积层结构体及积层结构体的制造方法技术

本发明专利技术的课题在于提供一种积层结构体(1)，所述积层结构体(1)能够防止或抑制含有扩散成分的层(12、16)中的该扩散成分向与该层(12、16)邻接的层(14、17)扩散。本发明专利技术的积层结构体(1)具有：导电层(12、16)，具有导电性，并且含有能够向邻接的层(14、17)扩散的扩散成分；及导电性扩散防止层(14、17)，以与导电层(12、16)邻接的方式设置，含有至少1种金属或金属氧化物以具有导电性，并且含有稀有气体，所述稀有气体的原子数相对于至少1种金属或金属氧化物中的主金属的原子数的比率为0.40以上。物中的主金属的原子数的比率为0.40以上。物中的主金属的原子数的比率为0.40以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】积层结构体及积层结构体的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种积层结构体及积层结构体的制造方法。

技术介绍

[0002]积层结构体是通过使多层以相互邻接的方式重叠来构成的。积层结构体中，各层具有导电性或半导电性或绝缘性等功能。通过组合各层的功能，实现积层结构体整体的功能。这种积层结构体中，一层所具有的能够扩散的扩散成分会向与该一层邻接的另一层扩散，结果有时会产生积层结构体整体性能降低的问题。
[0003]作为积层结构体的一例，可例举异质结型光电转换装置(例如参照专利文献1)。专利文献1所记载的异质结型光电转换装置具有：钝化层，包含氢封端非晶硅；及透明导电层，以与钝化层邻接的方式设置，包含ITO(氧化铟锡)。这种异质结型光电转换装置例如在制造步骤中，氢会从钝化层向透明导电层扩散，结果，有时会产生光电转换装置的性能(例如发电效率)降低的问题。该问题并不限于异质结型光电转换装置，而是积层结构体中均可能产生的问题。
[0004]
技术介绍
文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：国际公开第2013/061637号

技术实现思路

[0007][专利技术要解决的问题][0008]本专利技术提供一种积层结构体及该积层结构体的制造方法，所述积层结构体能够防止或抑制含有扩散成分的层中的该扩散成分向与该层邻接的层扩散。
[0009][解决问题的技术手段][0010]本专利技术采用以下构成。
[0011]本专利技术的积层结构体具有：
[0012]导电层，具有导电性，并且含有能够向邻接的层扩散的扩散成分；及
[0013]导电性扩散防止层，以与所述导电层邻接的方式设置，含有至少1种金属或金属氧化物以具有导电性，并且含有稀有气体，所述稀有气体的原子数相对于所述至少1种金属或金属氧化物中的主金属的原子数的比率为0.40以上。
[0014]本专利技术的积层结构体中，导电性扩散防止层含有大量稀有气体。稀有气体化学性质稳定。大量稀有气体于导电性扩散防止层内以单原子分子的形式稳定地存在。由此，能够防止或抑制扩散成分从导电层向导电性扩散防止层扩散。例如，能够防止或抑制积层结构体制造步骤中扩散成分的扩散。结果，能够防止或抑制因扩散成分扩散引起的积层结构体的性能降低。因为使用化学性质稳定的稀有气体，所以能够防止或抑制对积层结构体的性能造成影响。
[0015]主金属是指构成导电性扩散防止层的至少1种金属或金属氧化物中原子数最多的
金属(元素)。导电性扩散防止层中，稀有气体的原子数相对于主金属的原子数的比率为0.40以上。该比率优选为0.50以上，更优选为0.60以上，进一步优选为0.70以上。通过导入更多稀有气体，能够提升扩散抑制效果。另外，该比率优选为1.0以下，更优选为0.82以下。既能抑制或防止对导电性扩散防止层及作为其基底层的含有扩散成分的层造成损伤，又能导入稀有气体。此外，导电性扩散防止层可以在制造时间点含有种类与导电层所含扩散成分相同的扩散成分。通过在制造时间点调整导电性扩散防止层中的扩散成分的含量，也能够防止或抑制扩散成分从导电层向导电性扩散防止层扩散。可以在除调整导电性扩散防止层中的扩散成分的含量以外，或与之加以组合，应用本专利技术的大量稀有气体的导入。通过调整导电性扩散防止层中的扩散成分的含量，并且应用向导电性扩散防止层导入大量稀有气体，能够更有效地防止或抑制扩散成分从导电层向导电性扩散防止层扩散。另外，根据本专利技术，可利用化学性质稳定且反应性较低的稀有气体来防止或抑制扩散成分扩散。因此，即使在难以应用导电性扩散防止层中的扩散成分含量的调整时等，也能够通过本专利技术来防止或抑制扩散成分从导电层向导电性扩散防止层扩散。
[0016]本专利技术的积层结构体的制造方法中，
[0017]所述积层结构体具有：
[0018]导电层，具有导电性，并且含有能够向邻接的层扩散的成分；及
[0019]导电性扩散防止层，以与所述导电层邻接的方式设置，含有至少1种金属或金属氧化物以具有导电性，并且含有稀有气体；
[0020]所述制造方法具有以下步骤：
[0021]准备形成着导电层的结构体；及
[0022]使用具有溅镀靶的溅镀阴极，所述溅镀靶具有横截面形状具有相互对向的一对长边部的管状形状，且含有所述至少1种金属或金属氧化物的剥蚀面朝向内侧，在所述溅镀靶的轴线方向上，与所述溅镀靶隔开间隔地配置所述结构体，以产生沿着所述溅镀靶的内表面环绕的等离子体的方式进行放电，利用由含有所述稀有气体的溅镀气体所产生的等离子体中的离子，对所述溅镀靶的所述长边部的内表面进行溅镀，由此，在所述结构体的所述导电层上，以与所述导电层邻接的方式形成所述导电性扩散防止层。
[0023]本专利技术的积层结构体的制造方法中，导电性扩散防止层是通过所述溅镀阴极来形成。通过该溅镀阴极形成的导电性扩散防止层含有大量稀有气体。此外，根据该制造方法，在导入稀有气体时可减少对利用溅镀形成的导电性扩散防止层及作为其基底层的含有扩散成分的层造成损伤。因此，根据本专利技术的积层结构体的制造方法，能够减少对导电性扩散防止层及作为其基底层的含有扩散成分的层造成损伤，并且使大量稀有气体存在于导电性扩散防止层内。由此，能够防止或抑制扩散成分从导电层向导电性扩散防止层扩散。通过本专利技术的积层结构体的制造方法，导电性扩散防止层能够包含例如原子数相对于至少1种金属或金属氧化物中的主金属的原子数的比率为0.40以上的稀有气体。由此，能够更有效地防止或抑制扩散成分从导电层向导电性扩散防止层扩散。例如，能够更有效地防止或抑制积层结构体制造步骤中扩散成分的扩散。结果，能够更有效地防止或抑制因扩散成分扩散引起的积层结构体的性能降低。此外，一对长边部也可以由旋转靶构成。旋转靶具有圆筒形状，且设置成能够通过规定的旋转机构绕其旋转轴旋转。旋转靶为圆筒旋转式溅镀靶。作为旋转机构，例如可以采用以往公知的旋转机构。
[0024]进而，关于所述积层结构体及积层结构体的制造方法，本专利技术可以采用以下构成。作为导电层的厚度，并无特别限定，例如可以是100nm以下，也可以是50nm以下。
[0025]作为导电层的厚度，并无特别限定，例如可以是1nm以上，也可以是5nm以上。作为导电性扩散防止层的厚度，并无特别限定，例如可以是5～100nm以下。
[0026]一实施方式中，所述稀有气体是选自由氦、氖、氩、氙及氪所组成的群中的至少1种。由此，能够更有效地防止或抑制扩散成分向导电性扩散防止层扩散。一实施方式中，稀有气体是选自由氦、氖、氩所组成的群中的至少1种。作为稀有气体，尤其优选氩。
[0027]关于所述扩散成分，一实施方式中，所述扩散成分是与溅镀气体所含稀有气体不同的元素。一实施方式中，所述扩散成分是原子量小于所述稀有气体的元素。原子量小于所述稀有气体的元素例如为选自由氢、锂、钠、硼、硒、磷、镁、铍所组成的群中的至少1种元素。另外，一实施方式中，原子量小于所述稀有气体的元素例如为选自由氢、锂、钠、硼、磷、镁、铍所组成的群中的至少1种元素。一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种积层结构体，其具有：导电层，具有导电性，并且含有能够向邻接的层扩散的扩散成分；及导电性扩散防止层，以与所述导电层邻接的方式设置，含有至少1种金属或金属氧化物以具有导电性，并且含有稀有气体，所述稀有气体的原子数相对于所述至少1种金属或金属氧化物中的主金属的原子数的比率为0.40以上。2.根据权利要求1所述的积层结构体，其中所述稀有气体是选自由氦、氖、氩、氙及氪所组成的群中的至少1种。3.根据权利要求1或2所述的积层结构体，其中所述扩散成分是原子量小于所述稀有气体的非金属元素。4.根据权利要求1至3中任一项所述的积层结构体，其中所述积层结构体为光电转换装置。5.根据权利要求4所述的积层结构体，其中所述光电转换装置为异质结型光电转换装置。6.根据权利要求4所述的积层结构体，其中所述光电转换装置为钙钛矿型光电转换装置。7.根据权利要求4所述的积层结构体，其中所述光电转换装置为有机物光电转换装置。8.根据权利要求4所述的积层结构体，其中所述光电转换装置为有机电致发光型发光装置。9.根据权利要求4至6中任一项所述的积层结构体，其中所述导电层是含有氢作为所述扩散成分的钝化层。10.根据权利要求4、7或8所述的积层结构体，其中所述导电层包含有机物。11.根据权利要求4至10中任一项所述的积层结构体，其中所述导电性扩散防止层是透明且具有导电性的透明导电层。12.根据权利要求4至11中任一项所述的积层结构体，其中所述导电性扩散防止层含有选自由铟、锌及锡所组成的群中的至少1种元素作为所述主金属。13.一种积层结构体的制造方法，所述积层结构体具有：导电层，具有导电性，并且含有能够向邻接的层扩散的成分；及导电性扩散防止层，以与所述导电层邻接的方式设置，含有至少1种金属或金属氧化物以具有导电性，并且含有稀有气体；所述制造方法具有以下步骤：准备形成着导电层的结构体；及使用具有溅镀靶的溅镀阴极，所述溅镀靶具有横截面形状具有相互对向的一对长边部的管状形状，且含有所述至少1种金属或金属氧化物的剥蚀面朝向内...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩田寛，
申请(专利权)人：京浜乐梦金属科技株式会社，
类型：发明
国别省市：