半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种半导体装置的制造方法，包括形成一底层(underlying)结构；形成一表面接枝层于底层结构上；以及形成一光刻胶层于表面接枝层上。其中，表面接枝层包括一涂布材料，包括：一主链聚合物；一表面接枝单元，与主链聚合物的一端耦合；以及一黏着单元，不同于表面接枝单元且耦合至主链聚合物作为一侧链。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法
本专利技术实施例是关于半导体装置的制造方法，且特别涉及一种光刻胶图案化的方法和材料。
技术介绍
随着半导体工业进入纳米技术工艺节点以追求更高的装置密度、更高的性能、和更低的成本，制造和设计问题带来的挑战变得更大。光刻操作是半导体工艺中的关键操作之一。
技术实现思路
根据本专利技术的一实施例，提供一种半导体装置的制造方法，包括：形成一底层(underlying)结构；形成一表面接枝层于底层结构上；以及形成一光刻胶层于表面接枝层上。其中，表面接枝层包括一涂布材料，包括：一主链聚合物；一表面接枝单元，与主链聚合物的一端耦合；以及一黏着单元，不同于表面接枝单元且耦合至主链聚合物作为一侧链。根据本专利技术的另一实施例，提供一种半导体装置的制造方法，包括：形成一底层结构；形成一第一层于底层结构上；形成一第二层于第一层上，第二层包括一硅基材料；形成一表面接枝层于第二层上；以及形成一光刻胶层于表面接枝层上。其中，表面接枝层包括一涂布材料，包括：一主链聚合物；一表面接枝单元，与主链聚合物的一端耦合；以及一黏着单元，不同于表面接枝单元且耦合至主链聚合物作为一侧链。又根据本专利技术的另一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，包括：形成一底层结构；形成一表面接枝层于该底层结构上；以及形成一光刻胶层于该表面接枝层上；其中该表面接枝层包括一涂布材料，包括：一主链聚合物；一表面接枝单元，与该主链聚合物的一端耦合；以及一黏着单元，不同于该表面接枝单元且耦合至该主链聚合物作为一侧链。

【技术特征摘要】
2017.11.29 US 62/592,195;2018.02.26 US 15/905,5011.一种半导体装置的制造方法，包括：形成一...

【专利技术属性】
技术研发人员：张简玉琳，陈建志，郑雅如，张庆裕，林进祥，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71