【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种显示屏的像素电路，尤其涉及一种可消除临界电压偏移的显示屏的像素电路结构。
技术介绍
1、在各种次世代显示技术中，微型有机发光二极管(micro organic lightemitting diode，micro-oled)面板的重要性近年来逐渐提升。有别于传统发光二极管或有机发光二极管面板其屏幕构建在玻璃基板上的方式，微型有机发光二极管面板的屏幕是直接贴装在硅晶圆上，这种硅基(silicon-based)实施方式可实现大量好处，如体积小、重量轻、功耗低、发光效率高、对比度高、像素密度高等。凭借以上优势，微型有机发光二极管面板特别适用于扩增实境(augmented reality，ar)和虚拟实境(virtual reality，vr)的应用。
2、然而，在硅基实施方式中，用来控制像素中驱动晶体管的数据电压落在大约200mv～300mv的操作范围，远小于相同像素结构下基于薄膜晶体管(thin-film transistorbased，tft-based)的数据电压的操作范围，这是因为硅基实施方式中晶体管的组件...
【技术保护点】
1.一种显示屏的像素电路，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，该第二晶体管还耦接至一数据线，以接收一显示数据。
3.如权利要求2所述的像素电路，其特征在于，该显示数据通过该第二电容耦合至该驱动晶体管。
4.如权利要求2所述的像素电路，其特征在于，该显示数据是以根据该第一电容及该第二电容所决定的一比例耦合至该驱动晶体管。
5.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，该第二电容包括：
6.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，该第一电容包括：
7.如权利要求1所述的像素电...
【技术特征摘要】
1.一种显示屏的像素电路，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，该第二晶体管还耦接至一数据线，以接收一显示数据。
3.如权利要求2所述的像素电路，其特征在于，该显示数据通过该第二电容耦合至该驱动晶体管。
4.如权利要求2所述的像素电路，其特征在于，该显示数据是以根据该第一电容及该第二电容所决定的一比例耦合至该驱动晶体管。
5.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，该第二电容包括：
6.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，该第一电容包括：
7.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，该第五晶体管耦接于该驱动晶体管的该栅极端，以传送一初始电压至该驱动晶体管。
8.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，该第五晶体管耦接于该驱动晶体管的该第一端，以传送一初始电压至该驱动晶体管。
9.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，该第一晶体管还耦接至一电源供应端，以接收一电源供应电压。
10.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，该驱动晶体管的该第一端为该驱动晶体管的一漏极端，且该驱动晶体管的该第二端为该驱动晶体管的一源极端。
11.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，在一初始阶段中，该第二晶体管、该第三晶体管及该第五晶体管导通，且该第一晶体管及该第四晶体管断开。
12.如权利要求11所述的像素电路，其特征在于，一初始电压是在该初始阶段中通过该第五晶体管输入该像素电路。
13.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，在一补偿阶段中，该第一晶体管、该第二晶体管及该第三晶体管导通，且该第四晶体管及该第五晶体管断开。
14.如权利要求13所述的像素电路，其特征在于，一补偿信息是在该补偿阶段中写入该第一电容及该第二电容当中至少一者。
15.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，在一扫描阶段中，该第二晶体管及该第三晶体管导通，且该第一晶体管、该第四晶体管及该第五晶体管断开。
16.如权利要求15所述的像素电路，其特征在于，一显示数据是在该扫描阶段中通过该第二晶体管输入该像素电路。
17.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，在一发光阶段中，该第一晶体管及该第四晶体管导通，且该第二晶体管、该第三晶体管及该第五晶体管断开。
18.如权利要求17所述的像素电路，其特征在于，该第四晶体管将一驱动电流从该驱动晶体管传...
【专利技术属性】
技术研发人员：萧圣文，
申请(专利权)人：联咏科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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