高性能屏蔽电缆制造技术

本发明专利技术涉及高性能屏蔽电缆。具体地，本发明专利技术涉及一种信号传递性能优越可作为高性能音响电缆，同时电缆内/外部屏蔽性能优越可实现轻量化及小型化的高性能屏蔽电缆。

High Performance Shielded Cable

【技术实现步骤摘要】
高性能屏蔽电缆
本专利技术涉及高性能屏蔽电缆。具体地，本专利技术涉及一种信号传递性能优越可作为高性能音响电缆，同时电缆内/外部屏蔽性能优越可实现轻量化及小型化的高性能屏蔽电缆。
技术介绍
图1是概略地图示现有的屏蔽电缆的横截面的结构图。如图1所示，现有的屏蔽电缆可包括一个以上的芯，其包括包裹导体10和所述导体10的绝缘体20；第一护套40，其用于整体上包裹所述芯；用于填充的填充材料30，其填充所述芯和所述第一护套40之间的空间；金属屏蔽片条50，其用于包裹所述第一护套；以及第二护套60，其用于包裹所述金属屏蔽片条50。现有技术中作为用于电缆的导体10而使用最广的金属是铜，其中，紫铜(ToughPitchCopper；TPC)，是一种通过电解排列，杂质含量少且导电率优异的铜。目前，一般电缆的导体10几乎大部分使用紫铜(TPC)，但是用于传递音响及信号等特殊目的而使用的高性能电缆的导体倾向于使用高价但高品质的铜导体。尤其，根据物理学上所揭晓的事实，铜电阻的92％为铜自身具有的结构性电阻，而剩余的8％为杂质及缺陷所导致的电阻，为了实现高分辨率、高输出等，使用高纯度的无氧铜(OxygenFreeCopper；OFC)，但是即使将所述铜导体的纯度提升99.999至99.9999％，电阻仍会保持在1.67×10-8Ω㎝水平且不再减少。另外，为了获取高品质的铜导体，不仅去除杂质十分重要而且铜金属的晶体形状也十分重要。通常金属是由晶体构成，这种晶体具有分界面，这种晶粒会妨碍电流及信号的流动。即，在所述铜导体中，相同面积内晶体的面积越大，晶粒的数量越少，这有利于电流及信号流动，结果导致包括所述铜导体的电缆可实现轻量化及小型化。此外，对于所述铜导体，在相同面积内晶体越大晶体间的分界面越小，从而可最小化基于这种分界面而产生的晶间腐蚀。进而，现有技术中，电缆包括多个芯的情况下，各个芯中包括的导体10中有电流流动时，射出所述芯外部的电磁波会在电缆内/外部影响信号流动，通过金属屏蔽片条50虽然可一定程度上抑制向电缆外部射出电磁波，但是电缆内部的电磁波放射问题依然存在。因此，现状是急需一种信号传递优秀可作为高性能音响电缆使用，同时电缆内/外部屏蔽性能优秀可实现轻量化及小型化的高性能屏蔽电缆。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种信号传递优越可作为高性能音响电缆使用，同时电缆内/外部屏蔽性能优越的高性能屏蔽电缆。此外，本专利技术的目的在于，提供一种可实现轻量化及小型化的高性能屏蔽电缆。为了解决所述技术问题，本专利技术提供一种高性能屏蔽电缆，包括：导体；包裹所述导体的绝缘体；包裹所述绝缘体的屏蔽层；以及包裹所述屏蔽层的护套层，所述导体沿着长度方向包括单晶区域。此处，提供一种高性能屏蔽电缆，其特征为，所述导体的横截面为圆形，经过所述圆形中心的长度方向的任意纵截面中，所述单晶区域的面积率为50％以上。此外，提供一种高性能屏蔽电缆，其特征为，所述单晶区域沿着所述导体长度方向所有晶粒的长度为100μm以上。此外，提供一种高性能屏蔽电缆，其特征为，所述导体沿着长度方向包括多晶区域，沿着所述导体的直径方向所述单晶区域与所述多晶区域交替布置。其中，提供一种高性能屏蔽电缆，其特征为，所述导体的横截面为圆形，经过所述圆形中心的长度方向的任意纵截面中，所述单晶区域的面积率为50至90％，所述多晶区域的面积率为10至50％。另外，提供一种高性能屏蔽电缆，其特征为，所述导体的比电阻为1.72×10-8Ωcm以下。此外，提供一种高性能屏蔽电缆，其特征为，所述屏蔽层包括超导碳素纤维填充材料。其中，提供一种高性能屏蔽电缆，其特征为，所述超导碳素纤维填充材料为单纤维数为24K以下。此外，提供一种高性能屏蔽电缆，其特征为，所述超导碳素纤维填充材料中部分碳素纤维单纤维表面被金属包裹。另外，提供一种高性能屏蔽电缆，其特征为，所述护套层是通过软管式护套工艺而形成的。专利技术效果本专利技术涉及的高性能屏蔽电缆，通过沿着导体的长度方向适当地分配单晶区域和多晶区域，在大大提升信号传递性能的同时通过实现自身(self)屏蔽功能，提升内/外部屏蔽性能，表现出优异的效果。此外，本专利技术涉及的高性能屏蔽电缆由于自身的信号传递性能优越且内/外部屏蔽性能优越，通过减少导体的个数、直径及屏蔽层厚度，可实现轻量化及小型化，表现出优异的效果。附图说明图1是概略地图示现有的屏蔽电缆的横截面的结构图。图2是概略地图示本专利技术一实施例涉及的高性能屏蔽电缆的横截面示意图。图3a、3b是图2所示的导体的部分纵截面相片及概略地图示所述导体的部分纵截面示意图。图4a、4b概略地图示了图3a、3b中沿着导体的长度方向单晶区域和多晶区域中的信号流动。附图标记：100：导体200：绝缘体300：屏蔽层400：护套层具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的优秀实施例进行说明。但是，本专利技术并非受限于此处说明的实施例，也可以以其他形态实施。相反，此处说明的实施例是为了能够使公开的内容更加清楚和全面，以及为了能够向本
的技术人员充分地传递本专利技术的技术思想而提供的。贯穿说明书全部，相同的附图标识显示相同的组成要素。图2是概略地图示本专利技术一实施例涉及的高性能屏蔽电缆的横向剖面图。如图2所示，本专利技术涉及的高性能屏蔽电缆可包括导体100、包裹所述导体100的绝缘体200、包裹所述绝缘体200的屏蔽层300、包裹所述屏蔽层300的护套层400等。所述导体100由铜构成，优选地，由高纯度的无氧铜(OxygenFreeCopper；OFC)构成，所述导体100的比电阻可以是1.72×10-8Ω㎝以下。图3a、3b是图2所示的导体的部分纵截面相片及概略地图示所述导体的部分纵向剖面图，图4a、4b概略地图示了图3中沿着导体的长度方向单晶区域和多晶区域中的信号流动。如图3a、3b所示，所述导体100沿着长度方向可混合地具有单晶区域和多晶区域，优选地，沿着所述导体100的直径方向可交替地布置有单晶区域和多晶区域。所述单晶区域是指铜原子以无缝隙或者以最小的缝隙的紧密结构填充且具有周期性原子排列的区域。例如，所述单晶区域沿着导体100的长度方向所有晶粒的长度为100μm以上，优选地，是指1000至10000μm的区域，优选地，沿着导体100的直径方向所有晶粒的宽度可为3至10μm。如图3b和4a所示，所述单晶区域由于不存在或者最小化可使通过该区域的信号发生散乱或者消灭的晶粒分界面，使传送的信号维持不变，所以可大大提升所述导体100的信号传送性能，从而可减少电缆中导体的个数和直径，实现电缆的轻量化及小型化。此外，如图3b和图4b所示，所述多晶区域是指铜原子之间由于存在空隙而发生重叠的原子之间具有相互不同的方向性的区域，由于存在多个晶粒分界面，使从所述单晶区域放射的电磁波信号或者从外部电缆或者电子装置放射的电磁波信号产生散乱并消灭，可执行自身(self)屏蔽功能，由于可减少所述屏蔽层300的厚度，从而可实现电缆的轻量化及小型化。此外，为了阻断从外部电缆或者电阻装置放射的电磁波信号，所述多晶区域优选布置在所述导体100的表面侧。所述导体100的横截面为圆形，经过所述圆形中心的长度方向上的任意纵截面中所述单晶区域的面积率，即所述纵截面的整体切面面积中所述单晶区域的总面积本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高性能屏蔽电缆，其包括：导体；包裹所述导体的绝缘体；包裹所述绝缘体的屏蔽层；以及,包裹所述屏蔽层的护套层，其特征在于：所述导体沿着长度方向包括单晶区域。

【技术特征摘要】
2017.12.19 KR 10-2017-01749861.一种高性能屏蔽电缆，其包括：导体；包裹所述导体的绝缘体；包裹所述绝缘体的屏蔽层；以及,包裹所述屏蔽层的护套层，其特征在于：所述导体沿着长度方向包括单晶区域。2.如权利要求1所述的高性能屏蔽电缆，其特征在于，所述导体的横截面为圆形，经过所述圆形中心的长度方向的任意纵截面中，所述单晶区域的面积率为50％以上。3.如权利要求1或者2所述的高性能屏蔽电缆，其特征在于，所述单晶区域沿着所述导体长度方向所有晶粒的长度为100μm以上。4.如权利要求1或者2所述的高性能屏蔽电缆，其特征在于，所述导体沿着长度方向包括多晶区域，沿着所述导体的直径方向所述单晶区域与所述多晶区域交替布置...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴玄先，
申请(专利权)人：朴玄先，
类型：发明
国别省市：韩国,KR