一种可调节流量的清洗装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种可调节流量的清洗装置，包括主管道、第一支管道和第二支管道，所述主管道的第二端分别与所述第一支管道的第一端和所述第二支管道的第一端连通，所述主管道上设置有第一阀门，所述第一支管道的第二端设置有第一喷嘴，所述第二支管道的第二端设置有第二喷嘴，所述第一支管道还包括第二阀门，所述第二阀门设置在所述第一支管道的第一端。其优点在于，通过在第一支管道设置第二阀门，能够有效调节第一支管道的清洗水的流量，从而避免晶圆的晶面承受大流量的水压冲击，进而消除由喷嘴形状造成的晶圆表面缺陷，提高晶圆产品良率，降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种可调节流量的清洗装置
本技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种可调节流量的清洗装置。
技术介绍
在半导体制造过程中，晶圆的清洗是一道非常重要且要求较高的工艺。现有的化学机械研磨(ChemicalMechanicalPolish，CMP)机台基本带有清洗和干燥功能。对研磨后的晶圆进行清洗以及干燥，以便在后续工序继续对晶圆进行处理。清洗晶圆的主要目的是去除研磨后的留在晶圆表面的残余物，以便更有效地进行后续工序处理。现有的清洗方式为使用清洗水对晶圆的正面和背面同时进行高压清洗水冲洗，以便高效地去除残余物。如图1所示，现有的清洗装置包括主管道1、第一支管道2和第二支管道3，在第一支管道2和第二支管道3的末端分别设置有第一喷嘴5和第二喷嘴6，并且主管道1上设置有控制清洗水的第一阀门4。由于第一阀门4仅控制主管道1的开闭，使得第一支管道2和第二支管道3的流量相同，进而导致第一喷嘴5对晶圆正面清洗时，由于压力过高，导致晶圆表面出现与第一喷嘴5形状相同的缺陷，进而降低晶圆良率，提高生产成本。因此，亟需一种能够避免高压大流量的清洗水对晶圆正面冲击的清洗装置。
技术实现思路
本技术的目的是针对现有技术中的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可调节流量的清洗装置，应用于晶圆清洗，包括主管道(1)、第一支管道(2)和第二支管道(3)，所述主管道(1)的第二端分别与所述第一支管道(2)的第一端和所述第二支管道(3)的第一端连通，所述主管道(1)上设置有第一阀门(4)，所述第一支管道(2)的第二端设置有第一喷嘴(5)，所述第二支管道(3)的第二端设置有第二喷嘴(6)，其特征在于，所述第一支管道(2)还包括第二阀门(7)，所述第二阀门(7)设置在所述第一支管道(2)的第一端。

【技术特征摘要】
1.一种可调节流量的清洗装置，应用于晶圆清洗，包括主管道(1)、第一支管道(2)和第二支管道(3)，所述主管道(1)的第二端分别与所述第一支管道(2)的第一端和所述第二支管道(3)的第一端连通，所述主管道(1)上设置有第一阀门(4)，所述第一支管道(2)的第二端设置有第一喷嘴(5)，所述第二支管道(3)的第二端设置有第二喷嘴(6)，其特征在于，所述第一支管道(2)还包括第二阀门(7)，所述第二阀门(7)设置在所述第一支管道(2)的第一端。2.根据权利要求1所述的可调节流量的清洗装置，其特征在于，所述第一支管道(2)还包括第一流量检测装置(8)，所述第一流量检测装置(8)设置在所述第二阀门(7)与所述第一喷嘴(5)之间。3.根据权利要求1所述的可调节流量的清洗装置，其特征在于，所述第二支管道(3)还包括第三阀门(11)，所述第三阀门(11)设置在所述第二支管道(3)的第一端。4.根据权利要求3所述的可调节流量的清洗装置，其特征在于，所述第二支管道(3)还包括第二流量检测装置(12)，所述第二流量检测装置(12)设置在所述第三阀门(11)和所述第二喷嘴(6)之间。5.根据权利要求1所述的可调节流量的清洗装...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵振伟，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31