【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在压印光刻过程中定位基板相关申请的交叉引用本申请要求2016年10月20日提交的美国临时申请No.62/410,651的权益。美国申请No.62/410,651的全部内容通过引用结合于此。
本专利技术涉及在压印光刻过程中定位基板/衬底,并且更具体地涉及在共平面布置中对齐具有不同厚度的多个基板的顶面以在基板顶上实现均匀的压印。
技术介绍
纳米制造(例如,纳米压印光刻)可以包括制造具有大约100纳米以下的特征的非常小的结构。纳米制造在其中具有相当大影响的一个应用是集成电路的处理。半导体加工行业继续争取更大的产量,同时增加在基板上每单位面积形成的电路的数量。因此,纳米制造对于在半导体加工行业中实现期望结果而言变得越来越重要。纳米制造提供了更好的过程控制,同时允许持续减少形成在基板上的结构的最小特征尺寸。已经采用纳米制造的其它研发领域包括生物技术、光学技术、机械系统等。在一些示例中,纳米制造包括通过将基板暴露于处理模块(例如,蚀刻模块、光致抗蚀剂固化模块或特征形成模块)来同时处理分别布置在具有相同的固定高度的多个基板支承件上的多个基板,以在基板顶上形成各种结构。专利技术内 ...
【技术保护点】
1.一种用于定位基板的压印光刻方法,所述压印光刻方法包括:将第一基板和第二基板分别支承在第一卡盘和第二卡盘顶上;将所述第一卡盘和第二卡盘分别沿横向气动地悬挂在第一套管和第二套管内;将所述第一卡盘和第二卡盘分别沿竖向支承在所述第一套管和第二套管内;保持所述第一卡盘和第二卡盘分别处于第一和第二固定旋转取向;以及分别克服第一和第二竖向阻力彼此独立地沿向下方向迫压所述第一卡盘和第二卡盘,直到所述第一基板和第二基板的第一顶面和第二顶面共平面,同时保持所述第一卡盘和第二卡盘被沿横向悬挂在所述第一套管和第二套管内并且同时保持所述第一卡盘和第二卡盘处于所述第一和第二固定旋转取向。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.10.20 US 62/410,6511.一种用于定位基板的压印光刻方法,所述压印光刻方法包括:将第一基板和第二基板分别支承在第一卡盘和第二卡盘顶上;将所述第一卡盘和第二卡盘分别沿横向气动地悬挂在第一套管和第二套管内;将所述第一卡盘和第二卡盘分别沿竖向支承在所述第一套管和第二套管内;保持所述第一卡盘和第二卡盘分别处于第一和第二固定旋转取向;以及分别克服第一和第二竖向阻力彼此独立地沿向下方向迫压所述第一卡盘和第二卡盘,直到所述第一基板和第二基板的第一顶面和第二顶面共平面,同时保持所述第一卡盘和第二卡盘被沿横向悬挂在所述第一套管和第二套管内并且同时保持所述第一卡盘和第二卡盘处于所述第一和第二固定旋转取向。2.根据权利要求1所述的压印光刻方法,其中,所述第一基板的第一厚度不同于所述第二基板的第二厚度。3.根据权利要求1所述的压印光刻方法,还包括分别将所述第一基板和第二基板抽吸到所述第一卡盘和第二卡盘。4.根据权利要求1所述的压印光刻方法,其中,所述第一和第二竖向阻力由竖向空气压力提供。5.根据权利要求4所述的压印光刻方法,还包括控制与所述第一卡盘和第二卡盘流体接触的空气室内的竖向空气压力。6.根据权利要求4所述的压印光刻方法,其中,所述第一和第二竖向阻力分别由通过第一气缸和第二气缸输送的空气提供。7.根据权利要求1所述的压印光刻方法,其中,所述第一和第二竖向阻力由弹簧提供。8.根据权利要求1所述的压印光刻方法,其中,通过第一条带和第二条带保持所述第一卡盘和第二卡盘的第一和第二固定旋转取向,所述第一条带和第二条带将所述第一卡盘和第二卡盘连接到支承所述第一套管和第二套管的基座。9.根据权利要求1所述的压印光刻方法,其中,通过分别与所述第一套管和第二套管相关联的第一和第二双轴装置保持所述第一卡盘和第二卡盘的第一和第二固定旋转取向。10.根据权利要求1所述的压印光刻方法,还包括对基板处理元件施加向上定向的力。11.一种压印光刻系统,包括:第一卡盘和第二卡盘,其构造成分别支承第一基板和第二基板;第一套管和第二套管,其分别围绕所述第一卡盘和第二卡盘并且构造成将所述第一卡...
【专利技术属性】
技术研发人员:R·帕特森,C·S·卡登,S·萨达姆,
申请(专利权)人:分子印记公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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