一种用于薄化玻璃镀膜的化学气相沉积法制造技术

本发明专利技术公开了一种用于薄化玻璃镀膜的化学气相沉积法，所述采用化学气相沉积法依次在柔性基材上镀制散热层、TFT层，TFT层中的ITO膜进行退火处理，得到对柔性基材薄膜晶体管。本发明专利技术采用本发明专利技术采用化学气相沉积法与闪灯退火方法结合，辅以构图工艺，得到精确的TFT结构，且得到的TFT结构的兼容性高、散热性好，可以根据需要设计表面各结构，具有良好的市场价值。

【技术实现步骤摘要】
一种用于薄化玻璃镀膜的化学气相沉积法
本专利技术涉及一种用于薄化玻璃镀膜的化学气相沉积法，属于化学镀膜领域。
技术介绍
随着便携式移动设备的普及，平面显示器以其轻薄的机身、自身能耗低、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平面显示器主要包括液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)，以及有机发光二极管显示器件。OLED与LCD相比，具有不需要背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、使用范围广、制作简单等优点，已逐渐占据市场的主流。OLED显示装置根据驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PassiveMatrixOLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(ActiveMatrixOLED，AMOLED)两类。AMOLED每个像素配备具有开关功能的低温多晶硅薄膜晶体管(LowTemperaturePoly-SiThinFilmTransistor，LTP-SiTFT)，而且每个像素配备一个电荷存储电容，外围驱动电路和显示阵列整个系统集成在同一玻璃基板上。有源驱动属于静态驱动方式，具有存储效应，可进行100％负载驱动，这种驱动不受扫描电极数的限制，可以对各像素独立进行选择性调节。有源驱动无占空比问题，驱动不受扫描电极数的限制，易于实现高亮度和高分辨率。基本上所有的TFT基板都不耐高温，所以TFT的工艺制程必须在相对低温下进行，所用到的硅层是利用硅化物气体制造出的非晶硅或多晶硅层，当代显示技术的发展需要更高性能的TFT以驱动LCD像素及AMOLED像素，非晶硅TFT具有制备工艺简单，均一性好的优点，但其迁移率较低，无法满足对驱动的要求；低温多晶硅虽然迁移较高，但其需要激光辅助退火而制造成本过高，且多晶硅量产均一性差，无法满足大面积高分辨率的显示器生产的需求。柔性显示具有轻薄、可弯曲的特点，可用于制造电子书、手机等显示设备的显示屏。这类显示器柔软可便携，耐冲击性强，可以实现卷曲显示；但是当前的塑料基底，表面平整性差，表面微米量级的凸起会引起器件损坏，可靠性差；同时晶体管制备过程中由于不同膜层的热膨胀系数不同，薄膜的生长、热处理等都会对其造成弯曲收缩等影响，不利于光刻图形对准，也不利于面板制作。
技术实现思路
针对现有技术存在的上述问题，本专利技术的目的是获得一种用于薄化玻璃镀膜的化学气相沉积法。为实现上述专利技术目的之一，本专利技术采用的用于薄膜晶体管的化学气相沉积法的技术方案如下：本专利技术采用化学气相沉积法对柔性基材薄膜晶体管进行制备，其中柔性基材薄膜晶体管包括柔性基材、散热层和TFT层，采用化学气相沉积法依次在柔性基材上镀制散热层、TFT层，TFT层中的ITO膜进行退火处理，得到对柔性基材OLED屏幕。具体为：在柔性基材表面形成金属层，通过处理得到栅线和栅极，在栅线和栅极上形成栅绝缘层，在栅绝缘层上形成散热层，散热层主要为石墨烯和散热树脂，在所述栅绝缘层上形成有由石墨烯构成的数据线、源极、半导体有源层、漏极和像素电极；其中，所述源极与所述半导体有源层相接触，所述漏极与所述半导体有源层相接触，形成TFT沟道，所述像素电极与所述漏极相接触，数据线、源极、半导体有源层、漏极和像素电极上形成有保护层。优选地，退火处理为低温闪灯退火处理，灯为惰性气体灯，闪光退火温度不高于100℃。优选地，闪灯能量密度在80～130J/㎡以下，闪灯时间在0～2ms以下，脉冲1～2次。优选地，闪灯退货前先将ITO前驱体液涂覆在基板上，并在150～300℃烘10min以上，重复两次。优选地，前驱液为In前驱体液和Sn前驱体液以12.3:1～9:1的物质量比混合，并搅拌1h以上，形成ITO前驱体液优选地，散热层包括石墨烯、树脂和分散剂，其中树脂由导热硅胶和氨基树脂组成，氨基树脂表面包括至少一个氨基。优选地，散热层中的石墨烯通过乙醇或强碱进行羟基化反应。优选地，石墨烯的蒸发温度在120～150℃之间。优选地，散热层中分散剂和石墨烯的添加质量比为1：3～10。与现有技术相比，本专利技术采用化学气相沉积法与闪灯退火方法结合，辅以构图工艺，得到精确的TFT结构，且得到的TFT结构的兼容性高、散热性好，可以根据需要设计表面各结构，具有良好的市场价值。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术提供的用于薄膜晶体管的化学气相沉积法作进一步详细、完整地说明。下面描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。下述实施例中的实验方法，如无特殊说明，均为常规方法。下述实施例中所用的实验材料如无特殊说明，均为市场购买得到。专利技术采用化学气相沉积法对柔性基材薄膜晶体管进行制备，其中柔性基材薄膜晶体管包括柔性基材、散热层和TFT层，采用化学气相沉积法依次在柔性基材上镀制散热层、TFT层，TFT层中的ITO膜进行退火处理，得到对柔性基材OLED屏幕。具体为：在柔性基材表面形成金属层，通过处理得到栅线和栅极，在栅线和栅极上形成栅绝缘层，在栅绝缘层上形成散热层，散热层主要为石墨烯和散热树脂，在所述栅绝缘层上形成有由石墨烯构成的数据线、源极、半导体有源层、漏极和像素电极；其中，所述源极与所述半导体有源层相接触，所述漏极与所述半导体有源层相接触，形成TFT沟道，所述像素电极与所述漏极相接触，数据线、源极、半导体有源层、漏极和像素电极上形成有保护层。柔性基材选自PI等高分子材料，高分子材料的柔性基材与柔性玻璃基板或石墨烯材料不同，更加柔软，且延展性强，高分子材料作为基材克服了柔性玻璃基板易碎的缺点，增强了柔性玻璃基板的抗压强度，且耐高温，表面特性好，可以根据表面结构进行TFT层的蒸镀。为了使TFT层的蒸镀效果更好，也可以在柔性基材与TFT之间添加缓冲层，缓冲层一般为SiO2，可以起到桥接、缓冲和绝缘的作用。散热层包括石墨烯、树脂、乙醇、引发剂、发泡剂、分散剂、乙酸乙酯和水，其中树脂由导热硅胶和氨基树脂组成，氨基树脂表面包括至少一个氨基。制作散热层原液时，将石墨烯加入乙醇中，加入10～30％的分散剂，进行超声反应，反应后石墨烯完全分散，再加入剩余的分散剂，使石墨烯表面钝化后形成羟基，羟基与氨基树脂在微波下反应，反应时加入导热硅胶，羟基化的石墨烯与氨基树脂反应，微波温度呈梯度递增至360℃，将混合后的散热层原液喷涂或旋涂在待涂覆的膜面上，100℃、3～10MPa反应，蒸干固化散热层。以50W以上的O2等离子体处理基体，将ITO前驱体液涂覆在基板上，并在150～300℃烘10min以上，干燥处理得到所述薄膜；重复操作一次；将所述薄膜在80℃以下空气氛围退火，之后进行闪灯强脉冲光烧结处理，闪灯能量密度在80～130J/㎡以下，闪灯时间在0～2ms以下，脉冲1～2次；前驱液为In前驱体液和Sn前驱体液以12.3:1～9:1的物质量比混合，并搅拌1h以上，形成ITO前驱体液。闪灯为螺旋氙气灯。最后有必要在此说明的是：以上实施例只用于对本专利技术的技术方案作进一步详细地说明，不能理解为对本专利技术保护范围的限制，本领域的技术人员根据本专利技术的上述内容作出的一些非本质的改进和调整均属于本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于薄化玻璃镀膜的化学气相沉积法，其特征在于：所述采用化学气相沉积法依次在柔性基材上镀制散热层、TFT层，TFT层中的ITO膜进行退火处理，得到对柔性基材薄膜晶体管。

【技术特征摘要】
1.一种用于薄化玻璃镀膜的化学气相沉积法，其特征在于：所述采用化学气相沉积法依次在柔性基材上镀制散热层、TFT层，TFT层中的ITO膜进行退火处理，得到对柔性基材薄膜晶体管。2.根据权利要求1所述的用于薄膜晶体管的化学气相沉积法，其特征在于：在柔性基材表面形成金属层，通过处理得到栅线和栅极，在栅线和栅极上形成栅绝缘层，在栅绝缘层上形成散热层，散热层主要为石墨烯和散热树脂，在所述栅绝缘层上形成有由石墨烯构成的数据线、源极、半导体有源层、漏极和像素电极；其中，所述源极与所述半导体有源层相接触，所述漏极与所述半导体有源层相接触，形成TFT沟道，所述像素电极与所述漏极相接触，数据线、源极、半导体有源层、漏极和像素电极上形成有保护层。3.根据权利要求1所述的用于薄膜晶体管的化学气相沉积法，其特征在于：退火处理为低温闪灯退火处理，灯为惰性气体灯，闪光退火温度不高于100℃。4.根据权利要求1所述的用于薄膜晶体管的化学气相沉积法，其特征在于：闪灯能量密度在80～130J/㎡以下，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈立，黄乐，祝海生，凌云，黄夏，孙桂红，黄国兴，
申请(专利权)人：湘潭宏大真空技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南,43