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本发明提供了二极管器件，包括氧化层和掺杂多晶硅区，及顺序设置且电性导通的阴极金属、N型重掺杂区、N型轻掺杂区、P型掺杂区、势垒层和阳极金属；还提供了二极管器件的制造工艺：在N型轻掺杂区上外延生长出P型掺杂区；自P型掺杂区向内蚀刻至N型轻掺杂...
该专利属于比亚迪股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过比亚迪股份有限公司授权不得商用。

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