半导体制造装置用构件及其制造方法制造方法及图纸

半导体制造装置用构件(10)中，由于透气性塞子(30)的表面中至少与粘结层(38)接触的部分为致密质层(36)，因此粘结剂浆料不易渗入至透气性塞子(30)。因此，可以将设置于透气性塞子(30)的致密质层(36)与塞子室(31)的壁面之间以不产生将细孔侧空间(29)与气体供给孔侧空间(43)连通的间隙的方式用粘结层(38)填充，能够抑制从静电卡盘(20)侧贯通粘结层(38)至冷却板(40)侧的间隙的产生。这样操作，能够防止半导体制造装置用构件(10)中与晶片(W)之间发生放电。

Components for Semiconductor Manufacturing Devices and Their Manufacturing Methods

In a component (10) for a semiconductor manufacturing device, because at least part of the surface of the permeable plug (30) in contact with the bonding layer (38) is a dense layer (36), the binder slurry is not easy to penetrate into the permeable plug (30). Therefore, the gap between the dense stratum (36) of the permeable plug (30) and the wall of the plug chamber (31) can be filled with a bonding layer (38) in a manner that does not produce a gap connecting the fine hole side space (29) and the gas supply hole side space (43), and the gap between the bonding layer (38) of the electrostatic chuck (20) side and the cooling plate (40) side can be suppressed. In this way, the discharge between the component (10) of the semiconductor manufacturing device and the wafer (W) can be prevented.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体制造装置用构件及其制造方法
本专利技术涉及半导体制造装置用构件及其制造方法。
技术介绍
一直以来，已知在冷却板上设置有具有晶片载置面的静电卡盘的半导体制造装置用构件。作为这样的半导体制造装置用构件，还已知以从载置于静电卡盘的晶片除去热为目的，使氦气(He)等背侧气体(backsidegas)流过晶片背面的构件。考虑了在这样的半导体制造装置用构件中，具备：从冷却板中的接合于静电卡盘的接合面贯通至与该接合面相反侧的面的气体供给孔、从静电卡盘中的与气体供给孔相对的面朝向晶片载置面形成的沉孔、从该沉孔的底面贯通至晶片载置面的细孔、以及填充于沉孔的透气性塞子(例如参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-232640号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题可是，在沉孔配置透气性塞子时，有时在透气性塞子的外周面涂布粘结剂浆料之后插入沉孔。然而，在该情况下，粘结剂浆料渗入至透气性塞子的外周面而不能将透气性塞子与凹部之间用粘结层完全填充，有产生从静电卡盘侧贯通粘结层至冷却板侧的间隙的担忧。如果产生这样的间隙，则在使用时有时会通过该间隙而与晶片之间发生放电。如果与晶片之间发生放电，则在晶片上会产生放电痕迹，不仅成为微粒等的原因，而且有时也会破坏晶片上的电路，因此不优选。本专利技术是为了解决这样的课题而提出的，其主要目的在于防止半导体制造装置用构件中与晶片之间发生放电。用于解决课题的方法本专利技术的半导体制造装置用构件是绝缘性的静电卡盘与导电性的冷却板接合而成的半导体制造装置用构件，所述绝缘性的静电卡盘具有晶片载置面且设置有在厚度方向上贯通的细孔，所述导电性的冷却板设置有在厚度方向上贯通的气体供给孔，所述半导体制造装置用构件具备：塞子室，其由静电卡盘侧凹部和冷却板侧凹部中的至少一者构成，并与上述细孔和上述气体供给孔连通，所述静电卡盘侧凹部从上述静电卡盘中的与上述晶片载置面相反侧的面朝向上述晶片载置面设置而成，所述冷却板侧凹部从上述冷却板中的与上述静电卡盘相对的相对面朝向与该相对面相反侧的面设置而成；多孔质且绝缘性的透气性塞子，其配置于上述塞子室；环状的致密质层，其以将上述透气性塞子的表面分离成包含与上述细孔相对的部分且不直接面向上述冷却板的细孔侧表面、和包含与上述气体供给孔相对的部分的气体供给孔侧表面的方式，设置于上述透气性塞子的表面；以及粘结层，其填充于上述致密质层与上述塞子室的壁面之间。这里，所谓“致密质”，是指与透气性塞子的多孔质部分相比，具有粘结剂浆料难以渗透的程度的致密性。另外，如果具有粘结剂浆料不渗透的程度的致密性，则更好。本专利技术的半导体制造装置用构件中，透气性塞子的表面中至少与粘结层接触的部分为致密质层，因此粘结剂浆料难以渗入至透气性塞子。因此，能够以不产生将不直接面向冷却板的细孔侧空间与气体供给孔侧空间连通的间隙的方式，将设置于透气性塞子的致密质层与塞子室的壁面之间用粘结层填充。即，能够抑制从静电卡盘侧贯通粘结层至冷却板侧的间隙的产生。这样操作，能够防止在半导体制造装置用构件中与晶片之间发生放电。本专利技术的半导体制造装置用构件中，上述致密质层可以为耐热树脂膜。这样操作的话，能够比较容易地制作致密质层。上述耐热树脂膜可以为氟系树脂膜或聚酰亚胺系树脂膜。本专利技术的半导体制造装置用构件中，上述致密质层可以为喷镀膜。这样操作也能够比较容易地制作致密质层。上述喷镀膜可以为与上述透气性塞子相同的材质。本专利技术的半导体制造装置用构件中，上述塞子室可以至少具有上述静电卡盘侧凹部，上述致密质层可以设置于上述透气性塞子的侧面中的面向上述静电卡盘侧凹部的壁面的位置。这样操作的话，由于粘结层环状地设置于透气性塞子的侧面与静电卡盘侧凹部的壁面之间，因此透气性塞子以稳定的状态被固定于塞子室。本专利技术的半导体制造装置用构件中，上述塞子室可以由上述冷却板侧凹部构成。本专利技术的半导体制造装置用构件的制造方法是制造上述半导体制造装置用构件的方法，其包括下述工序：(a)准备彼此接合之前的上述静电卡盘和上述冷却板，并且准备配置于上述塞子室之前且设置上述致密质层之前的上述透气性塞子的工序；(b)在上述透气性塞子设置上述致密质层之后，在上述透气性塞子的上述致密质层涂布粘结剂浆料，然后，将上述透气性塞子配置于之后成为塞子室的预定的部位，使上述致密质层与上述部位的壁面之间的上述粘结剂浆料固化，从而形成上述粘结层的工序；以及(c)将上述静电卡盘与上述冷却板彼此接合的工序。本专利技术的半导体制造装置用构件的制造方法中，由于在透气性塞子的表面设置致密质层之后，在透气性塞子的致密质层涂布粘结剂浆料，因此粘结剂浆料不易渗入至透气性塞子。因此，在将涂布有粘结剂浆料的透气性塞子配置于之后成为塞子室的预定的部位，组装半导体制造装置用构件时，设置于透气性塞子的致密质层与塞子室的壁面之间以不产生将细孔侧空间与气体供给孔侧空间连通的间隙的方式被粘结层所填充。即，能够抑制从静电卡盘侧贯通粘结层至冷却板侧的间隙的产生。这样操作，能够防止在半导体制造装置用构件中与晶片之间发生放电。附图说明图1为半导体制造装置用构件10的纵截面图。图2为图1的A部放大图。图3为图2的B-B截面图。图4为半导体制造装置用构件10的制造工序图。图5为半导体制造装置用构件10B的与图2对应的放大图。图6为半导体制造装置用构件10C的与图2对应的放大图。图7为半导体制造装置用构件110的与图2对应的放大图。图8为半导体制造装置用构件210的与图2对应的放大图。图9为比较方式的半导体制造装置用构件60中的与图2对应的放大图。图10为图9的C-C截面图。具体实施方式关于本专利技术的优选的一个实施方式，使用附图进行说明。图1为半导体制造装置用构件10的纵截面图，图2为图1的A部放大图，图3为图2的B-B截面图(将半导体制造装置用构件10的主视图(整体图)用图2的B-B切断线切断时的截面图)。半导体制造装置用构件10是具有晶片载置面22的绝缘性的静电卡盘20设置于导电性的冷却板40上的构件。半导体制造装置用构件10的内部设置有塞子室31，配置有由绝缘材料形成的多孔质的透气性塞子30。在晶片载置面22载置有待实施等离子体处理的晶片W。静电卡盘20是氧化铝等陶瓷制的致密的圆盘状的构件，埋设有未图示的静电电极。静电卡盘20具有沉孔(静电卡盘侧凹部)26，以及与该沉孔26连通的细孔28。沉孔26从与晶片载置面22相反侧的面24朝向晶片载置面22而形成。此外，沉孔26的内部空间成为圆筒形。细孔28与沉孔26相比孔径小，并从晶片载置面22贯通至沉孔26的上底27。即，细孔28在厚度方向上贯通静电卡盘20。冷却板40为铝等金属制的圆盘状的构件，具有气体供给孔42。该气体供给孔42从冷却板40中的与静电卡盘20相对的相对面44贯通至与该相对面44相反侧的面46。气体供给孔42形成于与沉孔26相对的位置，气体供给孔42与沉孔26连通。塞子室31由沉孔26形成。沉孔26与细孔28和气体供给孔42连通，因此塞子室31也与细孔28和气体供给孔42连通。透气性塞子30为多孔质材料制的圆柱构件。作为透气性塞子30，可举出例如，将绝缘性的陶瓷微细地粉碎，将所得的陶瓷以具有透气性的方式用无机粘结剂黏在一起而成的塞子，或陶瓷的多孔质体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体制造装置用构件，是绝缘性的静电卡盘与导电性的冷却板接合而成的半导体制造装置用构件，所述绝缘性的静电卡盘具有晶片载置面且设置有在厚度方向上贯通的细孔，所述导电性的冷却板设置有在厚度方向上贯通的气体供给孔，所述半导体制造装置用构件具备：塞子室，其由静电卡盘侧凹部和冷却板侧凹部中的至少一者构成，并与所述细孔和所述气体供给孔连通，所述静电卡盘侧凹部从所述静电卡盘中的与所述晶片载置面相反侧的面朝向所述晶片载置面设置而成，所述冷却板侧凹部从所述冷却板中的与所述静电卡盘相对的相对面朝向与该相对面相反侧的面设置而成；多孔质且绝缘性的透气性塞子，其配置于所述塞子室；环状的致密质层，其以将所述透气性塞子的表面分离成包含与所述细孔相对的部分且不直接面向所述冷却板的细孔侧表面、和包含与所述气体供给孔相对的部分的气体供给孔侧表面的方式，设置于所述透气性塞子的表面；以及粘结层，其填充于所述致密质层与所述塞子室的壁面之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.07.06 JP 2017-1323631.一种半导体制造装置用构件，是绝缘性的静电卡盘与导电性的冷却板接合而成的半导体制造装置用构件，所述绝缘性的静电卡盘具有晶片载置面且设置有在厚度方向上贯通的细孔，所述导电性的冷却板设置有在厚度方向上贯通的气体供给孔，所述半导体制造装置用构件具备：塞子室，其由静电卡盘侧凹部和冷却板侧凹部中的至少一者构成，并与所述细孔和所述气体供给孔连通，所述静电卡盘侧凹部从所述静电卡盘中的与所述晶片载置面相反侧的面朝向所述晶片载置面设置而成，所述冷却板侧凹部从所述冷却板中的与所述静电卡盘相对的相对面朝向与该相对面相反侧的面设置而成；多孔质且绝缘性的透气性塞子，其配置于所述塞子室；环状的致密质层，其以将所述透气性塞子的表面分离成包含与所述细孔相对的部分且不直接面向所述冷却板的细孔侧表面、和包含与所述气体供给孔相对的部分的气体供给孔侧表面的方式，设置于所述透气性塞子的表面；以及粘结层，其填充于所述致密质层与所述塞子室的壁面之间。2.根据权利要求1所述的半导体制造装置用构件，所述致密质层为耐热树脂膜。3.根据权利要求2所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：高崎秀明，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP