【技术实现步骤摘要】
一种改善HCD炉管硅片间均匀性差异的装置
本技术涉及半导体的
,尤其涉及一种改善HCD炉管硅片间均匀性差异的装置。
技术介绍
随着半导体工艺的发展,为了获得更高更好的提高器件的容量和性能,对于工艺的控制要求也越来越高。除了要求硅片面内的厚度均匀外,硅片之间的均匀性差异也要求越小越好,从工艺控制的角度出发,硅片之间的均匀性差异越小,其工艺稳定度就越好。当前的炉管HCD工艺,整个批次生产的晶圆的STDEV(基于样本估算标准偏差)表现为从下到上依次变差的趋势。产品的器件性能往往会因为在HCD工艺时上下位置的不同而差异明显。
技术实现思路
有鉴于此,本技术的目的在于提供一种改善HCD炉管硅片间均匀性差异的装置。为了实现上述目的,本技术采取的技术方案为:一种改善HCD炉管硅片间均匀性差异的装置,其中,包括:炉管;环形晶舟,所述炉管的内部自上而下设有若干环形晶舟;若干所述环形晶舟的高度不同;通过调整若干所述环形晶舟的高度以调整参与反应气体的量,从而补偿硅片面内厚度差异。上述的改善HCD炉管硅片间均匀性差异的装置,其中,每两相邻的环形晶舟之间,位于上侧的所述环形晶舟的高度均大于位 ...
【技术保护点】
1.一种改善HCD炉管硅片间均匀性差异的装置,其特征在于,包括:炉管;环形晶舟,所述炉管的内部自上而下设有若干环形晶舟;若干所述环形晶舟的高度不同;通过调整若干所述环形晶舟的高度以调整参与反应气体的量,从而补偿硅片面内厚度差异。
【技术特征摘要】
1.一种改善HCD炉管硅片间均匀性差异的装置,其特征在于,包括:炉管;环形晶舟,所述炉管的内部自上而下设有若干环形晶舟;若干所述环形晶舟的高度不同;通过调整若干所述环形晶舟的高度以调整参与反应气体的量,从而补偿硅片面内厚度差异。2.根据权利要求1所述的改善HCD炉管硅片间均匀性差异的装置,其特征在于,每两相邻的环形晶舟之间,位于上侧的所述环形晶舟的高度均大于位于下侧的所述环形晶舟的高度。3.根据权利要求2所述的改善HCD炉管硅片间均匀性差异的装置,其特征在于,每一所述环形晶舟均包括:水平支撑环、设置于所述水平支撑环上的底部支撑件、固定在所述底部支撑件上的支撑柱、以及固定在所述支撑柱上的硅片支撑件。4.根据权利要求3所述的改善HCD炉管硅片间均匀性差异的装置,其特征在于,每一所述环形晶舟...
【专利技术属性】
技术研发人员:李杰,祁鹏,袁立军,
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司,
类型:新型
国别省市:上海,31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。