晶锻造炉起到了非常重要的作用。现有的单晶锻造炉的温度梯度小，最高温度低，炉内温度上升速度缓慢，温度检测点少，且在后期冷却过程中，温度下降缓慢。然而，炉子震动以及电缆通过电流震动会影响单晶生成。无法满足高精度、高强度涡轮叶片加工的需求。水冷铜电缆是真空感应熔炼设备中抵消磁场、消除窗口感应发热的有效方法。为了防止电缆连接电极的窗口磁场感应发热，以往的水冷电缆阴极、阳极都是由二根单独的水冷电缆连接而成。其通过窗口加大的水冷冷却，使得感应器电磁能产生的一部分热能被分散后带走。然而，该冷却方式，降低了产品的质量，使熔炼的耗能增加，成材率下降，增加了生产成本。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于针对现有技术的不足，提供一种应用于单晶锻造炉的同轴水冷电缆，解决现有水冷电缆能耗较高的问题。本专利技术所要解决的技术问题是通过如下技术方案实现的：一种应用于单晶锻造炉的同轴水冷电缆，包含内电缆层和外电缆层，其中，所述内电缆层套设于第一水冷管道的外周，所述内电缆层和外电缆层之间设有第二水冷管道，且所述内电缆层和第二水冷管道之间设有隔离层。特别的，所述第一水冷管道的横截面积至少为所述第二水冷管道的横截面积的2倍。特别的，所述第一水冷管道具有第一进水口和第一出水口，且所述第一进水口和第一出水口均轴向设置。特别的，所述第一水冷管道具有第二进水口和第二出水口，且所述第二进水口和第二出水口均径向设置。特别的，所述第一进水口及第二出水口均位于所述同轴水冷电缆的第一端，所述第一出水口及第二进水口均位于所述同轴水冷电缆的第二端。特别的，所述内电缆层通过内密封环、卡环与所述隔离层进行密封固定。特别的，所述隔离层外周设有锁紧螺帽及铜隔圈，所述锁紧螺帽及铜隔圈配置为将所述隔离层锁紧固定于所述内电缆层的外周。特别的，所述外电缆层通过第一内密封圈、第二内密封圈及第三外密封圈与所述隔离层进行密封固定。特别的，所述外电缆层的外周设有绝缘卡环，所述绝缘卡环位于所述第二水冷管道的第二出水口的内侧。本专利技术提供的应用于单晶锻造炉的同轴水冷电缆，由于其内电缆层和外电缆层分别配置了水冷管道，且两个水冷管道的流向相反，有利于提升该同轴水冷电缆的散热能力；同时，该同轴水冷电缆降低了磁场感应发热窗口易被烧损的风险，提高了感应器区域的热效应。附图说明图1为本专利技术中一种实施例的应用于单晶锻造炉的同轴水冷电缆的整体结构示意图；图2为图1中同轴水冷电缆的横截面的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行详细的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。如图1和图2所示，本实施例中的应用于单晶锻造炉的同轴水冷电缆，包含内电缆层1和外电缆层2，且内电缆1和外电缆层2之间设有隔离层7。其中，内电缆层1套设于第一水冷管道101的外周，隔离层7与外电缆层2之间设有第二水冷管道201(也即隔离层7位于内电缆层1和第二水冷管道201之间)。具体的，第一水冷管道101具有第一进水口1011和第一出水口1012，且所述第一进水口1011和第一出水口1012均轴向设置；第二水冷管道201具有第二进水口2011和第二出水口2012，且所述第二进水口2011和第二出水口2012均径向设置。可选的，第一水冷管道101和第二水冷管道201的流向相反，使得更好的对该同轴水冷电缆进行散热。具体的，所述第一进水口1011及第二出水口2012均位于所述同轴水冷电缆的第一端，所述第一出水口1012及第二进水口2011均位于所述同轴水冷电缆的第二端。根据本申请的一个实施例，所述第一水冷管道的横截面积至少为所述第二水冷管道的横截面积的2倍。也即，第一水冷管道101的横截面尽量做大。如图2所示，隔离层7外侧设有内密封环8、卡环10、锁紧螺帽6及铜隔圈9。其中，内电缆层1通过内密封环8、卡环10与所述隔离层7进行密封固定，且所述锁紧螺帽6及铜隔圈9配置为将所述隔离层7锁紧固定于所述内电缆层1的外周。具体的，外电缆层2通过第一内密封圈15、第二内密封圈16及第三外密封圈14与所述隔离层7进行密封固定。根据本申请的一个实施例，外电缆层2的外周设有绝缘卡环11，所述绝缘卡环11位于所述第二水冷管道201的第二出水口2012的内侧。该同轴水冷电缆的第一端分别设有第一连接座3和第二连接座4，且第一连接座3和第二连接座4配置为连接电源。同轴水冷电缆的第二端设有第三连接座5，第三连接座5配置为连接感应器。且同轴水冷电缆的第二端通过平垫圈12及细牙薄螺帽13进行锁紧固定。本专利技术提供的应用于单晶锻造炉的同轴水冷电缆，具有以下优点：1、结构简单、占有空间小；2、降低了磁场感应发热窗口易被烧损的风险，提高了感应器区域的热效应；3、可消除熔炼时电极入口的感应发热，提高感应熔炼效率，并可消除单晶结晶成长所带来的震动，提高了单晶生长成材率，降低了材料成本。需要说明的是，在本文中，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语均应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；“相连”可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或单元必须具有特定的方向、以特定的方位构造和操作，因此，不能理解为对本专利技术的限制。诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其它变体意在涵盖非排它性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。以上所述的具体实施方式，对本专利技术的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明。所应理解的是，以上所述仅为本专利技术的具体实施方式而已，并不用于限定本专利技术的保护范围，凡在本专利技术的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种应用于单晶锻造炉的同轴水冷电缆，包含内电缆层和外电缆层，其特征在于，所述内电缆层套设于第一水冷管道的外周，所述内电缆层和外电缆层之间设有第二水冷管道，且所述内电缆层和第二水冷管道之间设有隔离层。

【技术特征摘要】
1.一种应用于单晶锻造炉的同轴水冷电缆，包含内电缆层和外电缆层，其特征在于，所述内电缆层套设于第一水冷管道的外周，所述内电缆层和外电缆层之间设有第二水冷管道，且所述内电缆层和第二水冷管道之间设有隔离层。2.如权利要求1所述的同轴水冷电缆，其特征在于，所述第一水冷管道的横截面积至少为所述第二水冷管道的横截面积的2倍。3.如权利要求1所述的同轴水冷电缆，其特征在于，所述第一水冷管道具有第一进水口和第一出水口，且所述第一进水口和第一出水口均轴向设置。4.如权利要求3所述的同轴水冷电缆，其特征在于，所述第一水冷管道具有第二进水口和第二出水口，且所述第二进水口和第二出水口均径向设置。5.如权利要求4所述的同轴水冷电缆，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：艾小东，朱兴发，李亚逸，朱伟，陈睿，
申请(专利权)人：苏州振吴电炉有限公司，苏州振湖电炉有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32