太阳能电池片的镀膜工艺制造技术

一种太阳能电池片的镀膜工艺，属于太阳能电池技术领域。太阳能电池片的镀膜工艺包括：在预设温度范围内对具有减反射膜的硅片进行补镀，预设温度范围为450

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池片的镀膜工艺


[0001]本申请涉及太阳能电池
，具体而言，涉及一种太阳能电池片的镀膜工艺。

技术介绍

[0002]现常用的PERC电池制造工艺制程为：制绒
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磷扩散
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背面刻蚀
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退火
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Al2O3背钝化
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背面SiNx镀膜
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正面SiNx镀膜
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背面激光开槽
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丝网印刷
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烧结，而作为丝网印刷前的最后一道工序，正背面镀膜可能会存在瑕疵，所以一般会针对正背面膜进行补镀，但是在补镀的过程中很容易产生边缘绕镀。

技术实现思路

[0003]本申请提供了一种太阳能电池片的镀膜工艺，其能够减少太阳能电池的边缘绕镀的情况。
[0004]本申请的实施例是这样实现的：
[0005]本申请实施例提供一种太阳能电池片的镀膜工艺，包括：
[0006]在预设温度范围内对具有减反射膜的硅片进行补镀，预设温度范围为450～500℃，补镀的步骤包括：采用射频放电的方式激发补镀气体产生等离子体沉积在硅片的减反射膜表面形成氮化硅；
[0007]沉积包括第一次沉积和第二次沉积，第一次沉积的射频放电的功率为12000～13000W，压强为1600～1700mtorr，时间为65～75s；第二次沉积的射频放电的功率为13000～14000W，压强为1700～1800mtorr，时间为20～30s。
[0008]本申请实施例的太阳能电池片的镀膜工艺的有益效果包括：
[0009]补镀过程中采用等离子体气相沉积的方法进行补镀，其中，第一次沉积的工艺包括：射频放电的功率为12000～13000W，压强为1600～1700mtorr，时间为65～75s；第二次沉积的工艺包括：射频放电的功率为13000～14000W，压强为1700～1800mtorr，时间为20～30s；第一次沉积的功率小于第二次沉积的功率，且时间大于第二次沉积，能够实现低功率慢沉积，以增加第一次沉积后的底层膜致密性，再通过第二次沉积，在底层致密膜表面形成膜层，得到致密性渐变的膜，通过第一次沉积和第二次沉积的相互配合，使得补镀效果良好，有效地减少了太阳能电池的边缘绕镀的情况。
具体实施方式
[0010]下面将结合实施例对本申请的实施方案进行详细描述，但是本领域技术人员将会理解，下列实施例仅用于说明本申请，而不应视为限制本申请的范围。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。其中，本申请实施例中的多次指的是两次或两次以上。其中，本申请实施例中抽真空所采用的真空泵为阿尔卡特ADS60H。
[0011]以下针对本申请实施例的太阳能电池片的镀膜工艺进行具体说明：
[0012]本申请实施例提供一种太阳能电池片的镀膜工艺，包括：在预设温度范围内对具有减反射膜的硅片进行补镀，预设温度范围为450
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500℃，补镀的步骤包括：采用射频放电的方式激发补镀气体产生等离子体沉积在硅片的减反射膜表面形成氮化硅；
[0013]沉积包括第一次沉积和第二次沉积，第一次沉积的射频放电的功率为12000～13000W，压强为1600～1700mtorr，时间为65～75s；第二次沉积的射频放电的功率为13000～14000W，压强为1700～1800mtorr，时间为20～30s。
[0014]通过射频放电的方式能够激发补镀气体产生等离子体，促进补镀气体在硅片的减反射膜表面发生反应从而达到补镀的效果，其中，本申请实施例包括第一次沉积和第二次沉积，第一次沉积的工艺包括：射频放电的功率为12500～13200W，压强为1600～1700mtorr，时间为65～75s；第二次沉积的工艺包括：射频放电的功率为13300～14000W，压强为1720～1800mtorr，时间为20～30s；第一次沉积的功率小于第二次沉积的功率，且时间大于第二次沉积，能够实现低功率慢沉积，以增加第一次沉积后的底层膜致密性，再通过第二次沉积，在底层致密膜表面形成膜层，得到致密性渐变的膜，通过第一次沉积和第二次沉积的相互配合，使得补镀效果良好，有效地减少了太阳能电池的边缘绕镀情况，且减少了边缘发白的情况和增强了表面致密性。
[0015]示例性地，第一次沉积工艺中的射频放电的功率为12000W、12100W、12200W、12300W、12400W、12500W、12600W、12700W、12800W、12900W和13000W中的任一者或者任意两者之间的范围。
[0016]示例性地，第一次沉积工艺中的压强为1600mtorr、1610mtorr、1620mtorr、1630mtorr、1640mtorr、1650mtorr、1660mtorr、1670mtorr、1680mtorr、1690mtorr和1700mtorr中的任一者或者任意两者之间的范围。
[0017]示例性地，第一次沉积的时间为65s、66s、67s、68s、69s、70s、71s、72s、73s、74s或75s。
[0018]在一些可能的实施方案中，第一次沉积的射频放电的功率为13000W，压强为1650mtorr，时间为70s。
[0019]示例性地，第二次沉积工艺中的射频放电的功率为13000W、13100W、13200W、13300W、13400W、13500W、13600W、13700W、13800W、13900W和14000W中的任一者或者任意两者之间的范围。
[0020]示例性地，第二次沉积工艺中的压强为1700mtorr、1710mtorr、1720mtorr、1730mtorr、1740mtorr、1750mtorr、1760mtorr、1770mtorr、1780mtorr、1790mtorr和1800mtorr中的任一者或者任意两者之间的范围。
[0021]示例性地，第二次沉积工艺中的时间为20s、21s、22s、23s、24s、25s、26s、27s、28s、29s和30s。
[0022]在一些实施方案中，第二次沉积的射频放电的功率为13500W，压强为1750mtorr，时间为25s。
[0023]进一步地，在一些实施方案中，在进行对具有减反射膜的硅片进行补镀的步骤前，还包括依次进行的第一抽真空处理、前处理和第二抽真空处理，前处理的步骤包括：通入氮气进行吹扫。
[0024]在通入补镀气体进行补镀操作前，保持补镀环境为真空状态，这样比较容易通入
补镀气体并达到预设的压强。通入氮气进行吹扫，能够保护补镀所使用的炉管，以减少粉尘等对炉管的污染。由于通入氮气是在第一抽真空处理后进行的，在真空状态下能够比较容易通入氮气。
[0025]需要说明的是，第一抽真空处理和第二抽真空处理的区别主要在于两者分别是在前处理之前和之后进行，两本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池片的镀膜工艺，其特征在于，包括：在预设温度范围内对具有减反射膜的硅片进行补镀，所述预设温度范围为450
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500℃，所述补镀的步骤包括：采用射频放电的方式激发补镀气体产生等离子体沉积在所述硅片的所述减反射膜表面形成氮化硅；所述沉积包括第一次沉积和第二次沉积，所述第一次沉积的射频放电的功率为12000～13000W，压强为1600～1700mtorr，时间为65～75s；第二次沉积的射频放电的功率为13000～14000W，压强为1700～1800mtorr，时间为20～30s。2.根据权利要求1所述的太阳能电池片的镀膜工艺，其特征在于，所述第一次沉积的射频放电的功率为13000W，压强为1650mtorr，时间为70s。3.根据权利要求1所述的太阳能电池片的镀膜工艺，其特征在于，所述第二次沉积的射频放电的功率为13500W，压强为1750mto...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘冰，刘泽文，
申请(专利权)人：通合新能源金堂有限公司，
类型：发明
国别省市：