芯片结构制造技术

本发明专利技术公开一种芯片结构，其包括芯片主体以及多个导电凸块。芯片主体包括有源面以及配置于有源面上的多个凸块接垫。多个导电凸块配置于芯片主体的有源面并分别连接至多个凸块接垫，且至少一导电凸块具有梯形形状，该梯形形状具有一对平行边以及一对非平行边。

Chip structure

【技术实现步骤摘要】
芯片结构
本专利技术涉及一种半导体结构，且特别是涉及一种芯片结构。
技术介绍
半导体装置正朝着高安装密度、高容量以及每一半导体芯片能更小型化的方向发展，以满足对小型多功能电子元件的迫切需求。随着每个芯片中需内置更多功能，所需焊垫(bondingpad)的数量增加，而增加了芯片的尺寸，导致每一半导体芯片的制造成本也随之增加。假使可以在半导体芯片的边缘提高每单位长度的焊垫安装量，则可以降低成本。欲缩小焊垫间的间距，即缩小相邻两焊垫之间的距离是有限制的。当相邻两焊垫之间的间距过细时，焊垫和相对应的内引线(innerlead)之间的接合精度会下降，且会产生电性缺陷。电性缺陷包括连接内引线与焊垫时，作为接合材料的相邻两凸块间的短路。电性缺陷也包括当凸块与焊垫之间的接触面积不足时，会导致凸块的接合强度(shearstrength)不足。接合强度不足会增加引线与焊垫之间的连接被破坏的机会。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种可具有较高接合强度的导电凸块的芯片结构，以使其具有较高良率。本专利技术提供一种芯片结构包括芯片主体以及多个导电凸块。芯片主体包括有源面以及配置于有源面上的多个凸块接垫。多个导电凸块配置于芯片主体的有源面并分别连接至多个凸块接垫，且至少一导电凸块具有梯形形状，该梯形形状具有一对平行边以及一对非平行边。本专利技术还提供一种芯片结构包括芯片主体以及多个导电凸块。芯片主体包括有源面以及配置于有源面上的接合部分的多个凸块接垫。多个导电凸块配置于芯片主体的有源面上的接合部分并分别连接至多个凸块接垫。至少一导电凸块包括一对平行边以及一对非平行边，且每一导电凸块具有长轴，导电凸块的长轴互相交叉于多个交叉点。本专利技术又提供一种芯片结构包括具有有源面的芯片主体以及配置于有源面上的多个凸块接垫。多个导电凸块配置于芯片主体的有源面上并分别连接至多个凸块接垫，其中至少一导电凸块具有一对平行边，且平行边的一边具有第一宽度，而平行边的另一边具有第二宽度，第二宽度大于第一宽度。基于上述，本专利技术实施例的芯片结构可以包括至少一具有梯形形状的导电凸块。每一导电凸块可以具有长轴，而导电凸块的长轴互相交叉于多个交叉点。通过这样的设置，导电凸块与芯片主体之间的接触面积可以增加，以改善导电凸块于影响期间的接合强度。据此，具有梯形形状的导电凸块的芯片结构可以提供更好的可靠度与良率以满足细间距的需求。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。附图说明图1是具有本专利技术一实施例的芯片结构的显示面板的局部俯视示意图；图2是本专利技术一实施例的芯片结构的局部放大示意图；图3是本专利技术一实施例的芯片结构的局部放大示意图；图4是本专利技术一实施例的芯片结构的导电凸块的示意图；图5是本专利技术一实施例的芯片结构的导电凸块的示意图；图6是本专利技术一实施例的芯片结构的局部放大示意图；图7是本专利技术一实施例的芯片结构的局部放大示意图。符号说明10：显示面板100、100a、100b、100c：芯片结构110：芯片主体120、120a、120b、120c、120’、120”：导电凸块112：有源面114：凸块接垫200：玻璃基板210：有源区域220：周边区域212：像素阵列S1、S2、S3、S4：边A1：长轴R1：接合部分CL：中心线θ1：角度E1：边缘h1：长度L1：凸块宽度/短边长度具体实施方式有关本专利技术的前述及其他
技术实现思路
、特点与功效，在以下配合参考附图的各实施例的详细说明中，将可清楚的呈现。以下实施例中所提到的方向用语，例如：「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」等，仅是参考附加的附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本专利技术。并且，在下列各实施例中，相同或相似的元件将采用相同或相似的标号。图1是具有本专利技术一实施例的芯片结构的显示面板的局部俯视示意图。图2是依据本专利技术一实施例的芯片结构的局部放大示意图。应注意的是，为了说明的目的，以透视方式绘示图1中芯片结构100的芯片主体110。请参照图1及图2。在本实施例中，芯片结构100包括芯片主体110以及多个导电凸块120。多个导电凸块120沿着芯片主体110的每一边设置成一行或多行(图1所示为沿着每一边设置一行)。在本实施例中的芯片结构100可以应用于如图1所示的显示面板10中。举例而言，显示面板10可以是液晶显示(Liquidcrystaldisplay,LCD)面板或发光二极管(LightEmittingDiode,LED)显示面板，如有机发光二极管(OLED)显示面板，但本专利技术不以此为限。在一些实施例中，芯片主体110可以包括硅基板、锗基板、砷化镓(GaAs)基板、铝基板、氧化锆基板、氮化硅基板、玻璃基板、陶瓷如碳化硅基板，或其他适宜的绝缘基板。芯片主体110包括有源面112以及配置于有源面112上的多个凸块接垫114。导电凸块120配置于芯片主体110的有源面112上。在一些实施例中，导电凸块120分别连接至对应的凸块接垫114。在本实施例中，显示面板10可以包括玻璃基板200。玻璃基板200包括有源区域210以及连接至有源区域210的一侧的周边区域220。在本实施例中，玻璃基板200还可包括像素阵列212以及多条扇出(fan-out)线路。多个像素电极以阵列的形式设置在有源区域210上，以形成像素阵列212。周边区域220可以配置于有源区域210的一侧，且扇出线路配置于周边区域220上，以如图1所示的连接像素阵列212与芯片结构100。在一些实施例中，芯片结构100可以设置于玻璃基板200的周边区域220上。换句话说，芯片结构100可以是玻璃倒装(chiponglass,COG)结构。在一些实施例中，芯片结构100可以经由导电凸块120设置于基板上，且基板可以是接合于玻璃基板200上的弹性薄膜。换句话说，芯片结构100可以是薄膜倒装(chiponfilm,COF)结构。在另一些实施例中，基板200可以是塑胶弹性薄膜，且芯片结构100经由导电凸块120安装于塑胶弹性薄膜的周边区域220上。换句话说，芯片结构100可以是塑胶倒装(chiponplastic,COP)结构。在一些实施例中，芯片结构100可以是安装于周边区域220上且可以包括处理器，以驱动显示面板10的驱动集成电路(driverIC)。在本实施例中，芯片结构100可以整合有至少一被动装置如电阻、电容、电感或其组合。然而，本实施例仅用于说明，本专利技术不限制芯片结构100的类型。在其他的实施例中，芯片结构100可以是闪存存储器(flashmemory)芯片。请参照图2，在一些实施例中，导电凸块120中的至少一个具有梯形的形状，其具有一对平行边S1、S2以及一对非平行边S3、S4。在本实施例中，每一导电凸块120具有长轴A1，而导电凸块120的长轴A1互相交叉于多个交叉点(如图所示)。换句话说，导电凸块120的长轴A1不会汇聚于一点。在可替换的实施例中，导电凸块120的长轴A1可以汇聚于一点。在本实施例中，每一平行边S1、S2比每一非平行边S3、S4短。在一些实施例中，多个导电凸块120中的相邻两者之间的间距(边到边的距离)相同及/或导电凸块120的面积也可以相同。通过导电凸块120具有梯形形状的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片结构，包括：芯片主体，包括有源面以及配置于所述有源面上的多个凸块接垫；以及多个导电凸块，配置于所述芯片主体的所述有源面上，且分别连接至所述多个凸块接垫，其中所述多个导电凸块的至少其中之一具有梯形形状，该梯形形状具有一对平行边以及一对非平行边。

【技术特征摘要】
2017.12.27 US 62/610,525;2018.07.10 US 16/030,8641.一种芯片结构，包括：芯片主体，包括有源面以及配置于所述有源面上的多个凸块接垫；以及多个导电凸块，配置于所述芯片主体的所述有源面上，且分别连接至所述多个凸块接垫，其中所述多个导电凸块的至少其中之一具有梯形形状，该梯形形状具有一对平行边以及一对非平行边。2.如权利要求1所述的芯片结构，其中所述多个导电凸块中的每一个具有长轴，且所述导电凸块的所述长轴互相交叉于多个交叉点。3.如权利要求1所述的芯片结构，其中所述平行边中的每一个比所述非平行边中的每一个短。4.如权利要求1所述的芯片结构，其中所述多个导电凸块包括具有等腰梯形的形状的中心导电凸块。5.如权利要求4所述的芯片结构，其中所述多个导电凸块还包括具有钝角梯形的形状的多个非中心导电凸块，且所述多个非中心导电凸块位于所述中心导电凸块的两侧。6.如权利要求5所述的芯片结构，其中所述多个非中心导电凸块以所述中心导电凸块为中心而呈对称设置。7.如权利要求5所述的芯片结构，其中所述多个非中心导电凸块以所述中心导电凸块为中心而呈不对称设置。8.如权利要求1所述的芯片结构，其中所述多个导电凸块以设置所述多个导电凸块的接合部分的中心线为中心而呈对称设置。9.如权利要求1所述的芯片结构，其中所述多个导电凸块以配置所述多个导电凸块的接合部分的中心线为中心而呈不对称设置。10.如权利要求1所述的芯片结构，其中所述多个导电凸块中的每一个具有包括夹在所述平行边的其中一者与所述非平行边中的其中一者之间的锐内角，且所述多个导电凸块中的每一个的所述锐内角的角度随着所述锐内角越靠近所述多个导电凸块的中心导电凸块而增加。11.如权利要求1所述的芯片结构，其中所述多个导电凸块中的每一个的所述平行边包括短边以及长边，相较于所述多个导电凸块中的每一个的所述长边，连接所述多个导电凸块中的每一个的所述凸块接垫较靠近所述多个导电凸块中的每一个的所述短边。12.如权利要求1所述的芯片结构，其中所述多个导电凸块中的每一个的所述平行边包括短边以及长边，相较于所述多个导电凸块中的每一个的所述短边，连接所述多个导电凸块中的每一个的所述凸块接垫较靠近所述多个导电凸块中的每一个的所述长边。13.如权利要求1所述的芯片结构，其中所述多个导电凸块中的每一个的所述平行边包括短边以及长边，连接所述多个导电凸块中的每一个的所述凸块接垫与所述多个导电凸块中的每一个的所述长边之间的距离及其与所述多个导电凸块中的每一个的所述短边之间的距离相同。14.如权利要求1所述的芯片结构，其中所述多个导电凸块中的每一个的所述平行边包括短边以及长边，所述短边较靠近所述芯片主体中的外侧区域，而所述长边较靠近所述芯片主体的内侧区域。15.如权利要求1所述的芯片结构，其中所述多个导电凸块中的每一个的所述平行边包括短边以及长边，所述短边位于较靠近所述芯片主体中的内侧区域，而所述长边位于较靠近所述芯片主体的外侧区域。16.如权利要求1所述的芯片结构，其中所述导电凸块包括至少一第一导电凸块以及与所述至少一第一导电凸块交替设置的至少一第二导电凸块，所述至少一第一导电凸块的所述平行...

【专利技术属性】
技术研发人员：李怜洁，黄巧伶，
申请(专利权)人：联咏科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71