二极管器件及其制造工艺制造技术

本发明专利技术提供了二极管器件，包括氧化层和掺杂多晶硅区，及顺序设置且电性导通的阴极金属、N型重掺杂区、N型轻掺杂区、P型掺杂区、势垒层和阳极金属；还提供了二极管器件的制造工艺：在N型轻掺杂区上外延生长出P型掺杂区；自P型掺杂区向内蚀刻至N型轻掺杂区内，形成挖槽区；在P型掺杂区和N型轻掺杂区表面形成氧化层；利用掺杂多晶硅填满覆盖有氧化层的挖槽区；在P型掺杂区上溅射金属形成势垒层，在势垒层上沉积阳极金属；正向通电时，通过P型掺杂区与势垒层的肖特基接触来实现低导通电压；反向通电时，通过P型掺杂区与N型轻掺杂区形成的PN结来实现高反向耐压。

Diode Device and Its Manufacturing Technology

【技术实现步骤摘要】
二极管器件及其制造工艺
本专利技术属于半导体器件
，更具体地说，是涉及一种二极管器件及其制造工艺。
技术介绍
肖特基二极管具有比普通二极管正向导通低、反向恢复时间短的特点，主要应用在整流、续流电路中。如图11所示，现有的肖特基二极管包括：阳极金属1、势垒层2、介质氧化层9、N型轻掺杂区4、N型重掺杂区5和阴极金属6。正向导通时，阳极金属1加正向电压，当超过势垒层2内建电势时，器件导通，多数载流子参与导电(即多子参与导电)，所以反向恢复时较快，无拖尾现象。然而，现有的肖特基二极管的势垒结构采用的是金属-半导体的结构，其反向耐压一般做的比较低，例如利用金属-硅半导体做势垒结构的肖特基二极管，反向耐压一般做在200V以内，在高压应用场合受到限制。
技术实现思路
本专利技术的一种目的之一在于提供一种二极管器件，以解决现有技术中的肖特基二极管反向耐压低的技术问题。为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：二极管器件，包括顺序设置的阴极金属、N型重掺杂区、N型轻掺杂区、P型掺杂区、势垒层和阳极金属，所述阴极金属、所述N型重掺杂区、所述N型轻掺杂区、所述P型掺杂区、所述势垒层和所述阳极金属电性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二极管器件，包括顺序设置的阴极金属、N型重掺杂区、N型轻掺杂区、P型掺杂区、势垒层和阳极金属，所述阴极金属、所述N型重掺杂区、所述N型轻掺杂区、所述P型掺杂区、所述势垒层和所述阳极金属电性导通，其特征在于：还包括氧化层和掺杂多晶硅区，所述N型轻掺杂区和所述P型掺杂区上设有挖槽区，所述挖槽区贯穿所述P型掺杂区并伸入所述N型轻掺杂区，所述氧化层和所述掺杂多晶硅区设于所述挖槽区内，且所述氧化层位于所述N型轻掺杂区与所述掺杂多晶硅区之间及所述P型掺杂区与所述掺杂多晶硅区之间，所述掺杂多晶硅与所述势垒层欧姆接触，所述氧化层与所述势垒层接触，所述P型掺杂区与所述势垒层肖特基接触。

【技术特征摘要】
1.一种二极管器件，包括顺序设置的阴极金属、N型重掺杂区、N型轻掺杂区、P型掺杂区、势垒层和阳极金属，所述阴极金属、所述N型重掺杂区、所述N型轻掺杂区、所述P型掺杂区、所述势垒层和所述阳极金属电性导通，其特征在于：还包括氧化层和掺杂多晶硅区，所述N型轻掺杂区和所述P型掺杂区上设有挖槽区，所述挖槽区贯穿所述P型掺杂区并伸入所述N型轻掺杂区，所述氧化层和所述掺杂多晶硅区设于所述挖槽区内，且所述氧化层位于所述N型轻掺杂区与所述掺杂多晶硅区之间及所述P型掺杂区与所述掺杂多晶硅区之间，所述掺杂多晶硅与所述势垒层欧姆接触，所述氧化层与所述势垒层接触，所述P型掺杂区与所述势垒层肖特基接触。2.如权利要求1所述的二极管器件，其特征在于：还包括位于所述P型掺杂区的一端的介质氧化层，所述介质氧化层设于所述势垒层与所述P型掺杂区之间，且所述介质氧化层的一部分暴露在空气中。3.一种二极管器件的制造工艺，其特征在于：包括以下步骤：准备N型轻掺杂区；在所述N型轻掺杂区上形成P型掺杂区；所述N型轻掺杂区和所述P型掺杂区上设有挖槽区，所述挖槽区贯穿所述P型掺杂区并伸入所述N型轻掺杂区；在所述P型掺杂区和所述N型轻掺杂区表面形成氧化层，且所述氧化层覆盖所述挖槽区的侧壁；利用掺杂多晶硅填满覆盖有所述氧化层的所述挖槽区；在所述P型掺杂区上形成势垒层；在所述势垒层上沉积阳极金属；在所述N型轻掺杂区背离所述P型掺杂区的一侧形成N型重掺杂区；在所述N型重掺杂区沉积形成阴极金属。4.如权利要求3所述的二极管器件的制造工艺，其特征在于：在所述N型轻掺杂区上形成所述P型掺杂区的步骤包括：通过在晶圆片上...

【专利技术属性】
技术研发人员：王艳春，刘东庆，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44