包括铁电外围部分的钝化光电二极管制造技术

本发明专利技术涉及一种光电二极管，包括：具有掺杂的第一区域(11)、掺杂的第二区域(12)和中间区域(13)的检测部分(10)；介电层(30)；以及半导体外围部分(25)。光电二极管还包括铁电外围部分(26.1)，其位于中间层(13)与介电层(30)之间并与中间层和介电层接触，并且位于第一区域(11)与半导体外围部分(25)之间并在主平面中围绕第一区域(11)。围绕第一区域(11)。围绕第一区域(11)。

【技术实现步骤摘要】
包括铁电外围部分的钝化光电二极管


[0001]本专利技术的领域是被介电钝化层钝化的光电二极管领域。本专利技术尤其应用于对属于例如近红外的光辐射进行检测的领域，一个或多个光电二极管则能够基于锗。

技术介绍

[0002]光电检测器件可以包括钝化光电二极管阵列。光电二极管则是在彼此平行的第一和第二相对表面之间的同一个主平面中延伸。然后，它们每个都具有掺杂(例如n掺杂)的第一区域，并且第一区域与第一表面齐平，以及掺杂的第二区域(例如p掺杂)，并且第二区域与第二表面齐平。两个掺杂区域则通过本征中间区域或极轻微掺杂(例如p掺杂)的区域彼此分隔。由介电材料制成的钝化层覆盖第一表面，以限制暗电流对每个光电二极管测量的电流的影响。
[0003]然而，看起来介电钝化层的存在仍然可能有助于生成不可忽略的暗电流。由此，Sood等人在名为“Characterization of SiGe
‑
Detector Arrays for Visible
‑
NIR Imaging Sensor Applications”(国际光学工程学本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电二极管(1)，具有彼此相对并平行于主平面的第一表面(10a)和第二表面(10b)，包括：o由半导体材料制成的检测部分(10)，其包括：
·
掺杂有第一导电类型并与所述第一表面(10a)齐平的的第一区域(11)，所述第一区域用于进行电偏置；
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掺杂有与所述第一类型相反的第二导电类型并与所述第二表面(10b)齐平的第二区域(12)；
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位于所述第一区域(11)与所述第二区域(12)之间的中间区域(13)；o在所述第一表面(10a)上覆盖所述检测部分(10)并与所述第一区域(11)接触的介电层(30)；o由掺杂有所述第二导电类型的半导体材料制成并用于进行电偏置的半导体外围部分(25)，所述半导体外围部分在所述主平面中围绕所述检测部分(10)并与所述第二区域(12)接触外围；o由铁电材料制成的铁电外围部分(26.1)，其中，
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所述铁电外围部分位于所述中间区域(13)与所述介电层(30)之间并与所述中间区域和所述介电层接触，并且
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所述铁电外围部分位于所述第一区域(11)与所述半导体外围部分(25)之间并在所述主平面中围绕所述第一区域(11)。2.根据权利要求1所述的光电二极管(1)，其中，所述铁电外围部分(26.1)在一侧与所述第一区域(11)横向接触，并在另一侧与所述半导体外围部分(25)横向接触。3.根据权利要求1所述的光电二极管(1)，其中，所述检测部分(10)具有在所述主平面中限定被所述铁电外围部分(26.1)围绕的凸出部分(13.1)的外围凹入(27)。4.根据权利要求1所述的光电二极管(1)，其中，所述检测部分(10)是基于锗的，并且所述外围半导体部分(25)是基于硅的。5.根据权利要求1所述的光电二极管(1)，其中，所述铁电外围部分(26.1)是基于选自PZT、PLZT、BT、PT、PLT、PVDF和选自HfO2、ZnO和AlN的材料的。6.根据权利要求1所述的光电二极管(1)，其中，所述介电层(30)被与所述第一区域(11)接触的中央金属化部(31.1)和与所述半导体外围部分(25)接触的横向金属化部(31.2)穿过。7.根据权利要求6所述的光电二极管(1)，包括在所述介电层(30)之上延伸并与所述横向金属化部(31.2)接触的外围电极(32.2)，所述外围电极围绕所述第一区域(11)并与所述铁电外围部分(26....

【专利技术属性】
技术研发人员：阿卜杜卡迪尔，
申请(专利权)人：原子能和替代能源委员会，
类型：发明
国别省市：