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本公开提供一种场效应晶体管，涉及半导体技术领域。该场效应晶体管，包括：衬底，位于衬底上阱区，阱区中包括沟道区、LDD区、和具有第一掺杂类型的源区与具有第二掺杂类型的漏区；位于沟道区上的栅氧化层和多晶硅栅极；位于多晶硅栅极两侧的侧壁间隔物；其...
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