一种阵列基板及显示面板制造技术

技术编号:21436085 阅读:28 留言:0更新日期:2019-06-22 13:08
本实用新型专利技术提供了一种阵列基板及显示面板,该阵列基板包括多个像素电路、多条栅极线、多条数据线以及多条栅极引线;所述栅极引线包括第一层栅极引线和第二层栅极引线,所述第一层栅极引线与所述栅极线同层设置,所述第二层栅极引线与所述数据线同层设置;所述第一层栅极引线与所述栅极线之间通过同层换层结构连接,所述第二层栅极引线与所述栅极线之间通过异层换层结构连接。本实用新型专利技术提供的阵列基板及显示面板通过使得第一层栅极引线与所述栅极线之间通过同层换层结构连接,第二层栅极引线与所述栅极线之间通过异层换层结构连接,从而有效保证了不同层栅极引线的走线电阻的均匀性,保证显示效果。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及显示面板
本技术涉及了显示
,特别是涉及了一种阵列基板及显示面板。
技术介绍
在显示面板的阵列基板中,一般都设有阵列排布的多个像素电路、多条栅极线、多条数据线以及与所述栅极线,其中栅极线需要通过栅极引线向外引出至可以与驱动IC电性连接。现在为了提高屏占比,实现窄边框设计,栅极引线常常采用双层设计,这样,与栅极线同层的栅极引线可以直接实现与栅极线的电性连接,与栅极线不同层的栅极引线就需要通过换层结构实现与栅极线的电性连接,使得不同层的栅极引线的走线电阻不一致,影响显示效果。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是能够有效解决现有的阵列基板在使用双层设计的栅极引线时走线电阻不均匀的影响显示效果的问题。为解决上述技术问题,本技术提供了一种阵列基板,包括阵列排布的多个像素电路、多条栅极线、多条数据线以及与所述栅极线连接的多条栅极引线;所述栅极引线包括第一层栅极引线和第二层栅极引线,所述第一层栅极引线与所述栅极线同层设置,所述第二层栅极引线与所述数据线同层设置;所述第一层栅极引线与所述栅极线之间通过同层换层结构连接,所述第二层栅极引线与所述栅极线之间通过异层换层结构连接。作为本技术的一种优选方案,所述同层换层结构包括与所述第一层栅极引线接触的同层引线ITO过孔、与所述同层引线ITO过孔电性连接的同层ITO连接层和与所述栅极线接触的同层栅极线ITO过孔。作为本技术的一种优选方案,所述异层换层结构包括所述第二层栅极引线接触的异层引线ITO过孔、与所述异层引线ITO过孔电性连接的异层ITO连接层和与所述栅极线接触的异层栅极线ITO过孔。作为本技术的一种优选方案,所述像素电路包括TFT晶体管、像素电极、存储电容和公共电极。作为本技术的一种优选方案,所述第一层栅极引线包括从左侧与所述栅极线电性连接的左区第一层栅极引线和从右侧与所述栅极线电性连接的右区第一层栅极引线。作为本技术的一种优选方案,所述第二层栅极引线包括从左侧与所述栅极线电性连接的左区第二层栅极引线和从右侧与所述栅极线电性连接的右区第二层栅极引线。进一步地,提供一种显示面板,包括以上任一项所述阵列基板。本技术具有如下技术效果:本技术提供的一种阵列基板及显示面板通过使得第一层栅极引线与所述栅极线之间通过同层换层结构连接,第二层栅极引线与所述栅极线之间通过异层换层结构连接,即第一层栅极引线与第二层栅极引线均通过换层结构实现与栅极线的电性连接,从而有效保证了不同层栅极引线的走线电阻的均匀性,保证显示效果。附图说明图1为本技术提供的一种阵列基板的结构示意图;图2为本技术提供的一种同层换层结构的结构示意图;图3为本技术提供的一种异层换层结构的结构示意图;图4为本技术提供的一种栅极引线的布置示意图。具体实施方式为使本技术的目的,技术方案和优点更加清楚,下面结合附图对本技术实施方式作进一步详细说明。显然,所描述的实施例是本技术的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本技术的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。除非另外定义,本技术使用的技术术语或者科学术语应当为本技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本技术中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。在本技术的描述中,需要理解的是,若有术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明,不能理解为对本专利的限制,对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。如图1所示,其表示了本技术提供的一种阵列基板。该阵列基板包括阵列排布的多个像素电路(图中未显示)、多条栅极线1、多条数据线2以及与所述栅极线1连接的多条栅极引线3;所述栅极引线3包括第一层栅极引线31和第二层栅极引线32,所述第一层栅极引线31与所述栅极线1同层设置,所述第二层栅极引线32与所述数据线2同层设置;所述第一层栅极引线31与所述栅极线1之间通过同层换层结构4连接,所述第二层栅极引线32与所述栅极线1之间通过异层换层结构5连接。这样,在本实施例中,第一层栅极引线31与第二层栅极引线32位于不同层,成双层设计,具体地,第一层栅极引线31可以是与栅极线1采用同层金属材料制成,第二层栅极引线32可以是与数据线2采用同层金属材料制成;通过使得第一层栅极引线31与所述栅极线1之间通过同层换层结构4连接,第二层栅极引线32与所述栅极线1之间通过异层换层结构5连接,即第一层栅极引线31与第二层栅极引线32均通过换层结构实现与栅极线1的电性连接,从而有效保证了不同层栅极引线3的走线电阻的均匀性,保证显示效果。具体地,如图2-3所示,所述同层换层结构4包括与所述第一层栅极引线31接触的同层引线ITO过孔41、与所述同层引线ITO过孔41电性连接的同层ITO连接层42和与所述栅极线1接触的同层栅极线ITO过孔43。所述异层换层结构5包括所述第二层栅极引线32接触的异层引线ITO过孔51、与所述异层引线ITO过孔51电性连接的异层ITO连接层52和与所述栅极线1接触的异层栅极线ITO过孔53。这样,同层换层结构4和异层换层结构5的结构类似,均通过ITO层和ITO过孔实现栅极引线3和栅极线1的电性连接,从而有效保证了第一层栅极引线31和第二层栅极引线32的走线电阻的均匀性。具体地,在本实施例中,所述像素电路包括TFT晶体管、像素电极、存储电容和公共电极。如图4所示,所述第一层栅极引线31包括从左侧与所述栅极线1电性连接的左区第一层栅极引线311和从右侧与所述栅极线1电性连接的右区第一层栅极引线312,所述左区第一层栅极引线31和右侧第一层栅极引线31可以依次相间设置。所述第二层栅极引线32包括从左侧与所述栅极线1电性连接的左区第二层栅极引线321和从右侧与所述栅极线1电性连接的右区第二层栅极引线322,所述左区第二层栅极引线321和右侧第二层栅极引线322可以依次相间设置。即在本实施例中,第一层栅极引线31既包括位于栅极线1第一层左侧的左区栅极引线311又包括位于栅极线1右侧的右区第一层栅极引线312,且左区第一层栅极引线311和右区第一层栅极引线312是交替相间布置的,从而保证了第一层栅极引线31布置时能够有更大的布置空间,保证相邻引线的布置和间距设置;同样地,第二层栅极引线32既包括位于栅极线1左侧的左区第二层栅极引线321又包括位于栅极线1右侧的右区第二层栅极引线322,且左区第二层栅极引线321和右区第二层栅极引线322是交替相间布置的,从而保证了第二层栅极引线32布置时能够有更大的布置空间,保证相邻引线的布置和间距设置。更具体地,可以是使得第奇数条栅极线1全部向左引出与左区第一层栅极引线311和左区第二层栅极引线321电性连接,第偶数条栅极线1全部向右引出与右区第一层栅极引线312和右区第二层栅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括阵列排布的多个像素电路、多条栅极线、多条数据线以及与所述栅极线连接的多条栅极引线;所述栅极引线包括第一层栅极引线和第二层栅极引线,所述第一层栅极引线与所述栅极线同层设置,所述第二层栅极引线与所述数据线同层设置;所述第一层栅极引线与所述栅极线之间通过同层换层结构连接,所述第二层栅极引线与所述栅极线之间通过异层换层结构连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括阵列排布的多个像素电路、多条栅极线、多条数据线以及与所述栅极线连接的多条栅极引线;所述栅极引线包括第一层栅极引线和第二层栅极引线,所述第一层栅极引线与所述栅极线同层设置,所述第二层栅极引线与所述数据线同层设置;所述第一层栅极引线与所述栅极线之间通过同层换层结构连接,所述第二层栅极引线与所述栅极线之间通过异层换层结构连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述同层换层结构包括与所述第一层栅极引线接触的同层引线ITO过孔、与所述同层引线ITO过孔电性连接的同层ITO连接层和与所述栅极线接触的同层栅极线ITO过孔。3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述异层换层结构包括所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员:林建伟陈家幸庄崇营李林
申请(专利权)人:信利半导体有限公司
类型:新型
国别省市:广东,44

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