场效应晶体管制造技术

本公开提供一种场效应晶体管，涉及半导体技术领域。该场效应晶体管，包括：衬底，位于衬底上阱区，阱区中包括沟道区、LDD区、和具有第一掺杂类型的源区与具有第二掺杂类型的漏区；位于沟道区上的栅氧化层和多晶硅栅极；位于多晶硅栅极两侧的侧壁间隔物；其中，LDD区注入有氟离子，栅氧化层位于LDD区域上方和靠近LDD区的部分厚度增加5埃以上。注入的氟离子取代栅极氧化物中的氧，被取代的氧原子继续和硅反应，使得LDD区域靠近栅极附近的氧化层厚度增加；在器件操作时，可降低栅极与LDD区间的电场，减少热载子效应所产生的漏电流，提升器件操作时的可靠度，使器件工作寿命增加。

【技术实现步骤摘要】
场效应晶体管
本公开涉及晶体管
，具体涉及一种场效应晶体管。
技术介绍
在现代工艺金属氧化物半导体(MOS，Metal-Oxide-Semiconductor)晶体管结构中，当器件通道尺寸进入微米世代下，器件在主动操作过程中，临界电压会因高浓度漏极区与阱区交界附近的势垒在高漏极偏压作用下更加减少，引起漏致势垒降低(DIBL，Drain-InducedBarrierLowering)效应，使得短通道效应变得更为严重，因此引入了轻掺杂漏极区(LDD，LightlyDopedDrain)设计。然而随着半导体制作技术不断进步，器件沟道尺寸进入纳米级别时，由于PN结分布空间缩短以与栅极氧化层厚度不断微缩数个奈米距离时，更加深了短通道效应以及热载子注入效应对器件特性的影响，对下一世代组件开发设计上的挑战更加困难。因此，如何有效抑制短沟道效应所造成临界电压的大幅降低，以及如何抑制热载子注入效应所带来的器件操作特性的恶化，增加器件操作寿命的可靠度，成为非常重要课题且亟须解决。需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底，位于所述衬底上阱区，所述阱区中包括沟道区、LDD区、和具有第一掺杂类型的源区与具有第二掺杂类型的漏区；位于所述沟道区上的栅氧化层和多晶硅栅极；位于所述多晶硅栅极两侧的侧壁间隔物；其中，所述LDD区注入有氟离子，所述栅氧化层位于LDD区域上方和靠近LDD区的部分厚度增加5埃以上。

【技术特征摘要】
1.一种场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底，位于所述衬底上阱区，所述阱区中包括沟道区、LDD区、和具有第一掺杂类型的源区与具有第二掺杂类型的漏区；位于所述沟道区上的栅氧化层和多晶硅栅极；位于所述多晶硅栅极两侧的侧壁间隔物；其中，所述LDD区注入有氟离子，所述栅氧化层位于LDD区域上方和靠近LDD区的部分厚度增加5埃以上。2.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡宗叡，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34