溅射阴极、溅射装置和成膜体的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及溅射阴极、溅射装置和成膜体的制造方法。溅射阴极具有溅射靶，所述溅射靶具有横截面形状具有相互相对的一对长边部的管状的形状且侵蚀面朝向内侧。使用该溅射阴极，在由溅射靶包围的空间的上方，使具有宽度比溅射靶的长边部窄的成膜区域的被成膜体与溅射靶的一端面平行地且沿与长边部垂直的方向以恒定速度移动，同时进行放电使得产生沿着溅射靶的内表面环绕的等离子体，利用由溅射气体产生的等离子体中的离子使溅射靶的长边部的内表面进行溅射，从而在被成膜体的成膜区域进行成膜。

Manufacturing method of sputtering cathode, sputtering device and film-forming body

The invention relates to a sputtering cathode, a sputtering device and a manufacturing method of a film forming body. The sputtering cathode has a sputtering target, the sputtering target has a cross-sectional shape with a pair of tubular shapes of long edges relative to each other, and the erosion surface faces inward. Using the sputtering cathode, above the space surrounded by the sputtering target, the film-forming body with a narrower film-forming area than the long edge of the sputtering target is moved at a constant speed parallel to one end of the sputtering target and perpendicular to the long edge. At the same time, the discharge makes the plasma surrounded by the inner surface of the sputtering target generate by the plasma generated by the sputtering gas. Ions in the body make the inner surface of the long side of the sputtering target sputter, thus forming film in the film-forming area of the film-forming body.

【技术实现步骤摘要】
溅射阴极、溅射装置和成膜体的制造方法本申请是申请日为2017年1月25日、申请号为201780001627.0的中国专利申请的分案申请。
本专利技术涉及溅射阴极、溅射装置和成膜体的制造方法，适合应用于利用溅射法形成薄膜的各种器件的制造。
技术介绍
以往，在半导体器件、太阳能电池、液晶显示器、有机电致发光(EL)等各种器件中形成电极的工序中，电极材料的成膜中多使用真空蒸镀装置。但是，对于真空蒸镀法而言，膜厚分布的控制在空间上和时间上都具有难点，因此要求利用溅射法进行电极材料的成膜。以往，作为溅射装置，已知平行平板磁控管式溅射装置、射频(RF)方式溅射装置、相对靶式溅射装置等。其中，在相对靶式溅射装置中，使由相同的材料制作的两个圆形或正方形或矩形的相同尺寸的靶相互平行地相对，向它们之间的空间中引入溅射气体并进行放电，由此使靶进行溅射，从而进行成膜(例如，参见非专利文献1～3)。认为该相对靶式溅射装置具有下述优点：将等离子体约束在夹在两个靶之间的空间内，能够通过不逊于磁控管式溅射装置中的等离子体约束的高真空、低电压放电来实现溅射粒子的产生，并且通过在等离子体空间中形成磁场而约束等离子体，能本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种溅射阴极，其特征在于，所述溅射阴极具有：溅射靶，所述溅射靶具有横截面形状具有相互相对的一对长边部的管状的形状、且侵蚀面朝向内侧，永磁铁，所述永磁铁设置在所述溅射靶的外侧，和磁轭，所述磁轭设置在所述永磁铁的外侧；由所述永磁铁和所述磁轭形成的磁路以产生在溅射时在所述溅射靶的内表面附近产生沿着该内表面环绕的等离子体的磁力线的方式形成，所述溅射阴极以在溅射时通过利用所述等离子体中的溅射气体的离子进行溅射而溅射粒子从所述侵蚀面向由所述溅射靶包围的空间的外部飞出的方式构成，在溅射时被成膜体置于由所述溅射靶包围的空间的外部，使用向由所述溅射靶包围的空间的外部飞出的所述溅射粒子在所述被成膜体上进行成膜...

【技术特征摘要】
2016.03.30 JP 2016-067068;2016.08.31 JP 2016-168701.一种溅射阴极，其特征在于，所述溅射阴极具有：溅射靶，所述溅射靶具有横截面形状具有相互相对的一对长边部的管状的形状、且侵蚀面朝向内侧，永磁铁，所述永磁铁设置在所述溅射靶的外侧，和磁轭，所述磁轭设置在所述永磁铁的外侧；由所述永磁铁和所述磁轭形成的磁路以产生在溅射时在所述溅射靶的内表面附近产生沿着该内表面环绕的等离子体的磁力线的方式形成，所述溅射阴极以在溅射时通过利用所述等离子体中的溅射气体的离子进行溅射而溅射粒子从所述侵蚀面向由所述溅射靶包围的空间的外部飞出的方式构成，在溅射时被成膜体置于由所述溅射靶包围的空间的外部，使用向由所述溅射靶包围的空间的外部飞出的所述溅射粒子在所述被成膜体上进行成膜。2.如权利要求1所述的溅射阴极，其特征在于，所述溅射靶的横截面形状具有与相互平行的所述一对长边部垂直的相互相对的一对短边部、或向外侧凸起的相互相对的一对曲面部。3.如权利要求1或2所述的溅射阴极，其特征在于，所述溅射靶的所述一对长边部之间的距离为50mm以上且150mm以下。4.如权利要求1或2所述的溅射阴极，其特征在于，所述溅射靶的所述长边部的长度与所述一对长...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩田宽，根津敏幸，高桑勇太，冈田直弥，佐藤一平，柴田尚宪，桥本敬一，
申请(专利权)人：京浜乐梦金属科技株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP