制作集成电路装置的方法制造方法及图纸

一种制作集成电路装置的方法。设计集成电路装置的方法包括接收集成电路装置的初始设计，所述初始设计包括集成电路组件的功能群组的选择及位置、具有用于向组件供电的多层导电线的电源网格以及对不同层的导电线进行内连的具有一种或多种初始大小的通孔。所述方法还包括基于例如存在功能部件的未被占据的空间等预定准则来确定可进行通孔修改。所述方法还包括使用具有更大横截面积的经修改通孔或总横截面积比初始通孔大的多个通孔替代所述通孔中的一个或多个通孔。所述方法还包括确认经修改的设计符合预定的一组设计规则。

【技术实现步骤摘要】
制作集成电路装置的方法
本公开大体来说涉及集成电路(IC)设计及制造，且更具体来说，涉及性能及可靠性提高的集成电路产品及方法。
技术介绍
集成电路包括多个(有时成百上千个)电子组件，例如晶体管。向这些电子组件供应的电力由一个或小数目个电源(例如，电压源)提供，且通过导电层及层间连接(例如，通孔)被分配到集成电路内部的各个部分。电力分配路径会引起电力损耗或压降(有时被称为“电压降(IRdrop)”)，此会使可供用于电性组件的电压(在有些上下文中被称为“轨条电压(railvoltage)”、“VSS”、或“VDD”)降低。这种损耗对集成电路性能及电源效率具有不利影响。
技术实现思路
本专利技术实施例的一种制作集成电路装置的方法包括：通过接收第一层导电接点中的第一导电接点部分的位置及第二层导电接点中的第二导电接点部分的位置、对所述第一导电接点部分与所述第二导电接点部分进行电内连的第一通孔的位置及第一大小以及集成电路组件的功能群组的选择及位置来接收集成电路装置的第一设计；基于预定准则来确定能够对所述第一设计进行修改；通过使用具有更大横截面积的经修改通孔或总横截面积比所述第一通孔大的多个通孔替代所述第一通孔来修改所述集成电路装置的所述第一设计；以及确认经修改的所述第一设计符合预定的一组设计规则。附图说明结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。图1(a)示出根据一些实施例的集成电路装置的电力分配系统的实例的示意性侧视图。图1(b)示出根据一些实施例的集成电路装置的电力分配系统的实例的示意性平面图。图2示意性地示出根据一些实施例的使用一个或多个其他通孔来替代通孔的方式的实例。图3(a)及图3(b)分别示意性地示出根据一些实施例的在替代之前及之后的通孔。图4示意性地示出根据一些实施例的在通孔替代之后的通孔分布的图案(pattern)。图5概述了根据一些实施例的集成电路装置设计的示例性方法。图6概述了根据一些实施例的集成电路装置设计的另一种示例性方法。图7概述了根据一些实施例的集成电路装置设计的另一种示例性方法。图8示意性地示出根据一些实施例的用于施行一些方法步骤的计算机。具体实施方式以下公开内容提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下阐述组件及排列的具体实例以简化本公开。当然，这些仅为实例且不旨在进行限制。举例来说，以下说明中将第一特征形成在第二特征“之上”或第二特征“上”可包括其中第一特征与第二特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中第一特征与第二特征之间可形成有附加特征、从而使得所述第一特征与所述第二特征可能不直接接触的实施例。另外，本公开可能在各种实例中重复使用参考编号及/或字母。这种重复使用是出于简洁及清晰的目的，而不是自身表示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。此外，为易于说明，本文中可能使用例如“位于...之下(beneath)”、“位于...下面(below)”、“下部的(lower)”、“位于...上方(above)”、“上部的(upper)”等空间相对性用语来阐述图中所示一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。所述空间相对性用语旨在除图中所绘示的取向外还囊括装置在使用或操作中的不同取向。设备可具有其他取向(旋转90度或其他取向)，且本文中所用的空间相对性描述语可同样相应地进行解释。集成电路包括多个(有时成百上千个)电子组件，例如晶体管。向这些电子组件供应的电力由一个或小数目个电源(例如，电压源)提供，且通过导电层及层间连接(例如，通孔)被分配到集成电路内部的各个部分。电力分配路径会引起电力损耗或压降(有时被称为“电压降(IRdrop)”)，此会使可供用于电性组件的电压(在有些上下文中被称为“轨条电压(railvoltage)”、“VSS”、或“VDD”)降低。这种损耗对集成电路性能及电源效率具有不利影响。本文所公开的某些示例性实施例通过增大从电源到功能部件(functionalunit)(例如，逻辑门及存储器元件)的导电路径的总体横截面积、从而降低电压降来提高集成电路性能以及效率。在图1(a)中示意性地示出根据一些实施例的集成电路装置100的一些部分。集成电路装置100包括功能部件，功能部件在本实例中是逻辑功能部件，在集成电路设计的某些方法中有时被称为“标准单元(cell)(例如第一标准单元110、第二标准单元112)”。用于操作这些部件的电力是从例如电压源120等电源供应，电压源120在本实例中旨在向标准单元110、112供应轨条(rail)130处的轨条电压(railvoltage)VDD。来自电压源120的电力通过导电层(例如导电层140、142、144及轨条130)以及例如通孔150、152、154等层间导电路径在整个集成电路装置100中进行分配。各导电层之间的空间使用例如二氧化硅或有机绝缘体材料等绝缘材料146填充。也可使用适合于集成电路的其他绝缘材料。在一些实施例中，导电层及通孔由金属制成，但也可使用其他合适的导电材料，例如多晶硅。在以上实例中，如更详细地解释，通孔150、152、154中的一些通孔可具有比其他通孔大的大小(即，具有更大的横截面积)。图1(a)中的通孔150、152、154中的每一者可表示单个通孔或者由两个或更多个通孔形成的阵列。更大的通孔或者总通孔大小更大的更多通孔会减小所述一个或多个通孔的电阻，从而降低电压降。在图1(b)中示意性地示出两个相邻的导电层(例如，图1(a)中的导电层140与导电层142)的平面图。此处，第n个导电层160包括一组平行的导电线162、164；第(n+1)个导电层170包括横向于平行的导电线162、164的一组平行的导电线172、174。平行的导电线162、164在由绝缘材料146形成的绝缘区148中与平行的导电线172、174交叠，且与第n个导电层160对应的通孔180嵌置在绝缘交叠区(例如绝缘区148)中。在本实例中，第n个导电层160中的交替的导电线162与第(n+1)个导电层170中的交替的导电线172通过通孔180的子群组进行内连。导电线162与导电线172因此形成由一个电压供应源(例如，轨条电压VDD的电压供应源)构成的网格。同样地，第n个导电层160中的交替的导电线164与第(n+1)个导电层170中的交替的导电线174通过通孔180的另一个子群组进行内连。导电线164与导电线174因此形成由一个电压供应源(例如，轨条电压VSS的电压供应源)构成的另一个网格。根据一些实施例，如图2中示意性地示出，在集成电路装置的初始设计中，规定了用于对导电线162与另一条导电线172进行连接的具有起始几何形状或大小的通孔180。在再一个设计阶段中，通孔180可由一个或多个通孔替代以增大包围在绝缘区148中的通孔的总横截面积，前提是所适用的设计规则允许进行这种替代。举例来说，起始通孔横截面可为20×20(长度以μm计)。通孔可如图2中的实例所示由具有两个20×20的通孔的通孔阵列180a、单个20×34的通孔180b、单个20×50的通孔180c、具有两个20×34的通孔的通孔阵本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制作集成电路装置的方法，其特征在于，所述方法包括：通过接收第一层导电接点中的第一导电接点部分的位置及第二层导电接点中的第二导电接点部分的位置、对所述第一导电接点部分与所述第二导电接点部分进行电内连的第一通孔的位置及第一大小以及集成电路组件的功能群组的选择及位置来接收集成电路装置的第一设计；基于预定准则来确定能够对所述第一设计进行修改；通过使用具有更大横截面积的经修改通孔或总横截面积比所述第一通孔大的多个通孔替代所述第一通孔来修改所述集成电路装置的所述第一设计；以及确认经修改的所述第一设计符合预定的一组设计规则。

【技术特征摘要】
2017.11.29 US 15/825,3631.一种制作集成电路装置的方法，其特征在于，所述方法包括：通过接收第一层导电接点中的第一导电接点部分的位置及第二层导电接点中的第二导电接点部分的位置、对所述第一导电接点部分与所述第二导电接点部分进行电内连的第一通孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：比斯瓦思希兰梅，王中兴，林晋申，杨国男，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71